作為一名電源研發(fā)工程師，自然經常與各種芯片打交道，可能有的工程師對芯片的內部并不是很了解，不少同學在應用新的芯片時直接翻到Datasheet的應用頁面，按照推薦設計搭建外圍完事。如此一來即使應用沒有問題，卻也忽略了更多的技術細節(jié)，對于自身的技術成長并沒有積累到更好的經驗。今天以一顆DC/DC降壓電源芯片LM2675為例，盡量詳細講解下一顆芯片的內部設計原理和結構，IC行業(yè)的同學隨便看看就好，歡迎指教！

LM2675-5.0的典型應用電路

打開LM2675的DataSheet，首先看看框圖

這個圖包含了電源芯片的內部全部單元模塊，BUCK結構我們已經很理解了，這個芯片的主要功能是實現(xiàn)對MOS管的驅動，并通過FB腳檢測輸出狀態(tài)來形成環(huán)路控制PWM驅動功率MOS管，實現(xiàn)穩(wěn)壓或者恒流輸出。這是一個非同步模式電源，即續(xù)流器件為外部二極管，而不是內部MOS管。

下面咱們一起來分析各個功能是怎么實現(xiàn)的

最后詳細的電路設計圖是這樣的：

這里有個技術難點是在電流模式下的斜坡補償，針對的是占空比大于50%時為了穩(wěn)定斜坡，額外增加了補償斜坡，我也是粗淺了解，有興趣同學可詳細學習。

四、驅動電路

這里的其他模塊電路是為了保證芯片能夠正常和可靠的工作，雖然不是原理的核心，卻實實在在的在芯片的設計中占據(jù)重要位置。

具體說來有幾種功能：

1、啟動模塊

啟動模塊的作用自然是來啟動芯片工作的，因為上電瞬間有可能所有晶體管電流為0并維持不變，這樣沒法工作。啟動電路的作用就是相當于“點個火”，然后再關閉。如圖：上電瞬間，S3自然是打開的，然后S2打開可以打開M4 Q1等，就打開了M1 M2，右邊恒流源電路正常工作，S1也打開了，就把S2給關閉了，完成啟動。如果沒有S1 S2 S3，瞬間所有晶體管電流為0。

2、過壓保護模塊OVP

很好理解，輸入電壓太高時，通過開關管來關斷輸出，避免損壞，通過比較器可以設置一個保護點。

3、過溫保護模塊OTP

溫度保護是為了防止芯片異常高溫損壞，原理比較簡單，利用晶體管的溫度特性然后通過比較器設置保護點來關斷輸出。

4、過流保護模塊OCP

在譬如輸出短路的情況下，通過檢測輸出電流來反饋控制輸出管的狀態(tài)，可以關斷或者限流。如圖的電流采樣，利用晶體管的電流和面積成正比來采樣，一般采樣管Q2的面積會是輸出管面積的千分之一，然后通過電壓比較器來控制MOS管的驅動。

還有一些其他輔助模塊設計。