近日,中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼:688012)宣布其
發(fā)表于 06-27 14:05
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半導體BOE(Buffered Oxide Etchant,緩沖氧化物蝕刻液)刻蝕技術(shù)是半導體制造中用于去除晶圓表面氧化層的關(guān)鍵工藝,尤其在微結(jié)構(gòu)加工、硅基發(fā)光器件制作及氮化硅/二氧化硅刻蝕
發(fā)表于 04-28 17:17
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刻蝕工藝的核心機理與重要性 刻蝕工藝是半導體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),與光刻機和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導體
發(fā)表于 04-27 10:42
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——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜,再到測試封裝,一目了然。 全書共分20章,根據(jù)應(yīng)用于半導體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié),包括與半導體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息;總體流程圖
發(fā)表于 04-15 13:52
在SEMICON China 2025展會期間,中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微
發(fā)表于 03-28 09:21
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近日,中微半導體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼“688012.SH”)
發(fā)表于 03-27 15:46
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等方面,可以觀察到中國大陸市場需求強勁,半導體設(shè)備行業(yè)國產(chǎn)化進程有明顯變化。 中微公司:刻蝕核心業(yè)務(wù)穩(wěn)固發(fā)展,薄膜
發(fā)表于 01-16 11:32
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半導體濕法刻蝕過程中殘留物的形成,其背后的機制涵蓋了化學反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護等多個層面,下面是對這些機制的深入剖析: 化學反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與
發(fā)表于 01-08 16:57
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半導體濕法刻蝕殘留物的原理涉及化學反應(yīng)、表面反應(yīng)、側(cè)壁保護等多個方面。 以下是對半導體濕法刻蝕殘留物原理的詳細闡述: 化學反應(yīng) 刻蝕劑與材料
發(fā)表于 01-02 13:49
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什么是刻蝕?刻蝕是指通過物理或化學方法對材料進行選擇性的去除,從而實現(xiàn)設(shè)計的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導體制造及微納加工工藝中相當重要的步
發(fā)表于 12-20 16:03
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前言
作為一名電子專業(yè)的學生,半導體存儲顯然是繞不過去的一個坎,今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識。
這里十分感謝深圳雷龍發(fā)展有限公司為博主提供的兩片CS創(chuàng)世SD NAND
發(fā)表于 12-17 17:34
其實在半導體濕法刻蝕整個設(shè)備中有一個比較重要部件,或許你是專業(yè)的,第一反應(yīng)就是它。沒錯,加熱器!但是也有不少剛?cè)胄?,或者了解不深的人好奇?b class='flag-5'>半導體濕法
發(fā)表于 12-13 14:00
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面對國際環(huán)境的變化,中國半導體產(chǎn)業(yè)展現(xiàn)出強大的韌性與決心。自2022年美國實施對華先進半導體設(shè)備出口限制,并將3D NAND Flash領(lǐng)軍企業(yè)長江
發(fā)表于 09-24 14:40
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9月20日最新資訊指出,長江存儲面對美國出口禁令及被列入實體清單的雙重挑戰(zhàn),展現(xiàn)出了強大的自主創(chuàng)新能力,成功引入國產(chǎn)半導體設(shè)備以部分替代原有
發(fā)表于 09-20 14:17
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半導體存儲器,又稱為半導體內(nèi)存,是一種基于半導體技術(shù)制造的電子器件,用于讀取和存儲數(shù)字信息。這種存儲
發(fā)表于 08-10 16:40
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