2020 年 9 月 9 日，日本東京訊 - 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案及內(nèi)存接口產(chǎn)品供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布，面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器和高性能工作站應(yīng)用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。

在過(guò)去幾年中，實(shí)時(shí)分析、機(jī)器學(xué)習(xí)、HPC、AI及其它對(duì)內(nèi)存和帶寬要求極高的應(yīng)用飛速發(fā)展，推動(dòng)了服務(wù)器內(nèi)存帶寬需求的爆炸性增長(zhǎng)，而減載雙列直插內(nèi)存模組（LRDIMM）已成為推動(dòng)這些應(yīng)用發(fā)展的內(nèi)存技術(shù)的基石。瑞薩全新兼容JEDEC的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器5DB0148可為L(zhǎng)RDIMM顯著提升速度并降低延遲?；谌鹚_組件的第一代DDR5 LRDIMM，與運(yùn)行在3200MT/s的DDR4 LRDIMM相比，帶寬增加35%以上。

瑞薩電子數(shù)據(jù)中心事業(yè)部副總裁Rami Sethi表示：“作為業(yè)界完整的DDR5解決方案供應(yīng)商，我們與客戶及生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴緊密合作，將豐富的內(nèi)存解決方案產(chǎn)品投入量產(chǎn)。瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器對(duì)于LRDIMM、其他類型的高密度模組和多樣化存儲(chǔ)等高性能DRAM解決方案至關(guān)重要，使得新一代高性能計(jì)算應(yīng)用成為可能并更加完善。”

瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器通過(guò)降低容性負(fù)載、數(shù)據(jù)對(duì)準(zhǔn)和信號(hào)恢復(fù)技術(shù)的組合，使重載通道的系統(tǒng)眼圖最大化。這使具有大量?jī)?nèi)存通道和插槽以及復(fù)雜路由拓?fù)涞姆?wù)器主板即使在高密度內(nèi)存滿載的情況下，也能夠以最高速度運(yùn)行。此外，DDR5模組定義的改進(jìn)允許更低的電源電壓（DDR5中為1.1V，DDR4中則為1.2V）、DIMM模組內(nèi)電壓調(diào)節(jié)以及通過(guò)使用SPD集線器和現(xiàn)代控制總線通信（如I3C）來(lái)實(shí)現(xiàn)先進(jìn)的控制平面架構(gòu)。

自雙列直插式內(nèi)存模組問(wèn)世以來(lái)，瑞薩作為業(yè)界資深的內(nèi)存接口產(chǎn)品供應(yīng)商，始終致力于完整芯片組解決方案的研發(fā)。作為整體產(chǎn)品家族的一部分，經(jīng)過(guò)優(yōu)化的全新瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器5DB0148，可與LRDIMM存儲(chǔ)器模組上的其它瑞薩DDR5組件無(wú)縫對(duì)接，包括電源管理芯片P8900、寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器5RCD0148、SPD集線器SPD5118以及溫度傳感器TS5111，確保部署瑞薩芯片組解決方案的內(nèi)存供應(yīng)商獲得完整的互操作性和穩(wěn)定的質(zhì)量。

責(zé)任編輯：gt