近兩年，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實現(xiàn)從0到1的突破。

今年，基于長江存儲64層3DNAND的SSD陸續(xù)上市，基于合肥長鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條也開始量產(chǎn)，有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，事實上紫光也已于今年3月在各電商平臺上架了采用自主存儲顆粒的內(nèi)存條，存儲顆粒由旗下紫光國芯提供。

圖：基于合肥長鑫DDR4芯片的光威奕Pro系列內(nèi)存條

光威奕Pro系列和紫光DDR4-2400內(nèi)存條的量產(chǎn)上市，對于國產(chǎn)DRAM芯片的發(fā)展具有重要的推動意義，可以預(yù)見，未來將會有越來越多采用國產(chǎn)DRAM芯片的內(nèi)存條逐步量產(chǎn)。與此同時，長鑫、紫光等國內(nèi)DRAM廠商還在不斷推進(jìn)新技術(shù)和工廠建設(shè)。

長鑫、紫光等DRAM廠商持續(xù)推進(jìn)技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)能建設(shè)

雖然國內(nèi)DRAM廠商近年來進(jìn)展顯著，然而與國際巨頭相比還是存在極大差距，國內(nèi)DRAM廠商還將繼續(xù)在技術(shù)、產(chǎn)能等各個方面進(jìn)行不斷投入。

合肥長鑫

長鑫存儲目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)，是規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的中國大陸DRAM設(shè)計制造一體化企業(yè)。

2019年9月20日，合肥長鑫宣布正式量產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前公司官網(wǎng)已對外供應(yīng)DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。就如上文所言，目前基于長鑫DDR4芯片的國產(chǎn)內(nèi)存條已經(jīng)量產(chǎn)。

接下來，合肥長鑫將推進(jìn)LPDDR5，工藝升級到17nm以下。

安徽省日前發(fā)布文件表示，要求推進(jìn)低功耗高速率LPDDR5DRAM產(chǎn)品開發(fā)。合肥長鑫將作為重點企業(yè)來研發(fā)LPDDR5的內(nèi)存產(chǎn)品，LPDDR5是目前用在手機(jī)、平板電腦等移動設(shè)備上的最先進(jìn)的內(nèi)存芯片，目前僅有鎂光和三星能夠生產(chǎn)。

官方為其指定的計劃時間是2-3年，但實際上長鑫早已開始研發(fā)下一代DDR4/LPDDR4/DDR5/LPDDR5內(nèi)存等工藝技術(shù)，預(yù)計實際完成時間會比指定時間更短。

產(chǎn)能方面，長鑫內(nèi)存項目共有三期，第一期投資約為72億美元，預(yù)計產(chǎn)能為12.5萬片晶圓/月，約占全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的10%。不過有消息稱，當(dāng)前產(chǎn)能只有2萬片晶圓/月，預(yù)計今年底擴(kuò)展到4萬片晶圓/月，達(dá)到全球內(nèi)存芯片產(chǎn)能的3%。

紫光集團(tuán)

如上文所述，紫光于3月在各電商平臺上架基于自主DRAM芯片的內(nèi)存條，紫光國微曾表示，DRAM存儲器芯片為公司下屬子公司西安紫光國芯的產(chǎn)品，其DDR4及移動用的LPDDR4目前均已經(jīng)量產(chǎn)銷售。

西安紫光國芯前身為西安華芯半導(dǎo)體有限公司，是在原奇夢達(dá)科技（西安）有限公司2009年5月改制重建的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。

2009年，浪潮集團(tuán)收購原德國奇夢達(dá)科技（西安）有限公司，進(jìn)行改制重建并更名為西安華芯半導(dǎo)體有限公司。2015年，紫光集團(tuán)旗下紫光國芯股份有限公司收購西安華芯半導(dǎo)體有限公司并更名為西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司。

不過紫光國微沒有內(nèi)存生產(chǎn)能力，產(chǎn)能無法保證，業(yè)界人士認(rèn)為，這也是紫光在重慶建設(shè)DRAM工廠的價值所在。

2019年6月份紫光集團(tuán)宣布組建DRAM存事業(yè)部，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO，正式進(jìn)軍內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)。

2019年8月，紫光集團(tuán)和重慶市政府簽署合作協(xié)議，于重慶設(shè)置DRAM總部研發(fā)中心和12英寸DRAM芯片廠等，原先預(yù)期去年底動工，2021年量產(chǎn)。

然而隨著疫情爆發(fā)，投資計劃因此延后。紫光集團(tuán)2020年6月表示，計劃今年底前啟動DRAM重慶廠的建設(shè)工程，預(yù)計2022年實現(xiàn)量產(chǎn)。

紫光集團(tuán)的重慶工廠主要生產(chǎn)用于智能手機(jī)及其他設(shè)備的DRAM芯片。消息人士表示，紫光計劃10年內(nèi)投資人民幣8000億元于DRAM業(yè)務(wù)。

東芯半導(dǎo)體

除了長鑫和紫光，東芯半導(dǎo)體也在推進(jìn)DRAM技術(shù)研發(fā)，東芯半導(dǎo)體的DRAM產(chǎn)品，包括DDR3和LowPowerDRAM。東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊對電子發(fā)燒友表示，目前公司也開始下一代低功耗DRAM的產(chǎn)品研發(fā)，相信我們的LPD4x的產(chǎn)品將會面世。

