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硅光子在半導(dǎo)體制造技術(shù)的未來前景

454398 ? 來源:電子元件技術(shù) ? 作者:電子元件技術(shù) ? 2020-12-31 15:25 ? 次閱讀
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光子學(xué)的目標(biāo)是利用光來實(shí)現(xiàn)通信、數(shù)據(jù)傳輸、信息處理等傳統(tǒng)電子設(shè)備所實(shí)現(xiàn)的功能。光子學(xué)成為一個(gè)實(shí)踐性的工作方向始于1960 年激光器的發(fā)明。光纖傳輸信息的發(fā)明推動了光子技術(shù)在電訊行業(yè)的廣泛應(yīng)用。與此同時(shí),光子技術(shù)還出現(xiàn)更加廣闊的各類技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域,包括醫(yī)學(xué)診斷、生物和化學(xué)檢測、生產(chǎn)制造等。然而,制造光子器件的成本嚴(yán)重制約了它們的商業(yè)化。

多年來,硅晶圓代工廠已成功生產(chǎn)大批量的硅晶圓。如此大批量的生產(chǎn)降低了成本,使硅基電子集成電路 (IC) 不僅經(jīng)濟(jì)實(shí)惠而且有利可圖。與此同時(shí),芯片版圖設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝開發(fā)套件 (PDK) 的開發(fā)促進(jìn)了整個(gè)行業(yè)內(nèi)的 IC 設(shè)計(jì)及驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)化和優(yōu)化,幫助設(shè)計(jì)公司切實(shí)可行并有利可圖的開發(fā)出現(xiàn)今市場中種類繁多的 IC 和知識產(chǎn)權(quán) (IP)。

事實(shí)證明,被氧化硅包裹的硅可作為一種近乎理想的波導(dǎo)材料,這意味著光信號在這種材料中傳播時(shí)幾乎不會發(fā)生衰減,而這正是硅光子設(shè)計(jì)有廣闊市場前景的關(guān)鍵因素之一。在過去十年里,我們固然取得了許多成功,但硅光芯片 (PIC) 為何沒能得到更廣泛的采用呢?憑借其諸多優(yōu)勢(傳輸速度、低功耗、經(jīng)驗(yàn)證的成熟工藝等),加以硅晶圓生產(chǎn)的成本效益,為什么還沒有占領(lǐng)市場呢?

答案并不復(fù)雜,通過硅晶圓代工廠實(shí)現(xiàn)的產(chǎn)品及市場規(guī)?;?,建立并定制了一系列的晶體管設(shè)計(jì)技術(shù)規(guī)范。其中一部分只是慣性使然。晶圓代工廠在 IC 的摩爾定律模型方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和成功案例。雖然當(dāng)今的 7 納米工藝與 20 到 30 年前的 0.5 微米工藝有著天壤之別,但這些改進(jìn)和進(jìn)步是隨著時(shí)間的推移,伴隨每種新工藝逐步實(shí)現(xiàn)的。對現(xiàn)有的機(jī)制和工藝略加修改,比從零開始新起爐灶總是要輕松一些,成本也更低。

然而,摩爾定律的發(fā)展如今也舉步維艱。是的,我們可以肯定地說會出現(xiàn) 3 nm 工藝,但它已經(jīng)不會像以前的工藝節(jié)點(diǎn)提升那樣帶來巨大的性能或面積優(yōu)勢,而且注定會被貼上昂貴的標(biāo)價(jià)。這也意味著市場中出現(xiàn)了拐點(diǎn)機(jī)會。但除了這一機(jī)會以外,PIC 要想成功達(dá)到媲美IC 的規(guī)模,還需要些什么呢?

答案之一有賴于 IC 所實(shí)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)化和優(yōu)化。我們需要復(fù)制作為無晶圓廠的設(shè)計(jì)開發(fā)模式,使其為光子學(xué)領(lǐng)域所用。當(dāng)然,這說起來容易做起來難。但是,我們可以從深入研究該模式及歷史開始,了解需要投入的工作。

