的優(yōu)點在于容量可以做得很大,超過 512MB 容量的 NAND 產(chǎn)品相當普遍, NAND 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。
特點
性能
f
發(fā)表于 07-03 14:33
風向標,中國移動全閃存儲集采以嚴苛測試聞名業(yè)內,覆蓋功能、性能、可靠性及功耗等核心指標。曙光存儲集中式全閃FlashNexus通過全部考核,在高并發(fā)負載穩(wěn)定性、跨數(shù)據(jù)中心雙活等核心能力達到
發(fā)表于 05-26 15:39
?487次閱讀
3D閃存有著更大容量、更低成本和更高性能的優(yōu)勢,本文介紹了3D閃存的制造工藝與挑戰(zhàn)。
發(fā)表于 04-08 14:38
?1047次閱讀
兩家公司預展第十代3D閃存技術,為性能、能效和位密度設立新標準舊金山,國際固態(tài)電路會議(ISSCC)——鎧俠株式會社與閃迪公司聯(lián)合發(fā)布一項尖端3D
發(fā)表于 02-25 11:31
?500次閱讀
NAND閃存和高帶寬存儲器(HBM)的特性,能更好地滿足AI推理的需求。 ? HBF的堆疊設計類似于HBM,通過硅通孔(TSVs)將多個高性能閃存
發(fā)表于 02-19 00:51
?2829次閱讀
NAND閃存介質為主的一種存儲產(chǎn)品,應用于筆記本電腦、臺式電腦、移動終端、服務器和數(shù)據(jù)中心等場合.
NAND
發(fā)表于 01-15 18:15
Mini SSD在小巧機身中實現(xiàn)了卓越的性能表現(xiàn)。產(chǎn)品支持PCIe 4.0×2接口與NVMe 1.4協(xié)議,采用3D TLC NAND介質,讀
發(fā)表于 01-09 11:37
?411次閱讀
智能手機、平板電腦、筆記本電腦和其他電子設備中都有應用。 1. 定義和歷史 NAND閃存 是一種非易失性存儲技術,它允許數(shù)據(jù)在斷電后仍然被保留。NAND
發(fā)表于 12-25 09:37
?3329次閱讀
技術方案。
三、NAND Flash分類
NAND閃存卡的主要分類以NAND閃存顆粒的技術為主,
發(fā)表于 12-17 17:34
傳統(tǒng)平面NAND閃存技術的擴展性已達到極限。為了解決這一問題,3D-NAND閃存技術應運而生,通過在垂直方向上堆疊
發(fā)表于 11-06 18:09
?2409次閱讀
面對國際環(huán)境的變化,中國半導體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強大的韌性與決心。自2022年美國實施對華先進半導體設備出口限制,并將3D NAND Flash領軍企業(yè)長江
發(fā)表于 09-24 14:40
?1264次閱讀
9月20日最新資訊指出,長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的雙重挑戰(zhàn),展現(xiàn)出了強大的自主創(chuàng)新能力,成功引入國產(chǎn)半導體設備以部分替代原有美系設備,實現(xiàn)了供應鏈的自立自強。
發(fā)表于 09-20 14:17
?2972次閱讀
全球知名的創(chuàng)新NAND閃存解決方案巨頭Solidigm,近期隆重推出了兩款專為現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心設計的旗艦級固態(tài)存儲硬盤(SSD)——Solidigm D
發(fā)表于 08-16 17:31
?1327次閱讀
NAND閃存,又稱之為“NAND Flash”,是一種基于Flash存儲技術的非易失性閃存芯片。下面將從
發(fā)表于 08-10 15:57
?8564次閱讀
知名存儲品牌美光近日正式宣布,搭載其研發(fā)的第九代(G9)3D TLC NAND閃存技術的固態(tài)硬盤產(chǎn)品
發(fā)表于 07-31 17:11
?1104次閱讀
評論