持久存儲(chǔ)市場中出現(xiàn)了一個(gè)新的參與者，這要?dú)w功于Kioxia（以前是東芝）和西部數(shù)據(jù)，并且可能會(huì)促使英特爾和三星改進(jìn)其自己的解決方案。英特爾Optane技術(shù)目前領(lǐng)先，到目前為止三星的Z-NAND還沒能撼動(dòng)局面，但Kioxia和西部數(shù)據(jù)著手創(chuàng)造一種替代方案XL-FLASH，可以滿足企業(yè)客戶和數(shù)據(jù)中心不斷增長的存儲(chǔ)需求。

本質(zhì)上，XL-FLASH與Optane類似，它位于內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)圖中的NAND和RAM之間，將這兩種技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起，從而在成本和性能之間取得平衡。這可以用于高速緩存和純存儲(chǔ)設(shè)備，但XL-FLASH的一個(gè)更重要的特點(diǎn)是，它的設(shè)計(jì)與英特爾和AMD平臺(tái)都兼容。

與基于閃存的存儲(chǔ)相比，Optane的價(jià)格有點(diǎn)太昂貴了，三星的Z-NAND也是如此，后者實(shí)際上只是低延遲的SLC NAND存儲(chǔ)，與Optane相比，它提供了更好的耐用性，電源效率，順序性能和游戲負(fù)載性能。兩者仍然比基于NAND的解決方案貴幾倍。

這也是Kioxia和西部數(shù)據(jù)在設(shè)計(jì)XL-FLASH時(shí)考慮的一個(gè)領(lǐng)域。這兩家公司使用BiCS FLASH 3D閃存作為新技術(shù)的起點(diǎn)，這意味著與Optane和DRAM相比，它們能夠?qū)崿F(xiàn)相對較低的成本。它們將存儲(chǔ)單元堆疊在16個(gè)平面上可獲得更高的密度，而簡化的結(jié)構(gòu)可使讀取延遲約為5微秒，編程延遲約為7微秒。

Kioxia和西部數(shù)據(jù)希望首先將XL-FLASH用作其高密度QLC NANDSSD的SLC緩存，但他們也正在探索制造MLC版本的新存儲(chǔ)技術(shù)以及DIMM解決方案。最終我們可以購買的用于游戲和工作站PC的消費(fèi)級XL-FLASH固態(tài)硬盤。