如今，5G商用進(jìn)程不斷提速，加之前段時(shí)間高層多次點(diǎn)名”新基建”，5G基站建設(shè)或?qū)⒂瓉?lái)高峰，這些訊號(hào)將會(huì)給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)哪些利好？作為全球知名半導(dǎo)體廠商，羅姆（ROHM）在5G方面的戰(zhàn)略布局是怎樣的？5G之下，羅姆將如何乘勢(shì)而為？

據(jù)了解，羅姆針對(duì)無(wú)線基站推出了多款解決方案，包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC轉(zhuǎn)換器等，助力電信運(yùn)營(yíng)商及設(shè)備生產(chǎn)商更好地完成4G到5G的平穩(wěn)升級(jí)。

<針對(duì)UPS供電的電源IC>

羅姆針對(duì)UPS供電方式，提供外置FET的升降壓開關(guān)控制器“BD9035AEFV-C”、1ch同步降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD9B304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的輸入電壓范圍為3.8V~30V，開關(guān)頻率在100kHz~600kHz，能夠在-40℃~+125℃工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)轉(zhuǎn)。這些優(yōu)質(zhì)特性讓其不僅能夠用于基站建設(shè)，還能夠應(yīng)用于汽車設(shè)備、工業(yè)設(shè)備和其他電子設(shè)備。

BD9F800MUX輸入電壓范圍為4.5V~28V，開關(guān)頻率在300kHz或600kHz，最大輸出電流為8.0A，封裝尺寸為3.5mm×3.5mm×0.6mm。在基站建設(shè)方面，可用于DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源。此外，也可用于液晶電視、DVD /藍(lán)光播放器、錄像機(jī)、機(jī)頂盒等消費(fèi)電子設(shè)備。

BD9B304QWZ的主要優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)高效率實(shí)現(xiàn)低功耗工作。Deep-SLLM控制（升級(jí)版低負(fù)荷高效率模式）可實(shí)現(xiàn)80%以上的效率。同時(shí)，BD9B304QWZ是內(nèi)置MOSFET的同步整流器，無(wú)需外部FET和二極管，節(jié)省安裝空間，實(shí)現(xiàn)了低成本。

基于上述各自的優(yōu)點(diǎn)，BD9B304QWZ和BD9F800MUX雖然特性各不相同，但是應(yīng)用范圍基本相同，可用于基站建設(shè)中DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源，也可用于液晶電視、DVD /藍(lán)光播放器、錄像機(jī)、機(jī)頂盒等消費(fèi)電子設(shè)備。

<針對(duì)HVDC供電的電源IC>

針對(duì)HVDC供電方式，羅姆提供80V/3A DC/DC 轉(zhuǎn)換器“BD9G341AEFJ-LB”等產(chǎn)品。

BD9G341AEFJ-LB內(nèi)置80V/3.5A/150mΩ的Nch功率MOSFET，采用電流模式控制，實(shí)現(xiàn)了高速瞬態(tài)響應(yīng)和簡(jiǎn)便的相位補(bǔ)償設(shè)定。除了內(nèi)置過(guò)流保護(hù)、欠壓鎖定、過(guò)熱保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)等這些基本保護(hù)功能外，還能實(shí)現(xiàn)了0μA待機(jī)電流和軟啟動(dòng)。相比一般產(chǎn)品，BD9G341AEFJ-LB實(shí)現(xiàn)了諸多方面的突破，包括更高的工作電壓、更大的工作電流和更小的封裝尺寸等。在300kHz、Vo=5V、VCC=24V的工作條件下，當(dāng)輸出電流在0~100mA范圍時(shí)，BD9G341AEFJ-LB相較于一般產(chǎn)品在能效上提高了8%-17.6%。

為了滿足未來(lái)包括基站電源在內(nèi)的龐大的市場(chǎng)需求，羅姆將在DC/DC轉(zhuǎn)換器方面繼續(xù)開發(fā)相關(guān)產(chǎn)品。

<為5G基站帶來(lái)革新的SiC功率元器件>

當(dāng)然，除了供電方式發(fā)生變化，5G基站建設(shè)對(duì)器件材料變革也有推動(dòng)作用。由于高頻、高溫、抗輻射以及大功率等挑戰(zhàn)，以SiC功率元器件為首的高性能半導(dǎo)體材料將在5G建設(shè)上有重要應(yīng)用。為了幫助客戶更好地應(yīng)對(duì)5G基站建設(shè)過(guò)程中的上述挑戰(zhàn)，羅姆已經(jīng)推出第三代碳化硅材料的肖特基勢(shì)壘二極管（SiC-SBD）。相較于第二代產(chǎn)品，第三代擁有更好的正向電壓（VF）特性和更好的反向電流（IR）特性。

得益于羅姆第三代SiC-SBD更好的VF和IR特性，客戶在設(shè)計(jì)產(chǎn)品的過(guò)程中可以采用更低的開啟電壓，在正向切為反向時(shí)，為了降低功耗，器件將產(chǎn)生更小的瞬態(tài)電流。但是，因?yàn)镾iC-SBD的瞬態(tài)電流本質(zhì)上不隨正向電流變化，恢復(fù)時(shí)產(chǎn)生的恢復(fù)電流很小，降低了系統(tǒng)噪聲。

相比一般產(chǎn)品，第三代 650V SiC-SBD表現(xiàn)出更好的產(chǎn)品性能，包括實(shí)現(xiàn)更高的IFSM，更低的漏電流，以及進(jìn)一步降低VF等。

目前，羅姆在650V SiC-SBD方面擁有豐富的產(chǎn)品組合。

面對(duì)5G基站建設(shè)多樣化的需求和復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境所帶來(lái)的挑戰(zhàn)，羅姆將持續(xù)保證所供應(yīng)電源器件的穩(wěn)定性和耐久性，助力運(yùn)營(yíng)商和設(shè)備廠商完成高速穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)覆蓋。
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