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關(guān)于控制器芯片軟化整流二極管的開關(guān)特性的原因

lhl545545 ? 來源:與非網(wǎng) ? 作者:王偉 ? 2020-08-21 11:35 ? 次閱讀
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最近一段時(shí)間電源產(chǎn)品的需求量爆發(fā)性增長(zhǎng),為了滿足出貨和客戶需求,最近一周都在忙著新產(chǎn)品試制和調(diào)整。

當(dāng)然留言還是沒辦法一一回復(fù)了,所以我們今天就來講一下留言里出現(xiàn)頻率最高的問題。

下圖為一款簡(jiǎn)單的電源線路圖:

關(guān)于控制器芯片軟化整流二極管的開關(guān)特性的原因

電源輸入端采用的單級(jí) EMI 抗干擾電路由 C1 和 L1 組成,主要目的就是為了減小電源內(nèi)的高頻信號(hào)對(duì)電網(wǎng)的輻射干擾。

市電經(jīng)過整流橋 BD1 和 C2 濾波后得到一個(gè)大約 300V 的直流電壓,這個(gè)電壓一路經(jīng)過變壓器的一次繞組后加到開關(guān)管 VT1 的漏極,另一路經(jīng)過 VD6 后加到芯片的第 8 腳 HV 腳,芯片通過內(nèi)部高壓電流源給 VCC 的外接電容 C6 進(jìn)行充電操作,當(dāng) C6 兩端的電壓達(dá)到開啟電壓(大約 13V 左右)時(shí),芯片開始工作,第 5 腳 DRV 輸出 PWM 方波。

當(dāng) PWM 方波處于高電位時(shí),MOS 管導(dǎo)通,能量存儲(chǔ)在變壓器的繞組內(nèi),二次側(cè) C22 對(duì)負(fù)載進(jìn)行放電操作。

當(dāng) PWM 方波處于低電位時(shí),MOS 截至,存儲(chǔ)在變壓器里的能量經(jīng)過 VD22、C22 整流濾波后輸出直流電壓,輸出電壓經(jīng) R25、VR21 和 R26 采樣后,經(jīng)過 431 和光耦后反饋到控制器芯片的反饋 2 腳上,從而對(duì)輸出的占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)作用;圖中的 C21 主要起到的是軟化整流二極管的開關(guān)特性,ZD21 并聯(lián)在電源輸出端起到過壓保護(hù)作用,產(chǎn)品正常工作時(shí),輸出電壓為:

Uo=2.5*(1+(R25+R21+R26)/R26);

我們可以根據(jù)需求電壓對(duì) R21 進(jìn)行調(diào)節(jié)。

這個(gè)線路不僅有過壓保護(hù)功能,還設(shè)有短路保護(hù)功能;當(dāng)負(fù)載短路時(shí),芯片 2 腳電壓超過 4.2V,芯片會(huì)強(qiáng)制輸出低占空比 PWM,VCC 外接電容上的電壓將會(huì)線性下降。當(dāng)電壓降低到 10.6V 時(shí),芯片會(huì)進(jìn)入保護(hù)重啟狀態(tài),此后控制器因?yàn)闃O低的電流消耗,VCC 外接電容上的電壓逐漸下降,當(dāng)電壓下降到 5.8V 時(shí),芯片會(huì)再次啟動(dòng)對(duì) VCC 的外接電容進(jìn)行充電,當(dāng)電壓達(dá)到 13V 左右時(shí),芯片又會(huì)輸出一個(gè) PWM 波形,從而周而復(fù)始,出現(xiàn)打嗝模式。

細(xì)心的盆友會(huì)發(fā)現(xiàn),我們平常的電源一般都設(shè)有輔助繞組,但是上圖中并沒有設(shè)計(jì)輔助繞組供電的功能,其實(shí)用輔助繞組供電可以得到一個(gè)比較平穩(wěn)的電壓,但是我們做的這個(gè)產(chǎn)品,客戶對(duì)輸出的動(dòng)態(tài)響應(yīng)要求并不高,所以為了優(yōu)化成本,可以不設(shè)置輔助繞組。
責(zé)任編輯:pj

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