我們來想一想,無晶圓廠 IC 團(tuán)隊(duì)在設(shè)計(jì)片上系統(tǒng) (SOC) 時(shí)會從晶圓代工廠獲得哪些東西。首先是 PDK。PDK 實(shí)質(zhì)上代表了一份隱式合同,即合理運(yùn)用適當(dāng)?shù)碾娮釉O(shè)計(jì)自動化 (EDA) 軟件工具將能夠?qū)崿F(xiàn)目標(biāo)工藝中可制造和可操作的設(shè)計(jì)。PDK 的核心是設(shè)計(jì)規(guī)則,它們定義了物理版圖的制造要求。設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 確保在版圖中創(chuàng)建的幾何形狀可以在給定的代工廠工藝節(jié)點(diǎn)上成功制造。為了配合設(shè)計(jì)規(guī)則,晶圓代工廠還必須公開 GDS 或 OASIS 文件中的層分別用于哪個(gè)工藝步驟及制造相應(yīng)的掩膜版。

PDK 中還有一個(gè)重要部分是器件模型。晶圓代工廠是晶體管領(lǐng)域的專家。他們會細(xì)致、準(zhǔn)確地描述晶體管在給定結(jié)構(gòu)中的工作情況。只要設(shè)計(jì)人員正確地構(gòu)建晶體管,他們就可以放心,器件會按設(shè)計(jì)預(yù)期的那樣運(yùn)行工作。

但是,僅有器件模型還不足以實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?。如果設(shè)計(jì)人員不得不把注意力放在確保版圖中的每個(gè)晶體管都正確設(shè)計(jì),那么要設(shè)計(jì)出我們當(dāng)前創(chuàng)建的包含數(shù)十億個(gè)晶體管的 SoC,將會是一項(xiàng)曠日持久的工程。

為實(shí)現(xiàn)規(guī)?;琍DK 中加入了更多信息。首先是預(yù)先特征化的單元 (Pcell)。Pcell 允許設(shè)計(jì)人員在一組已知和允許的參數(shù)中進(jìn)行選擇,這些參數(shù)可在一定范圍內(nèi)修改,以使一個(gè)晶體管或一組晶體管表現(xiàn)出不同的電子行為。更重要的是,這些參數(shù)可通過電路原理圖形式的預(yù)定義和特征化設(shè)計(jì)來驅(qū)動。這種原理圖驅(qū)動的設(shè)計(jì)方法使設(shè)計(jì)人員可以專注于設(shè)計(jì)需求而不是物理版圖,從而大幅提高了開發(fā)效率。為了進(jìn)一步簡化流程,PDK 還提供了參數(shù)化的原理圖符號,設(shè)計(jì)人員可使用這些符號來確保原理圖中搭建的模塊可以準(zhǔn)確無誤的代表設(shè)計(jì)意圖。

當(dāng)然,這仍然不夠。晶圓代工廠還進(jìn)一步提供了定制好的標(biāo)準(zhǔn)單元庫。這些庫包括常用的邏輯單元和其他相對簡單的基礎(chǔ)模塊。晶圓代工廠還提供更大的 IP 模塊和(或)來自第三方供應(yīng)商的經(jīng)過定制及驗(yàn)證的模塊 IP,例如存儲器、處理器等。從理論上講,SoC 設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)自己的喜好組合其中的任意或全部模塊,而不必?fù)?dān)心它們的行為和性能。

但即使要做到這一點(diǎn)也不輕松。我們?nèi)绾蔚弥獙⑦@些模塊組合到一起后的性能如何?數(shù)字設(shè)計(jì)流程正是從這里真正蓬勃發(fā)展起來的。附帶時(shí)序庫的標(biāo)準(zhǔn)單元和 IP 讓設(shè)計(jì)人員可以了解在版圖中將它們組合到一起后的行為。這些時(shí)序庫沒有提供詳細(xì)分析,而是提供各種工藝極限下的相關(guān)信息,指示組件在特定工作條件下的行為。通過添加一些參數(shù)(通常以 LEF 庫和 tech 文件的形式),這些庫可用于指導(dǎo)一種既可驗(yàn)證時(shí)序,又可通過布局和布線 (P&R) 工具來驅(qū)動版圖的設(shè)計(jì)流程。

然而,即便這些全部到位,IC 設(shè)計(jì)流程也遠(yuǎn)非按個(gè)按鈕那么簡單,人們依然很可能而且相對容易犯錯(cuò)誤,從而造成良率或可靠性問題。盡管如此,在大致了解他們的成功史后,您應(yīng)該可以明白,設(shè)計(jì)人員為何不愿放棄所有這些設(shè)計(jì)模式和安全保障了。

這對硅光子意味著什么呢?這意味著,開發(fā)類似的工具和組件對于將 PIC 整合成傳統(tǒng)的 IC 設(shè)計(jì)及驗(yàn)證流程至關(guān)重要,首先要開發(fā)一個(gè)光子 PDK。

