（文章來(lái)源：智東西）
據(jù)IEEE透露，最近荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)（Eindhoven University of Technolog）的研究人員發(fā)現(xiàn)了一種可轉(zhuǎn)換的光學(xué)材料——?dú)浠蔷Ч?，能夠加快光?a href="http://www.socialnewsupdate.com/v/tag/123/" target="_blank">集成電路的研發(fā)和生產(chǎn)。

這項(xiàng)研究項(xiàng)目的負(fù)責(zé)人Oded Raz表示，這是第一個(gè)可編程的光子電路，研發(fā)人員可以對(duì)光子材料本身進(jìn)行編程和重新設(shè)置，并且它不需要任何電力還保持自身的編程狀態(tài)。在研究人員們看來(lái)，基于新型可編程材料的可重編程光子電路，將在一定程度上幫助工程師加速開(kāi)發(fā)光子器件。電子集成電路（IC）是如今許多新技術(shù)發(fā)展和成熟的關(guān)鍵之一。但還有一種叫光子集成電路（PIC）的半導(dǎo)體技術(shù)，它是一種基于晶態(tài)半導(dǎo)體晶圓，集成有源和無(wú)源光子電路，以及單個(gè)微芯片上的電子元件，具有低能耗和高運(yùn)行速度等性能優(yōu)勢(shì)。

但不足的是，目前PIC的制造方法存在大量的可變性，因此許多生產(chǎn)出來(lái)的光子器件與實(shí)際所需的規(guī)格有著輕微偏差，從而也限制了產(chǎn)量。而解決該問(wèn)題的一個(gè)潛在方法，是開(kāi)發(fā)可重新配置或可編程的PIC，以幫助補(bǔ)償制造過(guò)程中產(chǎn)生的任何細(xì)微變化。

據(jù)了解，可重構(gòu)PIC的關(guān)鍵組成部分是一種光學(xué)材料，這種材料的折射率可以在兩種或以上的狀態(tài)之間調(diào)整。然而，長(zhǎng)期以來(lái)研究人員考察的許多可切換的光學(xué)材料，需要持續(xù)加熱，這意味著它們需要一個(gè)恒定的電源和復(fù)雜系統(tǒng)來(lái)控制這些熱量，并且切換時(shí)，其他材料的信號(hào)損耗會(huì)進(jìn)一步降低性能。埃因霍芬理工大學(xué)的研究人員表示，他們發(fā)現(xiàn)的可轉(zhuǎn)換光學(xué)材料，能夠避免制造過(guò)程中可變性，以及切換性能損耗等不足。

具體地說(shuō)，這種材料名叫氫化非晶硅，目前主要用于薄膜硅太陽(yáng)能電池。研究人員在一個(gè)被稱(chēng)為“Staebler-Wronski效應(yīng)”的研究中發(fā)現(xiàn)，光或熱會(huì)改變氫化非晶硅的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，但當(dāng)它在黑暗中緩慢冷卻后，可以恢復(fù)一部分光學(xué)性質(zhì)。其實(shí)這一效應(yīng)在薄膜硅太陽(yáng)能電池中是不可取的，但研究人員們推斷，可重構(gòu)PIC也許可以利用這個(gè)特點(diǎn)來(lái)彌補(bǔ)切換過(guò)程中的性能損耗。

為了驗(yàn)證推斷，研究人員們將一層薄薄的氫化非晶硅，在近紅外激光中浸泡了100小時(shí)以上，然后將它放置在黑暗中緩慢冷卻4個(gè)小時(shí)。在這一過(guò)程中他們發(fā)現(xiàn)，近紅外激光可以使材料的折射率增加0.3%，同時(shí)冷卻可以將折射率降低0.3%，實(shí)現(xiàn)逆轉(zhuǎn)。同時(shí)，這一變化產(chǎn)生的原因是由于光和熱導(dǎo)致的材料體積膨脹。

緊接著，研究人員利用氫化非晶硅的微觀環(huán)（microscopic rings），開(kāi)發(fā)了可重新配置的光學(xué)開(kāi)關(guān)。他們發(fā)現(xiàn)，光學(xué)開(kāi)關(guān)能夠可逆地改變這些器件的折射率，而不增加光學(xué)損耗。此外，在氫化非晶硅獨(dú)立膜的實(shí)驗(yàn)中，研究人員還發(fā)現(xiàn)這些程序化狀態(tài)具有長(zhǎng)期穩(wěn)定性，每種狀態(tài)可至少持續(xù)一個(gè)月。Oded Raz談到，目前行業(yè)中有人認(rèn)為0.3%的折射率變化非常小，光靠這一點(diǎn)無(wú)法解決光子器件的所有問(wèn)題。

但他指出，上世紀(jì)80年代有很多關(guān)于如何逆轉(zhuǎn)Staebler-Wronski效應(yīng)的研究?！拔覀兛梢阅嫦蚶盟嘘P(guān)于如何減小效應(yīng)的見(jiàn)解，進(jìn)一步放大這些效應(yīng)，并作出更快的響應(yīng)?！監(jiān)ded Raz說(shuō)。此外，未來(lái)像非晶硅鍺或非晶硅碳等類(lèi)似的材料，可能會(huì)有研究表明它們比氫化非晶硅更擅長(zhǎng)進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。

在Oded Raz看來(lái)，如果未來(lái)的研究能夠增強(qiáng)轉(zhuǎn)換效應(yīng)的強(qiáng)度，那么PIC的產(chǎn)量也將得到顯著提高。他認(rèn)為，以前的基本光子元件良率可能在10%到20%之間，而可編程光學(xué)材料可將良率提高到50%至80%。與此同時(shí)，產(chǎn)量的提高可反過(guò)來(lái)減少光子器件的生產(chǎn)制作時(shí)間。目前PIC從概念到制造這一過(guò)程，可能需要6至9個(gè)月的時(shí)間，并且由于制造過(guò)程存在的可變性，最終產(chǎn)品有可能無(wú)法達(dá)到研究人員期望的效果。

“這導(dǎo)致研究人員不不得不重復(fù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)和制造?！監(jiān)ded Raz談到，有了可編程材料，就能大大縮短PIC原型制作的時(shí)間。此外，Oded Raz還提到，在理想情況下，可編程光學(xué)材料可以生產(chǎn)FPGA的光子版本，這可能有助于將原型開(kāi)發(fā)時(shí)間從一年縮短到大約10小時(shí)或兩周。
（責(zé)任編輯：fqj）