5G商用驅(qū)動(dòng)萬(wàn)物互聯(lián)，隨著光通訊、光傳感、激光雷達(dá)、消費(fèi)電子等應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下一代的光學(xué)連接發(fā)展，更高速率、更低時(shí)延已經(jīng)成為信息光學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵特征。然而，海量的光學(xué)連接正面臨著巨大的成本壓力，其核心部件-光通信芯片存在進(jìn)口壟斷的局面，成本高昂，促使國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)口需求日益高漲。面對(duì)市場(chǎng)矛盾，以蘇州蘇納光電有限公司(簡(jiǎn)稱：蘇納光電)為代表的國(guó)產(chǎn)光芯片產(chǎn)業(yè)持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品成熟和技術(shù)迭代，為顯著降低5G、數(shù)據(jù)中心等新基建低成本自主可控，繼續(xù)拓展光傳感、消費(fèi)電子價(jià)格敏感市場(chǎng)，努力為實(shí)現(xiàn)“中國(guó)芯”的市場(chǎng)價(jià)值做出重要貢獻(xiàn)。

強(qiáng)大科研平臺(tái)奠定增長(zhǎng)基礎(chǔ)，國(guó)產(chǎn)光通信芯片具備市場(chǎng)價(jià)值

國(guó)產(chǎn)芯片企業(yè)往往缺乏市場(chǎng)信任和機(jī)會(huì)，但訊石認(rèn)為，國(guó)產(chǎn)光通信芯片競(jìng)爭(zhēng)力的提升與市場(chǎng)需求的增長(zhǎng)是亦步亦趨，更離不開(kāi)強(qiáng)大技術(shù)與人才平臺(tái)的支持，蘇納光電的成長(zhǎng)經(jīng)歷證明了國(guó)產(chǎn)光通信芯片可以具有很高的市場(chǎng)價(jià)值。自2014年成立起，公司致力于打造具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和核心競(jìng)爭(zhēng)力的光通信、光傳感芯片，以彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)此類芯片嚴(yán)重短缺、依賴進(jìn)口的短板。

半導(dǎo)體領(lǐng)域的研發(fā)制造需要芯片企業(yè)“耐住寂寞”，緊跟市場(chǎng)。專注在光芯片細(xì)分領(lǐng)域的蘇納光電，早期依托中科院蘇州納米所的技術(shù)和人才優(yōu)勢(shì)，第一步是建立全鏈條的研發(fā)和生產(chǎn)流程，使公司擁有獨(dú)特的MBE/MOCVD外延設(shè)備和團(tuán)隊(duì)，可實(shí)現(xiàn)超高真空、納米級(jí)界面的材料外延生長(zhǎng)，尤其適合高速芯片外延需求，為公司產(chǎn)品在研發(fā)和小批量階段提供了有力的支撐。

自主GaAs/InP/Si生產(chǎn)線覆蓋全鏈條的芯片前段、后段工藝能力和可靠性驗(yàn)證設(shè)備

打鐵還需自身硬！蘇納光電的第二步便是自主建設(shè)保證芯片量產(chǎn)的超凈間廠房共計(jì)500平米，以保證工程化量產(chǎn)的良率、批次一致性。設(shè)備資產(chǎn)全部為公司自有，設(shè)備涵蓋光刻、刻蝕、金屬、鍍膜、減薄、拋光、劃/裂片、篩選、分揀、性能及可靠性測(cè)試等芯片制造全鏈條，具備年產(chǎn)3000萬(wàn)只芯片能力。

發(fā)揮團(tuán)隊(duì)技術(shù)特長(zhǎng)，細(xì)分產(chǎn)品撬動(dòng)市場(chǎng)

萬(wàn)事俱備只等東風(fēng)來(lái)！據(jù)LightCouting分析，2020年光收發(fā)器市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)，到2021年將增長(zhǎng)24%。在中國(guó)5G部署推動(dòng)下，無(wú)線前傳和回傳網(wǎng)絡(luò)光器件銷售額將分別增長(zhǎng)18%和92%。FTTx和AOC板塊在中國(guó)市場(chǎng)部署推動(dòng)下，2020年也將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。中國(guó)已成為全球光通訊市場(chǎng)的引擎發(fā)動(dòng)機(jī)，而蘇納光電的光電芯片產(chǎn)品是光通訊模塊內(nèi)部的核心部件，充沛的中國(guó)市場(chǎng)需求和本土化響應(yīng)優(yōu)勢(shì)賦予蘇納光電產(chǎn)品廣闊的市場(chǎng)空間。