實(shí)際上,盡管面臨挑戰(zhàn),但在實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)方面仍取得了可喜的進(jìn)展。雖然 GDS 和 OASIS 文件格式本身并不支持 PIC 中常見的曲線結(jié)構(gòu),而且對這些曲線結(jié)構(gòu)進(jìn)行傳統(tǒng)的 DRC 驗(yàn)證會導(dǎo)致成千上萬的誤報(bào),但我們已成功找到一些方法,利用專用的 DRC 來檢查 PIC 版圖中存在的實(shí)際問題,同時(shí)避免產(chǎn)生大量誤報(bào)。

盡管我們尚未實(shí)現(xiàn)真正統(tǒng)一的包含定制化單元的完整 Pcell 光子器件庫,但也只有一步之遙了。通過使用基于 Python? 的 Pcell (Pycells),或使用 PhoeniX OptoDesigner 設(shè)計(jì)平臺或Luceda IPKISS.eda 設(shè)計(jì)框架 [1][2][3] 等工具,可以獲得創(chuàng)建此類 Pcell 的能力。Calibre?nmLVS?電路驗(yàn)證可以執(zhí)行簡單的器件級黑盒式版圖與原理圖 (LVS) 驗(yàn)證,以確保生成的版圖中不存在短路或開路,并將從版圖中提取的光學(xué)設(shè)計(jì)傳遞給光學(xué)仿真器,例如 Lumerical 的 Interconnect設(shè)計(jì)工具 [4][5]。Mentor 已經(jīng)發(fā)布了 Tanner L-Edit 工具的增強(qiáng)功能,可對集成光子設(shè)計(jì)進(jìn)行手動版圖布局。更進(jìn)一步的,Mentor 還提供了業(yè)界首個(gè)集成的電子/光子混合版圖自動化工具。自動化工具完成的版圖設(shè)計(jì)將是“通過 Calibre 驗(yàn)證的設(shè)計(jì)”,并可融入 OpenAccess 設(shè)計(jì)流程。這些工具和流程共同代表了一項(xiàng)重大進(jìn)步,可幫助光子學(xué)設(shè)計(jì)人員將注意力從關(guān)注器件構(gòu)成差異化轉(zhuǎn)向基于已知和定制化器件的設(shè)計(jì)開發(fā)上。

EDA 行業(yè)認(rèn)識到仍有很多有待逾越的障礙。我們的晶圓代工廠合作伙伴是晶體管專家,但遠(yuǎn)遠(yuǎn)還沒有成為光學(xué)專家。我們可以助您一臂之力!基于生產(chǎn)制造后的測量可以創(chuàng)建適當(dāng)?shù)墓に嚹P停柚@些模型,我們可以預(yù)知版圖中繪制的 PIC 設(shè)計(jì)將如何在制造步驟中呈現(xiàn)。我們可以自動捕獲版圖設(shè)計(jì)中的圖形與實(shí)際制造出的圖形之間的差異。通過這種方式,晶圓代工廠或設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)可以基于多個(gè)可能的物理參數(shù)生成幾種不同的版圖設(shè)計(jì)來表征一個(gè)器件,再通過實(shí)際的測量來確定這些差異將如何影響光學(xué)行為。遵循這樣的表征過程,可以更好地了解不同物理參數(shù)間多種組合形式的可行性,并最終制作出適用于 PIC 設(shè)計(jì)的經(jīng)過認(rèn)證可以確保質(zhì)量的 Pcell。

晶體管的電子行為主要由寬度和間距來表征,光學(xué)器件則不然,在沒有進(jìn)行充分仿真的情況下,要基于版圖甚至硅圖像來驗(yàn)證光學(xué)器件的預(yù)期電子行為要困難得多。幸運(yùn)的是,這可能不是必需的。LVS 器件驗(yàn)證背后的理念是確保版圖充分體現(xiàn)原理圖中的設(shè)計(jì)意圖。一種替代方法是,在相關(guān)的版圖設(shè)計(jì)中重現(xiàn)相應(yīng)的版圖設(shè)計(jì)。如果未發(fā)現(xiàn)更改,則設(shè)計(jì)人員知道布局的器件與預(yù)期器件匹配。從復(fù)雜的圖形匹配到直接根據(jù)光學(xué)方程式重新生成圖形,有多種方法可用于進(jìn)行這樣的比較。

