有人使用STM32L476芯片開發(fā)產(chǎn)品，他想在內(nèi)部FLASH空間特定位置寫些數(shù)據(jù)，發(fā)現(xiàn)總是失敗，并補(bǔ)充說之前使用STM32F1系列、STM32L1系列卻沒有類似問題。

其實，針對STM32L4的內(nèi)部FLASH編程，跟STM32F1/L1系列是不同的，其中STM32F1的內(nèi)部FLASH編程僅支持半字編程，STM32L1的內(nèi)部FLASH編程主要支持字編程或半頁編程。而STM32L4系列的內(nèi)部FLASH編程所支持的則是64位雙字編程或以32個雙字為單位的快速行編程。

對于少量的零星數(shù)據(jù)編程自然會選擇64位雙字編程模式，即每次改寫Flash內(nèi)容必須以64位為單位。硬件還針對這64位數(shù)據(jù)做了8位的ECC，我們用戶看不到而已。下面簡單介紹下64位雙字編程過程。

在基于64位雙字編程時，如果只是就字節(jié)或半字進(jìn)行編程則會產(chǎn)生錯誤；或者盡管使用雙字編程卻沒有遵循雙字地址對齊【8字節(jié)對齊】時也會產(chǎn)生錯誤。

這里我使用ARM MDK V2.9開發(fā)環(huán)境，借助于STM32L476_NUCELO開發(fā)板演示一下對內(nèi)部FLASH某個位置寫幾個64位數(shù)據(jù)的實現(xiàn)過程【寫之前相關(guān)區(qū)域已經(jīng)被擦除過了】。

我通過IDE將內(nèi)部FLASH最后的0x1000地址空間預(yù)留出來用于填寫些數(shù)據(jù)，即我將內(nèi)部FLASH分成2塊，將最后的0x1000的FLASH空間劃了出來。如下圖所示：【這里的芯片是STM32L476RGT6，下面只演示寫三個64位數(shù)據(jù)?！?/p>

我將特定數(shù)據(jù)區(qū)定義在內(nèi)部FLASH空間0x80ff000開始的地方。

#define Address_Const (0x80FF000)

另外還定義了一個64位地址指針和一個64位數(shù)據(jù)數(shù)組。

相關(guān)執(zhí)行參考代碼如下:

代碼是基于STM32Cube庫來組織的，連續(xù)寫了三個64位的數(shù)據(jù)到指定的FLASH空間。其中主要涉及到一個FLASH編程函數(shù)HAL_FLASH_Program(),它有三個變量，分別是編程模式，待編程的FLASH地址以及用于編程的數(shù)據(jù)。

代碼比較簡單，對欲編程的地址做檢查確認(rèn)，然后進(jìn)行FLASH編程開鎖，清除可能存在的各種掛起狀態(tài)標(biāo)志，進(jìn)行雙字編程，之后對FLASH寄存器訪問進(jìn)行上鎖。

現(xiàn)在基于上面的代碼看看運行結(jié)果：

我們可以看到在指定的FLASH地址空間寫三個64位數(shù)據(jù)。

在上面介紹64位雙字編程規(guī)則時，可能有人會問，如果我遵循了8字節(jié)地址對齊，待寫的數(shù)據(jù)也不是字節(jié)或半字，而是一個字會怎么樣呢？那你也得湊成2個字來寫，方能完成一次寫操作。

比方基于上面測試代碼，僅僅將每次待寫的數(shù)據(jù)改為32位字，最后結(jié)果便是高位字被填0了。就像下面這樣：

好，關(guān)于STM32L4系列內(nèi)部FLASH雙字編程模式就介紹到這里。整個過程應(yīng)該說不難，只要注意到各個細(xì)節(jié)就好。

趁此再拋磚引玉似地做些提醒：STM32系列眾多，各個系列的內(nèi)部FLASH編程模式以及頁或扇區(qū)的容量規(guī)劃、地址安排往往各有差異，在FLASH編程時千萬別跟著慣性或感覺走。還有，不同的編程模式往往對芯片的電源電壓有不同的要求，這點也要特別特別特別注意。