引言

本發(fā)明專利技術(shù)核心特點(diǎn)：

① 晶片兩電極焊盤設(shè)在兩對角園缺側(cè)壁上，焊盤間距和面積大；② 多層結(jié)構(gòu)，降低同層晶片之間間距。

本文概述了本發(fā)明核心技術(shù)要點(diǎn)，介紹和分析了P 0.45和P 0.9 RGB顯示屏，以及P 0.4背光的技術(shù)方案。采用現(xiàn)有成熟的技術(shù)方法和設(shè)備，就可實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

技術(shù)概述

小間距，mini/miro LED的技術(shù)障礙來自：

① LED晶片尺寸太?。姌O焊盤間距太小、面積太?。?；② 隔壁鄰居太近（間距太?。?。千萬上億個(gè)焊盤的焊連，良品率（成本）。

1. 本發(fā)明專利技術(shù)核心特征

（A）晶片兩電極焊盤設(shè)在兩對角園缺側(cè)壁上。

設(shè)有晶片承載片，陣列地開有數(shù)多晶片嵌口，LED晶片嵌入晶片嵌口中。晶片嵌口兩對應(yīng)的對角側(cè)壁上設(shè)置有連線焊盤，采用焊錫膏焊連兩電極。

（B）多層晶片承載片結(jié)構(gòu)。

上圖（橫截面視圖）示出有三層，那么每層的晶片密度只有三分之一，晶片之間的距離加大，該三層分別是，R層、G層和B層，構(gòu)成全彩顯示屏。

2. 技術(shù)優(yōu)勢分析說明：

（A）兩電極焊盤設(shè)在兩對角園缺側(cè)壁上，（1）晶片上的兩電極焊盤間距最大可能加大；（2）利用側(cè)壁加大了電極焊盤的面積，有利于焊接。

LED晶片嵌在晶片嵌口中，采用焊錫焊連兩電極，（1）無金線，（2）兩電極容易牢靠焊連，（3）易修補(bǔ)缺陷晶片和焊點(diǎn)（如右圖所示），因而，100%的良品率容易實(shí)現(xiàn)。

（B）多層晶片承載片結(jié)構(gòu)，晶片承載片設(shè)有薄膜晶體管（FTF），（1）晶片之間的距離加大，避免了相鄰晶片的電極焊連線之間的干涉，有利于減小像素間距，（2）焊有LED晶片的承載片（以后稱之為LED單層片）就是一獨(dú)立的膜片（可設(shè)計(jì)成與其他的片沒有關(guān)聯(lián)），可單獨(dú)通電測試和修補(bǔ)，合格后再與其他的LED單層片貼合一體，實(shí)現(xiàn)100%的良品。

P 0.45 RGB LED全彩屏設(shè)計(jì)方案

1. 0.2x0.2 LED晶片

0.2x0.2是一常規(guī)LED晶片，不同只是對角園缺，電極焊盤設(shè)在該兩園缺側(cè)壁上。激光打孔，孔壁金屬化都是常規(guī)技術(shù)。

2. 晶片承載片

晶片承載片的厚度與LED晶片的一致（0.1mm）。晶片嵌口采用激光開孔、孔壁金屬化、柔性材料、薄膜晶體管（TFT），這都是常規(guī)技術(shù)。

3. 晶片嵌入晶片嵌口（打晶）

晶片嵌口的尺寸0.26x0.26，晶片與晶片嵌口之間四周有0.03的間隙，即打晶的精度誤差在±0.03即可，這是屬于常規(guī)精度。

4. 電極焊盤錫膏焊接

采用絲網(wǎng)印刷或噴墨式噴涂錫膏，錫膏涂敷的面積盡可能大，利用液態(tài)錫的表面張力，凝聚滲入兩焊盤之間的縫隙，因而錫膏的定位允許誤差加大，以上設(shè)計(jì)，錫膏的定位允許誤差±0.1mm，屬于常規(guī)的技術(shù)要求。

涂敷超量錫膏，采用吹氣或吸錫滾輪去除多余的焊錫，更易確保焊接，降低精度要求。

以上方案所涉及到的設(shè)備、技術(shù)、工藝制程等都是現(xiàn)有常規(guī)的。

5. RGB三層拼合

第一層（層一）的外延層朝后，類似于所謂的倒裝，層二、層三的朝前。圖中示出，RGB三層的晶片前后之間部分層疊。

P 0.45的RGB LED 全彩屏，采用常規(guī)設(shè)備、技術(shù)、工藝制程等，就可實(shí)現(xiàn)。

拼合之前，每個(gè)單層都已經(jīng)經(jīng)過測試、缺陷修復(fù)工序，因而，100%良品率，輕易可得。

P0.4背光設(shè)計(jì)方案

LED晶片規(guī)格同樣采用0.2x0.2。

晶片嵌口的尺寸0.28x0.28，晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，即打晶的精度誤差在±0.04即可，精度要求降低了。

只需兩層LED單層盤（晶片承載片），層一的外延層朝后，層二朝前。熒光層可采用絲印或貼熒光膜片方式設(shè)置。

拼合之前，每個(gè)單層都已經(jīng)經(jīng)過測試、缺陷修復(fù)工序，因而100%良品率輕易可得。

P0.9 RGB LED全彩屏設(shè)計(jì)方案

LED晶片規(guī)格同樣采用0.2x0.2，RGB三晶片在同一層，即只采有一片晶片承載片，三個(gè)晶片有一共用連線焊盤。

晶片與晶片嵌口之間四周有0.04的間隙，打晶的精度誤差在±0.04即可，常規(guī)技術(shù)。

晶片承載片沒有設(shè)置TFT，設(shè)有驅(qū)動(dòng)PCB板，晶片承載片設(shè)有外連焊盤，驅(qū)動(dòng)PCB板上有對應(yīng)的焊盤相連，Φ0.2直徑的焊盤，可允許上下兩焊盤錯(cuò)位誤差0.1mm，常規(guī)技術(shù)。

在與驅(qū)動(dòng)PCB板焊合之前，焊好晶片的晶片承載片已經(jīng)完成測試、缺陷修復(fù)工序，因而，100%的良品率。

后序及聲明

P 0.45 的RGB LED 全彩顯示屏完全可以滿足4K大屏電視機(jī)的需求，依據(jù)本發(fā)明專利技術(shù)方案設(shè)計(jì)，采用現(xiàn)常規(guī)技術(shù)和設(shè)備，就可實(shí)現(xiàn)100%良品率，有效低成本成本造價(jià)，解決由于價(jià)格影響市場的難題。數(shù)千億級的大市場將被引爆。

以上展示的屬于mini LED，本發(fā)明專利同樣可大大地降低大間距LED顯示屏造價(jià)，同樣將顛覆大間距LED顯示屏工藝制程。

本發(fā)明專利將促進(jìn)LED顯示和背光、面板行業(yè)發(fā)展步入一新時(shí)代，受益最大的是，當(dāng)今產(chǎn)能嚴(yán)重過剩的LED外延晶片工廠。

在此，特別聲明，以上展示的LED晶片結(jié)構(gòu)，在本發(fā)明專利（發(fā)明專利號：ZL20101055508.6，十年前）的保護(hù)范圍內(nèi)，必須得到許可，方可使用。