還有最后一個(gè)需要考慮的問題 — 如何成功地將光子和電子器件整合在一起。理想情況下,設(shè)計(jì)人員會將所需的電子和光子器件擺放在同一芯片上。但是,與電子器件相比,光子器件通常要大得多,所以光子器件設(shè)計(jì)不需要使用更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。如果設(shè)計(jì)人員需要只能借助先進(jìn)工藝實(shí)現(xiàn)的電子功能來驅(qū)動光子器件,那么最終這些光子器件將會占用大量非常昂貴的面積,導(dǎo)致最終的 SOC 價(jià)格令人難以承受。事實(shí)上,鑒于光子器件的尺寸很大,試圖將它們與電子器件整合在一個(gè)芯片上會直接導(dǎo)致芯片的尺寸增大,進(jìn)一步增加成本。

顯而易見的解決方案是采用多芯片封裝,在這方面有很多積極的消息。晶圓代工廠、外包裝配與測試 (OSAT) 公司以開發(fā)類似 PDK 的方法來簡化和降低封裝設(shè)計(jì)和驗(yàn)證的風(fēng)險(xiǎn)方面,也取得了長足的進(jìn)展。實(shí)際上,領(lǐng)先的硅光子生產(chǎn)代工廠 TowerJazz 近期發(fā)布了基于業(yè)界領(lǐng)先

的 Calibre nmPlatform 的初版硅光子 PDK。在 Calibre nmPlatform 的支持下,采用 TowerJazz PH18硅光子工藝的客戶現(xiàn)在能夠像構(gòu)建互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 器件那樣,一如既往地放心構(gòu)建物理結(jié)構(gòu)正確的硅光子器件 [6]。

硅光子具有高速數(shù)據(jù)傳輸、高帶寬以及低功耗的前景優(yōu)勢,這對于當(dāng)今的高性能計(jì)算、電信、軍事、國防、航空航天、醫(yī)療和研究應(yīng)用而言至關(guān)重要。但要實(shí)現(xiàn)這一前景,設(shè)計(jì)公司必須獲得晶圓代工廠和 EDA 供應(yīng)商為 IC 設(shè)計(jì)和驗(yàn)證提供的同等水平的支持。幸運(yùn)的是,預(yù)后良好!業(yè)界正在積極地聯(lián)合晶圓代工廠、設(shè)計(jì)人員、EDA 供應(yīng)商和封測廠,致力于延續(xù)并擴(kuò)大迄今為止已取得的進(jìn)展,終極目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)硅光子技術(shù)產(chǎn)品化所需的實(shí)惠且規(guī)?;脑O(shè)計(jì)開發(fā)平臺。

編輯:hfy

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    半導(dǎo)體制造業(yè)是一個(gè)高度精密和復(fù)雜的行業(yè),它依賴于先進(jìn)的技術(shù)和嚴(yán)格的生產(chǎn)控制來制造微型電子元件。在這個(gè)過程中,靜電放電(ESD)是一個(gè)不可忽視的問題,因?yàn)樗赡軐?b class='flag-5'>半導(dǎo)體器件的性能和可靠性
    的頭像 發(fā)表于 11-20 09:42 ?1676次閱讀

    半導(dǎo)體制造過程解析

    在這篇文章中,我們將學(xué)習(xí)基本的半導(dǎo)體制造過程。為了將晶圓轉(zhuǎn)化為半導(dǎo)體芯片,它需要經(jīng)歷一系列復(fù)雜的制造過程,包括氧化、光刻、刻蝕、沉積、離子注入、金屬布線、電氣檢測和封裝等。
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:52 ?1990次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>過程解析

    半導(dǎo)體制造設(shè)備革新:機(jī)床需求全面剖析

    科技日新月異的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ),其重要性不言而喻。隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等前沿技術(shù)的快速發(fā)展,全球?qū)Ω咝阅苄酒男枨蠹眲∩仙?,這直接推動了半導(dǎo)體制造設(shè)備市場
    的頭像 發(fā)表于 09-23 10:38 ?967次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>設(shè)備革新:機(jī)床需求全面剖析

    半導(dǎo)體制造設(shè)備對機(jī)床的苛刻要求與未來展望

    科技日新月異的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ),其重要性不言而喻。隨著5G、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等前沿技術(shù)的快速發(fā)展,全球?qū)Ω咝阅苄酒男枨蠹眲∩仙?,這直接推動了半導(dǎo)體制造設(shè)備市場
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    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體制造</b>設(shè)備對機(jī)床的苛刻要求與<b class='flag-5'>未來</b>展望