東芯半導(dǎo)體作為Fabless芯片企業(yè)，聚焦中小容量NAND、NOR內(nèi)存芯片的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售，是目前國內(nèi)可以同時提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。

三星、美光等國際巨頭不斷推進(jìn)DRAM新產(chǎn)品、新工藝發(fā)展

目前在全球DRAM市場上，三星、SK海力士、美光三大廠商占據(jù)95%以上份額。根據(jù)集邦咨詢預(yù)測，2020年，MobileDRAM在智能手機(jī)中有15%左右的成，這三家大廠2020年DRAM的出貨也將增長。

三星

三星率先將芯片制造中最先進(jìn)的EUV工藝用到了DRAM內(nèi)存顆粒的生產(chǎn)中。

2020年3月25日，三星宣布已經(jīng)出貨100萬第一代10nmEUV級（D1x）DDR4DRAM模組，并完成全球客戶評估，這將為今后高端PC、手機(jī)、企業(yè)級服務(wù)器等應(yīng)用領(lǐng)域開啟新大門。

三星表示，將從第四代10nm級（D1a）DRAM或高端級14nm級DRAM開始全面導(dǎo)入EUV，明年基于D1a大規(guī)模量產(chǎn)DDR5和LPDDR5內(nèi)存芯片，預(yù)計會使12英寸晶圓的生產(chǎn)率翻倍。

三星量產(chǎn)的第一代EUVDDR5DRAM單芯片容量為16Gb（2GB），地點是平澤市的V2線。根據(jù)三星此前的預(yù)判，EUV將幫助公司至少推進(jìn)到3nm尺度。

在高性能方面，三星推出第三代高帶寬存儲器HBM2EFlashbolt，該產(chǎn)品通過在緩沖芯片頂部垂直堆疊8層1y16GB的DRAM裸片，通過TSV進(jìn)行精準(zhǔn)排列和互聯(lián)，實現(xiàn)容量為前代產(chǎn)品的2倍，性能和電源效率得到顯著提高，主要用于高性能計算機(jī)系統(tǒng)、AI數(shù)據(jù)分析和最新圖形系統(tǒng)。

美光

2019年8月，美光大規(guī)模量產(chǎn)1Znm16GBDDR4DRAM，與上一代相比，性能提高85%，內(nèi)存密度提高一倍，下一代技術(shù)分別為1α、1β和1γnm，更加逼近10nm的物理極限。

美光基于1Znm的LPDDR4是移動業(yè)務(wù)產(chǎn)品中增速最快的，2020年將提高1Znm產(chǎn)品占比，美光位于臺灣DRAM的廠區(qū)預(yù)計2021年可投產(chǎn)。

目前美光LPDDR58GBDRAM已經(jīng)開始供貨小米10。電子發(fā)燒友此前報道過，現(xiàn)在美光已經(jīng)在主要手機(jī)制造商獲得了8GB和12GBLPDDR5的合格認(rèn)證，美光12GBLPDDR5應(yīng)用在摩托羅拉最新Edge+旗艦手機(jī)中。

2020年上半年，美光還將通過基于UFS的多芯片封裝(uMCP5)，把LPDDR5內(nèi)存應(yīng)用于中高端智能手機(jī)。

不過2020年智能手機(jī)還是以LPDDR4為主流，占比達(dá)到78%，LPDDR5的份額在逐步成長中，今年LPDDR5占比將增加至11.9%。

在高性能DRAM方面，美光在最新財報說明會中宣布第二代高帶寬存儲器(HBM2)即將開始出貨，主要用于高性能顯卡、服務(wù)器處理器等高端處理器。

SK海力士

2019年3月，SK海力士最先進(jìn)的產(chǎn)品為第三代10nm級（1Z）DRAM，1ZDRAM產(chǎn)品比上一代1Y生產(chǎn)效率提高27%。

目前SK海力士正在新工廠內(nèi)建置EUV，預(yù)計下半年完工，并評估導(dǎo)入EUV量產(chǎn)1a納米級DRAM時間。在CES2020上，SK海力士推出64GBDDR5RDIMM內(nèi)存模組。

在高性能DRAM方面，2019年8月，SK海力士宣布成功研發(fā)HBM2E芯片，通過TSV技術(shù)可以實現(xiàn)8個16GB芯片的垂直堆疊，形成密度為16GB的單封裝芯片。HBM2E支持帶寬達(dá)到每秒460GB，比HBM2芯片帶寬提高50%，容量提高100%。

三星和SK海力士是目前高帶寬存儲器的主要玩家。

總結(jié)

根據(jù)評測，基于長鑫顆粒的弈系列ProDDR43000Mhz8GB內(nèi)存性能表現(xiàn)良好，完全可以滿足普通消費者的需求，而且在價格上更具優(yōu)勢。雖然目前DRAM在技術(shù)、產(chǎn)能上還有國際巨頭存在一定差距，可以預(yù)見，未來隨著國產(chǎn)內(nèi)存將會越來越多的獲得市場認(rèn)可，國產(chǎn)DRAM芯片的技術(shù)也將會在市場實踐的基礎(chǔ)上，獲得更快速度的提升。