大家都知道，光刻機(jī)是芯片制造過(guò)程當(dāng)中一個(gè)重要的環(huán)節(jié)，光刻機(jī)直接決定著芯片的質(zhì)量。而我國(guó)作為全球最大的芯片消費(fèi)國(guó)之一，每年進(jìn)口的芯片都達(dá)到幾萬(wàn)億人民幣。

但是作為世界上芯片消費(fèi)大國(guó)，我在芯片制造方面卻并沒(méi)有拿得出手的一些技術(shù)或者企業(yè)，而我國(guó)在芯片制造方面之所以跟一些發(fā)達(dá)國(guó)家有較大的差距，這里面最主要的一個(gè)原因就是光刻機(jī)的限制。

雖然最近十幾年我國(guó)一直在致力于研究光刻機(jī)，但是取得的成果并不是很明顯，目前我國(guó)光刻機(jī)最高技術(shù)也就上海微電子所生產(chǎn)的90nm光刻機(jī)。除此之外，目前合肥芯碩半導(dǎo)體公司也具備量產(chǎn)200nm光刻機(jī)的實(shí)力，無(wú)錫影幻半導(dǎo)體公司也具備200nm光刻機(jī)量產(chǎn)的實(shí)力。

但是目前這些國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)企業(yè)跟asml、尼康等具備28nm以上工藝光刻機(jī)的企業(yè)相比，差距還是比較大的，尤其是跟asml7nmEUV的差距更大。

表面上看，90nm跟28nm或者是7nm從數(shù)字上來(lái)看差距不是很大，但實(shí)際上這里面是千差萬(wàn)別的，光刻機(jī)每上一個(gè)臺(tái)階技術(shù)難度就會(huì)大大增加，可能從90nm升級(jí)到65nm并不難，但是從65nm升級(jí)到45nm，就是一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)了，45nm的光刻機(jī)技術(shù)明顯要比90nm和65nm難很多，至于28nm、14nm和7nm，甚至未來(lái)有可能出現(xiàn)的3nm，那難度就更大了，也正因?yàn)槿绱?，我?guó)的光刻機(jī)的研發(fā)進(jìn)度一直都比較緩慢。

畢竟光刻機(jī)的制造研發(fā)并不是某一個(gè)企業(yè)能夠單獨(dú)完成的，這里面涉及的技術(shù)非常復(fù)雜，需要很多頂尖的企業(yè)相互配合才可以完成，比如荷蘭asml作為目前全球最頂尖的光刻機(jī)制造商，是全球唯一能夠生產(chǎn)出7nm光刻機(jī)的企業(yè)，但是asml也需要美國(guó)企業(yè)提供光源設(shè)備，需要德國(guó)蔡司提供光學(xué)設(shè)備，此外還有來(lái)自英特爾，臺(tái)積電，三星，海力士等眾多芯片巨頭的資金支持還有技術(shù)支持。

而目前制造高端光刻機(jī)所需要的一些零部件外國(guó)都是對(duì)我國(guó)進(jìn)行技術(shù)封鎖的，我國(guó)又并不具備單獨(dú)生產(chǎn)這些高端零部件的實(shí)力，這也是為什么我國(guó)光刻機(jī)長(zhǎng)期停滯在90mm，很難有突破的重要原因。

好在天無(wú)絕人之路，任何困難都阻擋不了中國(guó)實(shí)現(xiàn)芯片獨(dú)立自主的夢(mèng)想，經(jīng)過(guò)多年的研發(fā)和積累之后，最近幾年我國(guó)光刻機(jī)的研發(fā)成果取得了比較喜人的成績(jī)。

比如2018年8月份，清華大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出了雙工作臺(tái)光刻機(jī)，這使得我國(guó)成為全球第二個(gè)具備開(kāi)發(fā)雙工作臺(tái)光刻機(jī)的國(guó)家。這種雙工作臺(tái)光刻機(jī)的研發(fā)難度是非常大的，失敗的風(fēng)險(xiǎn)非常高，之前有很多國(guó)家都曾經(jīng)做過(guò)試驗(yàn)，但基本上都半途而廢了。

再比如2018年11月，由中國(guó)科學(xué)院光電技術(shù)研究所所承擔(dān)的國(guó)家重大科研裝備研制項(xiàng)目“超分辨光刻裝備研制”通過(guò)驗(yàn)收，該裝備采用365nm波長(zhǎng)的紫外光單次成像，實(shí)現(xiàn)了22納米的分辨率，結(jié)合雙重曝光技術(shù)后，未來(lái)還有可能用于制造10nm級(jí)別的芯片，這為我國(guó)芯片加工提供了全新的解決途徑。

到了2019年之后，我國(guó)的芯片研發(fā)又向前推進(jìn)了一步，2019年4月，武漢光電國(guó)家技術(shù)研究中心甘棕松團(tuán)隊(duì)采用二束激光在自主研發(fā)的光刻膠上突破了光束衍射極限，采用遠(yuǎn)場(chǎng)光學(xué)的辦法，成功刻出9nm線寬的線段，實(shí)現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新，這個(gè)技術(shù)突破讓我國(guó)打破了三維納米制造的國(guó)外技術(shù)壟斷，在這個(gè)全新的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，我國(guó)從材料、軟件到光機(jī)電零部件都不再受制于人，使得我國(guó)的光刻機(jī)技術(shù)又向前邁進(jìn)了一步。

總之，在光刻機(jī)制造領(lǐng)域，雖然我國(guó)跟asml等頂尖企業(yè)還有很大的差距，但是我們也看到目前我國(guó)的光刻機(jī)研發(fā)進(jìn)步是非常明顯的，未來(lái)我國(guó)光刻機(jī)跟國(guó)際的差距會(huì)逐漸縮小，甚至有可能會(huì)達(dá)到世界先進(jìn)水平。