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FinFET是一種新的互補式金氧半導體晶體管

lhl545545 ? 來源:IEEE電氣電子工程師學會 ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2020-06-16 14:34 ? 次閱讀
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近日,IEEE Life Fellow(IEEE終身會士)Chenming Hu教授榮獲今年的 IEEE 榮譽獎章,以表彰他在半導體模型開發(fā)和應用方面做出的杰出貢獻,特別是發(fā)明了使摩爾定律得以延續(xù)數(shù)十年的 3D 結構器件(FinFETs)。

IEEE獎勵委員會(AB)管理的職責是管理由IEEE頒發(fā)的最高獎章,獎勵,認可的活動。通過獎勵計劃,IEEE表彰其會員在IEEE領域內(nèi)所做的推動社會福利的貢獻。通過這種方法,提高組織,會員和行業(yè)的形象和威信。近一個世紀以來,IEEE獎勵計劃影響的技術,社會和工程的發(fā)展。提名一名同事也成為IEEE最負盛名的榮譽之一。IEEE獎牌,獎項及榮譽由一些世界領先的企業(yè),基金會和個人贊助,以支持IEEE感興趣的領域。

IEEE獎勵計劃分為三種類型:IEEE Medals(獎章), Technical Field Awards(技術領域獎勵), Recognitions (認可)。其中,IEEE獎章是最高層次,而IEEE Medal of Honor(榮譽勛章)又是獎章中的最高榮譽,IEEE獎章包含重要而廣泛的IEEE領域。

Chenming Hu在晶體管模型和新型晶體管結構方面的開創(chuàng)性成就,使半導體器件的規(guī)模不斷擴大,從而能夠生產(chǎn)更小、更強大、成本更高的半導體器件。

FinFET 是一種新的互補式金氧半導體晶體管,F(xiàn)inFET 命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長,F(xiàn)inFET 閘長已可小于 25 納米,未來預期可以進一步縮小至 9 納米,約是人類頭發(fā)寬度的 1 萬分之 1。由于在這種導體技術上的突破,未來芯片設計人員可望能夠?qū)⒊売嬎銠C設計成只有指甲般大小。

Chenming Hu是IEEE的終身會士,2014年美國國家技術與創(chuàng)新獎章獲得者,是美國加州大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系的TSMC杰出退休教授。
責任編輯:pj

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