近日，晶訊聚震科技有限公司（簡(jiǎn)稱：晶訊）在珠海正式發(fā)布了其自主研制的B41全頻段FBAR濾波器及B40濾波器。據(jù)《5G對(duì)手機(jī)射頻前端模組和連接性的影響-2019版》報(bào)告預(yù)測(cè)，移動(dòng)設(shè)備及WiFi連接部分整體射頻前端市場(chǎng)規(guī)模將從2017年150億美元增長(zhǎng)到2023年350億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到14%。其中作為射頻前端最大市場(chǎng)的濾波器從2017-2023年將增長(zhǎng)3倍左右，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到19%。而目前射頻濾波器芯片市場(chǎng)主要被Broadcom、Skyworks、Qorvo、村田等美日國(guó)際巨頭壟斷，國(guó)內(nèi)自給率較低。

據(jù)晶訊介紹，本次推出的FBAR濾波器獨(dú)創(chuàng)的單晶摻雜壓電材料和單晶薄膜電極技術(shù)，可重新定義FBAR諧振器和濾波器性能，同時(shí)創(chuàng)新性發(fā)明一種全新的低成本晶圓級(jí)Bump-on-Via WLP封裝技術(shù)。采用上述技術(shù)設(shè)計(jì)生產(chǎn)的SC-FBAR濾波器在支持高功率的同時(shí)可以縮小封裝尺寸，擁有行業(yè)最薄的WLP封裝、大帶寬、高帶外抑制以及低插損等優(yōu)異性能。B41、B40濾波器均不需要額外的外部匹配。

此外，晶訊透露將于2020年Q3發(fā)布高性能5G n79濾波器、n77+n79同向雙工器及一款低成本高性能的B3雙工器；于2020年Q4發(fā)布B1+B3四工器。

晶訊成立于2017年，由行業(yè)領(lǐng)軍人卓爾先生（Dror Hurvits）在珠海創(chuàng)立，是國(guó)內(nèi)唯一一家擁有多項(xiàng)美國(guó)專利的高性能FBAR濾波器IDM制造商。晶訊已經(jīng)獲得9項(xiàng)美國(guó)發(fā)明專利授權(quán)，另有19項(xiàng)美國(guó)及中國(guó)專利申請(qǐng)正在審批中；其專利池涵蓋濾波器設(shè)計(jì)、諧振器結(jié)構(gòu)、封裝方法及生產(chǎn)制造等環(huán)節(jié)；在未來的18個(gè)月內(nèi)，晶訊專利數(shù)量將增加一倍。5G時(shí)代，晶訊可為手機(jī)、模組、智能終端及小型基站客戶提供世界級(jí)的高性能SC-FBAR濾波器、雙工器和多工器。

晶訊Dror Hurwitz的FBAR濾波器發(fā)明專利

據(jù)悉，晶訊在天津用于研發(fā)及生產(chǎn)的先進(jìn)制程中心，是全球唯一擁有外延摻雜壓電薄膜和電極薄膜能力的半導(dǎo)體工廠，具備出色的量產(chǎn)Trimming能力。晶訊目前6寸晶圓產(chǎn)能可達(dá)到1500片/月，并將于2020年下半年擴(kuò)展至5000片/月。

值得注意的是，在國(guó)產(chǎn)替代大背景下，國(guó)內(nèi)射頻前端芯片廠商也迎來良好的發(fā)展時(shí)機(jī)。據(jù)晶訊介紹，持續(xù)的創(chuàng)新及知識(shí)產(chǎn)權(quán)積累讓晶訊突破了美國(guó)和日本公司對(duì)于BAW/FBAR濾波器的專利和技術(shù)壟斷，也獲得了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司、產(chǎn)業(yè)基金和上市公司的投資。

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