在今日召開(kāi)的“2020世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)”上，臺(tái)積電(南京)有限公司總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球透露，臺(tái)積電的5nm芯片已進(jìn)入量產(chǎn)階段 預(yù)計(jì)可能在明年批量生產(chǎn)4nm。

羅鎮(zhèn)球稱(chēng)，在十年前，臺(tái)積電每一年研發(fā)的資金投入大概在10億美金左右，但臺(tái)積電在今年全年的研發(fā)投入已經(jīng)超過(guò)30億美金，主要用在了芯片領(lǐng)域。

他透露，臺(tái)積電的技術(shù)正持續(xù)不斷地往前推進(jìn)，7nm芯片進(jìn)入第三年的量產(chǎn)期，臺(tái)積電的7nm芯片到目前為止已經(jīng)支持140個(gè)以上的產(chǎn)品批量生產(chǎn)，預(yù)計(jì)這個(gè)數(shù)字在今年年底之前將超過(guò)200。

“除了7nm之外，臺(tái)積電還做了N7+(7nm的強(qiáng)小化)以及6nm。臺(tái)積電把6nm和7nm當(dāng)做同一個(gè)節(jié)點(diǎn)，產(chǎn)出量非常高。到目前為止，臺(tái)積電已經(jīng)為全世界提供了超過(guò)10億顆芯片。應(yīng)用領(lǐng)域包括CPU、GPU、通訊領(lǐng)域以及AI領(lǐng)域?！?/p>

臺(tái)積電采取小步快走的研發(fā)模式。目前，5nm芯片已經(jīng)進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，4nm芯片也在路上。羅鎮(zhèn)球透露：“預(yù)計(jì)可能在明年就會(huì)開(kāi)始正式批量生產(chǎn)4nm。”

據(jù)介紹，在產(chǎn)品良率上，臺(tái)積電的7nm芯片在一開(kāi)始生產(chǎn)階段就在0.1%左右，逐步往前推的過(guò)程中，7，7+N，N6的良率達(dá)到了相同水平。而5nm在開(kāi)始生產(chǎn)之時(shí)，其良率推進(jìn)就遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于三年前的7nm。未來(lái)，臺(tái)積電會(huì)在功耗、性能、面積上持續(xù)不斷提升。4nm是臺(tái)積電在面積和功耗上持續(xù)不斷提升的5nm節(jié)點(diǎn)的下一代的工藝。它不僅可以把晶片面積做得更小，在功耗上、成本上都可以讓客戶(hù)擁有更好的競(jìng)爭(zhēng)力。

羅鎮(zhèn)球表坦言，半導(dǎo)體的先進(jìn)工藝要持續(xù)推進(jìn)，其中特殊工藝尤為重要，因?yàn)樗闪艘粋€(gè)系統(tǒng)每一環(huán)節(jié)都需要的技術(shù)。而臺(tái)積電在這兩個(gè)領(lǐng)域都有著很好的發(fā)展，同時(shí)臺(tái)積電還在不斷創(chuàng)新，比如用封裝的方式把芯片集成在一顆封裝里面使其變成一個(gè)系統(tǒng)。

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