2020年8月19日，三安光電公告三安光電股份有限公司全資子公司湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司擬以現(xiàn)金38,150.00萬元收購(gòu)福建省安芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）（持股比例為99.50%）和泉州安瑞科技有限公司（持股比例為0.50%）合計(jì)持有的福建北電新材料科技有限公司100%股權(quán)。

公司于2020年8月18日召開第十屆董事會(huì)第三次會(huì)議，審議通過《關(guān)于全資子公司購(gòu)買資產(chǎn)暨關(guān)聯(lián)交易》的議案，同意公司全資子公司湖南三安以現(xiàn)金38,150.00萬元收購(gòu)安芯基金和安瑞科技合計(jì)持有的北電新材100%股權(quán)。

湖南三安分別與安芯基金、安瑞科技簽署了《股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議》。公司2020年1-7月與北電新材發(fā)生交易金額7,931,977.13元,過去12個(gè)月與北電新材發(fā)生的交易金額為11,177,523.08元。

北電新材最近一年又一期的主要財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)如下：

（單位：萬元人民幣）

亞化咨詢資料顯示，北電新材于2019年擬投資約5.8億元在福建安溪縣湖頭鎮(zhèn)橫山村建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)項(xiàng)目，租賃了福建晶安光電有限公司已建的應(yīng)用廠房作為生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)場(chǎng)所。項(xiàng)目主要從事碳化硅襯底的生產(chǎn)，項(xiàng)目規(guī)劃年產(chǎn)能3.6萬片（折合6英寸）

項(xiàng)目規(guī)劃的產(chǎn)品方案

2020年7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。根據(jù)公告顯示，項(xiàng)目投資總額160億元，投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，在甲方園區(qū)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SiC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SiC二極管外延、SiC MOSFET外延、SiC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

2020年7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長(zhǎng)沙高新區(qū)舉行。項(xiàng)目預(yù)計(jì)于2020年完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。

碳化硅襯底主要可有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中，在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅外延片，可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件，應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域；在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。

來源：天科合達(dá)招股說明書

與半導(dǎo)體硅片發(fā)展情況類似，碳化硅襯底也在不斷向更大尺寸發(fā)展。隨著全球6英寸碳化硅襯底生產(chǎn)技術(shù)的成熟完善、產(chǎn)品質(zhì)量與穩(wěn)定性的逐步提高，預(yù)計(jì)未來下游外延及器件廠商對(duì)于碳化硅襯底的需求將逐漸從以往的4英寸產(chǎn)品為主過渡到6英寸產(chǎn)品為主。在8英寸碳化硅襯底尚未實(shí)現(xiàn)成熟商業(yè)化的前提下，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)6英寸碳化硅襯底產(chǎn)品將成為碳化硅襯底市場(chǎng)的主流。

而伴隨著新能源汽車、5G通訊、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等行業(yè)的快速發(fā)展，碳化硅器件及碳化硅基氮化鎵器件產(chǎn)品的需求也將不斷攀升，從而拉動(dòng)全球碳化硅襯底的需求。

碳化硅襯底的生產(chǎn)工藝難度極高，產(chǎn)業(yè)存在較高的技術(shù)壁壘。目前，碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)重心主要在美國(guó)。以導(dǎo)電型碳化硅襯底為例，2018年美國(guó)占有全球碳化硅襯底產(chǎn)量的70%以上，僅Cree一家就占了一半以上的市場(chǎng)份額。

中國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始，在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制，未能進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì)，中國(guó)企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索，已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。

近年來，以山東天岳、世紀(jì)金光、天科合達(dá)為首的國(guó)內(nèi)各地多個(gè)碳化硅襯底項(xiàng)目陸續(xù)簽約、開工、投產(chǎn)，并在國(guó)家大基金、哈勃投資等支持下，中國(guó)碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)迎來了蓬勃式發(fā)展。三安光電收購(gòu)北電新材完成后，中國(guó)SiC襯底項(xiàng)目情況如下所示：

第三代半導(dǎo)體技術(shù)、材料、設(shè)備與市場(chǎng)論壇定于2020年9月8-9日在廈門召開。

會(huì)議由亞化咨詢主辦，多家國(guó)內(nèi)外龍頭企業(yè)重點(diǎn)參與。會(huì)議將討論全球第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)、技術(shù)情況及產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局及項(xiàng)目規(guī)劃，SiC PVT長(zhǎng)晶技術(shù)&液相法的現(xiàn)狀及發(fā)展，新能源汽車等產(chǎn)業(yè)對(duì)SiC器件的需求，GaN射頻器件及模塊在5G基站方面的應(yīng)用，GaN在快充市場(chǎng)中的發(fā)展及替代情況,其他化合物半導(dǎo)體材料如GaAs等等相關(guān)內(nèi)容。