面對(duì)高漲的市場(chǎng)需求和激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)，蘇納光電并不盲目選擇進(jìn)入紅海市場(chǎng)，而是充分發(fā)揮先進(jìn)平臺(tái)特長(zhǎng)，細(xì)分市場(chǎng)需求，采取無(wú)源芯片和有源芯片的產(chǎn)品線“雙輪驅(qū)動(dòng)”戰(zhàn)略，利用自主知識(shí)產(chǎn)品撬動(dòng)市場(chǎng)。其中，無(wú)源芯片產(chǎn)品主要為硅基透鏡芯片、硅光集成基板、墊片等，并在現(xiàn)有產(chǎn)品系列上不斷研發(fā)規(guī)格不同，材料不同(如石英、玻璃)的透鏡等無(wú)源芯片。有源芯片產(chǎn)品主要研發(fā)制造各類型號(hào)的探測(cè)器芯片(25G/50G高速探測(cè)器、APD、波長(zhǎng)拓展、線/面陣芯片等)、激光器芯片(特種波長(zhǎng))等。

在無(wú)源芯片方面，蘇納光電的硅透鏡芯片在最近兩年取得突飛猛進(jìn)的發(fā)展，在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)取得了明顯的技術(shù)和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，是國(guó)際上少數(shù)幾家，國(guó)內(nèi)唯一一家能夠6英寸晶圓量產(chǎn)和出貨全系列硅透鏡產(chǎn)品(包括100G/400G接收端球透鏡，以及發(fā)射端非球透鏡)的國(guó)產(chǎn)廠商。其中，應(yīng)用于光模塊TX端的非球硅透鏡和應(yīng)用于400G ROSA端的球陣列硅透鏡，蘇納光電是國(guó)內(nèi)唯一的國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商，并且技術(shù)指標(biāo)已經(jīng)達(dá)到進(jìn)口廠家的同一水平。硅透鏡芯片的全系列工藝(光刻、熱熔、刻蝕、減薄、鍍膜、切割、面型測(cè)試、分選等)均由公司自主完成，實(shí)現(xiàn)了全鏈條的國(guó)產(chǎn)化和完全自主可控。完全進(jìn)口替代、高性價(jià)比、可定制、快速交付是公司產(chǎn)品的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。

目前，硅透鏡芯片產(chǎn)品已累計(jì)出貨200萬(wàn)只以上，蘇納光電還可面向所有下游客戶提供多款公版透鏡，此外，針對(duì)客戶獨(dú)特要求進(jìn)行定制化開(kāi)發(fā)和定向銷售的透鏡超過(guò)50余種。國(guó)內(nèi)90%以上的光模塊企業(yè)，都已經(jīng)成功導(dǎo)入蘇納的硅透鏡產(chǎn)品，已成功應(yīng)用于下游客戶40G/100G/200G/400G/800G各系列模塊產(chǎn)品研發(fā)和量產(chǎn)中。

硅基板產(chǎn)品

蘇納光電的硅基板產(chǎn)品面向光器件、光模塊和硅光集成應(yīng)用，定制開(kāi)發(fā)各系列集成微孔、通孔、薄膜電阻、復(fù)雜金屬圖形、微腔室、裝配對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的硅基板產(chǎn)品。全系列硅基板產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)累計(jì)150萬(wàn)只以上的批量出貨。

在有源芯片方面，蘇納光電的20G/25G InGaAs高速探測(cè)器芯片實(shí)現(xiàn)批量銷售，包括光敏面30μm、帶寬20G的降本、全國(guó)產(chǎn)核心高速探測(cè)器單顆和陣列芯片，對(duì)標(biāo)國(guó)外主流芯片公司的光敏面20μm、帶寬25G的高速探測(cè)器單顆及陣列芯片。據(jù)訊石了解，該系列的產(chǎn)品均通過(guò)國(guó)內(nèi)主流光模塊廠商的可靠性驗(yàn)證，每月出貨量約30萬(wàn)只。

針對(duì)光通訊的激光器背光檢測(cè)、光功率計(jì)、儀器儀表、激光器老化設(shè)備等應(yīng)用。蘇納光電推出全系列大光敏面銦鎵砷探測(cè)器芯片，主要包括光敏面為200μm、250μm、300μm、500μm、1000μm、2000μm、3000μm、3×4mm、3×8mm、5000μm的銦鎵砷探測(cè)器芯片，并成為該領(lǐng)域的重要國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商，每年穩(wěn)定生產(chǎn)和銷售500萬(wàn)只此類芯片，整晶圓出貨良率穩(wěn)定在95%以上。

另外，光傳感應(yīng)用的甲烷氣體探測(cè)用芯片是全球唯一針對(duì)室外低溫工況進(jìn)行優(yōu)化的甲烷探測(cè)芯片，保障客戶在-40℃到85℃使用環(huán)境下持續(xù)穩(wěn)定應(yīng)用，尤其在低溫下不使用TEC做溫度補(bǔ)償，既節(jié)省成本，又減少功耗。經(jīng)過(guò)幾年的技術(shù)積累及工藝優(yōu)化，該系列產(chǎn)品已成為國(guó)內(nèi)幾家甲烷探測(cè)傳感大客戶的唯一國(guó)產(chǎn)供應(yīng)商。