(文章來源:電腦據(jù)點(diǎn))
用過U盤的同學(xué)應(yīng)該對(duì)U盤不陌生,有時(shí)候U盤老是壞,特別是做PE維護(hù)工具的同學(xué),U盤應(yīng)該壞了很多次了,如此先了解一下U盤、固態(tài)硬盤的芯片顆粒;閃存芯片分為三類:SLC、MLC、TLC。
我們的U盤、硬盤閃存內(nèi)的一般都是SLC、MLC、TLC三種芯片顆粒,在買U盤、固態(tài)硬盤的時(shí)候就要多注意了,盡量在自己經(jīng)濟(jì)能力范圍內(nèi)買一個(gè)相對(duì)較好;
三種芯片顆粒的差別與SLC相比較,MLC生產(chǎn)成本較低,容量大。如果經(jīng)過改進(jìn),MLC的讀寫性能應(yīng)該還可以進(jìn)一步提升。MLC架構(gòu)有許多缺點(diǎn),首先是使用壽命較短,SLC架構(gòu)可以寫入10萬次,而MLC架構(gòu)只能承受約1萬次的寫入。其次就是存取速度慢,在當(dāng)前技術(shù)條件下,MLC芯片理論速度只能達(dá)到6MB左右。SLC架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上。再者,MLC能耗比SLC高,在相同使用條件下比SLC要多15%左右的電流消耗。
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約MLC 3倍以上的價(jià)格),約10萬次擦寫壽命;MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般壽命一般,價(jià)格一般,約3000---10000次擦寫壽命;TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash廠家叫8LC,速度慢壽命短,價(jià)格便宜,約500次擦寫壽命,當(dāng)前還沒有廠家能做到1000次。;需要說明的閃存的壽命指的是寫入(擦寫)的次數(shù),不是讀出的次數(shù),因?yàn)樽x取對(duì)芯片的壽命影響不大;
SLC、MLC、TLC三代閃存的壽命差異:SLC 利用正、負(fù)兩種電荷 一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)1個(gè)bit的信息,約10萬次擦寫壽命。MLC 利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)2個(gè)bit的信息,約一萬次擦寫壽命,SLC-MLC【容量大了一倍,壽命縮短為1/10】。TLC 利用不同電位的電荷,一個(gè)浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)3個(gè)bit的信息,約500-1000次擦寫壽命,MLC-TLC【容量大了1/2倍,壽命縮短為1/20】。
(責(zé)任編輯:fqj)
-
閃存
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1844瀏覽量
115946 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
38文章
7648瀏覽量
167292
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
什么是Flash閃存以及STM32使用NAND Flash
CMOS,Bipolar,F(xiàn)ET這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)是什么?
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定義與比較
示波器的三種觸發(fā)模式

【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash的一些小知識(shí)
單片機(jī)語音芯片中的SPI Flash探秘及其分類詳解
三星MLC NAND閃存或面臨停產(chǎn)傳聞
MLC NAND產(chǎn)能或遭削減?三星否認(rèn)停產(chǎn)傳聞
LED芯片:三種核心結(jié)構(gòu)解析

存儲(chǔ)芯片的PSLC的工作原理

LSM6DSV16X基于MLC智能筆動(dòng)作識(shí)別(2)----MLC數(shù)據(jù)采集

評(píng)論