(FTL,磨損均衡,糾錯等),存在讀寫干擾問題。
結(jié)構(gòu)演進:
平面 NAND:傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu),工藝微縮遇到瓶頸。
3D NAND:將存儲單元垂直堆疊(幾十
發(fā)表于 06-24 09:09
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道,據(jù)韓媒報道,三星近日與長江存儲簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議,從第10代V-NAND開始,將使用
發(fā)表于 02-27 01:56
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我是3D打印設(shè)備的制造商,我想具體了解下3D打印中XPR技術(shù)對于打印效果的影響?
或者是否能提供對應(yīng)的專利信息以備查閱
發(fā)表于 02-18 07:59
代表性的新科技之一。這種新興技術(shù)能夠大大縮短從概念到成品的時間周期,還能顯著提高手板打樣的機動性和生產(chǎn)成本,使得產(chǎn)品開發(fā)過程變得愈發(fā)高效便捷。
近數(shù)年,3D打印技術(shù)在全球的應(yīng)用范圍不斷擴大。據(jù)統(tǒng)計
發(fā)表于 12-26 14:43
說到UVLED光固化3D打印技術(shù),那可是當下3D打印領(lǐng)域的一股清流??!這項技術(shù)利用紫外線和光固化樹脂來制造3D打印模型,原理簡單又高效。UV
發(fā)表于 12-24 13:13
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芯片行業(yè)正在努力在未來幾年內(nèi)將?3D NAND?閃存的堆棧高度提高四倍,從 200 層增加到 800 層或更多,利用額外的容量將有助于滿足對各種類型內(nèi)存的無休止需求。 這些額外的
發(fā)表于 12-19 11:00
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技術(shù)方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術(shù)為主,
發(fā)表于 12-17 17:34
近日,中國領(lǐng)先的存儲芯片制造商長江存儲針對市場上流傳的“借殼上市”傳聞,正式發(fā)表了澄清聲明。 有媒體報道稱,長江存儲
發(fā)表于 12-10 11:12
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傳統(tǒng)平面NAND閃存技術(shù)的擴展性已達到極限。為了解決這一問題,3D-NAND閃存技術(shù)應(yīng)運而生,通過在垂直方向上堆疊存儲單元,大幅提升了
發(fā)表于 11-06 18:09
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3D打印技術(shù)的基本原理是斷層掃描的逆過程。斷層掃描是把某個東西“切”成無數(shù)疊加的片,3D 打印則是通過連續(xù)的物理層疊加,逐層增加材料來生成三維實體技
發(fā)表于 10-09 09:54
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面對國際環(huán)境的變化,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強大的韌性與決心。自2022年美國實施對華先進半導(dǎo)體設(shè)備出口限制,并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長江存儲納入實體清單以來,
發(fā)表于 09-24 14:40
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9月20日最新資訊指出,長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的雙重挑戰(zhàn),展現(xiàn)出了強大的自主創(chuàng)新能力,成功引入國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備以部分替代原有美系設(shè)備,實現(xiàn)了供應(yīng)鏈的自立自強。
發(fā)表于 09-20 14:17
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里程碑式的技術(shù)突破,不僅鞏固了泛林集團在3D NAND閃存蝕刻領(lǐng)域的霸主地位,更為全球存儲技術(shù)的未來發(fā)展鋪設(shè)了堅實的基石。
發(fā)表于 08-05 09:31
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半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)泛林集團(Lam Research)近日震撼發(fā)布其專為3D NAND Flash存儲器制造設(shè)計的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)——Lam Cryo 3.0。據(jù)泛林集團全球產(chǎn)品
發(fā)表于 08-02 15:53
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知名存儲品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術(shù)的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已然問世,并已批量上市,成為全球業(yè)內(nèi)首家成功跨越此歷史性階段的制造商。該產(chǎn)品所采用的
發(fā)表于 07-31 17:11
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