存儲(chǔ)芯片在電子產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著非常重要的角色，主要分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND Flash和NOR Flash，內(nèi)存主要為DRAM。2019年，由于市場(chǎng)低迷及產(chǎn)能過(guò)剩，存儲(chǔ)芯片價(jià)格一路走跌，2019年底稍有回暖跡象。

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片在剛剛過(guò)去的2019年成長(zhǎng)顯著，兆易創(chuàng)新受益于TWS業(yè)績(jī)一路攀升，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層256 Gb 3D NAND量產(chǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)10納米級(jí)8Gb DDR4宣布投產(chǎn)等等。

隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備等市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2020年NOR、NAND和DRAM 將會(huì)迎來(lái)不同幅度的需求增長(zhǎng)以及價(jià)格上浮。在市場(chǎng)需求推動(dòng)和自身力量積蓄下，2020年國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片有望迎來(lái)新拐點(diǎn)。

2020年兆易創(chuàng)新等NOR Flash廠(chǎng)商業(yè)績(jī)持續(xù)看好

目前，全球市場(chǎng)占有率排名靠前的有華邦、旺宏、兆易創(chuàng)新、賽普拉斯、美光。其中國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商兆易創(chuàng)新2019年表現(xiàn)異常突出，市占排名一路攀升，到目前位列第三，占全球份額的18.3%，排名第一的華邦占26.2%，第二的旺宏占23.3%，預(yù)計(jì)未來(lái)兆易創(chuàng)新的市占排名還會(huì)進(jìn)一步上升。

兆易創(chuàng)新成立于2005年，是國(guó)產(chǎn)領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司，其2019半年報(bào)顯示，公司NOR Flash 產(chǎn)品，累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò) 100 億顆。受惠于打入國(guó)際領(lǐng)先TWS品牌的供應(yīng)鏈，公司業(yè)績(jī)持續(xù)呈現(xiàn)大幅上揚(yáng)走勢(shì)，第三季的NOR Flash業(yè)績(jī)較第二季再度成長(zhǎng)36%，創(chuàng)下連續(xù)兩個(gè)季度營(yíng)收成長(zhǎng)超過(guò)35%的成績(jī)，同時(shí)也創(chuàng)下單季NOR Flash達(dá)到1億美元。

在剛剛過(guò)去的2019年，兆易創(chuàng)新海推出全新小封裝尺寸系列產(chǎn)品，是業(yè)界首款采用 1.5mm×1.5mm USON8 最小封裝，支持 1.65V 至 3.6V 的低功耗寬電壓產(chǎn)品，以及全線(xiàn)產(chǎn)品支持 WLCSP 封裝，為物聯(lián)網(wǎng)、穿戴式、消費(fèi)類(lèi)及健康監(jiān)測(cè)等對(duì)電池壽命和緊湊型尺寸要求嚴(yán)苛的應(yīng)用提供了優(yōu)異的選擇。

在芯片制程工藝方面，目前公司 NOR Flash 產(chǎn)品工藝處于行業(yè)內(nèi)主流技術(shù)水平，工藝節(jié)點(diǎn)為65nm。隨著很多可穿戴產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)終端小型化發(fā)展，對(duì)其中的芯片面積、元器件尺寸要求非常嚴(yán)，兆易創(chuàng)新大容量55nm制程芯片開(kāi)發(fā)進(jìn)展比較順利， 預(yù)期2020年一季度起有望上量。

國(guó)內(nèi)NOR Flash廠(chǎng)商武漢新芯也在加快產(chǎn)品更新。近期，公司推出了基于50nm Floating Gate工藝的SPI NOR Flash產(chǎn)品系列XM25QWxxC。該XM25QWxxC系列產(chǎn)品的讀速在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)可達(dá)108MHz（在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持），在電源電壓下降后，時(shí)鐘速度沒(méi)有任何減慢。該系列產(chǎn)品支持SOP8和USON8封裝，支持客戶(hù)開(kāi)發(fā)小尺寸的產(chǎn)品。產(chǎn)品適用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備和其它功耗敏感應(yīng)用中。

武漢新芯自主品牌市場(chǎng)銷(xiāo)售負(fù)責(zé)人馬珮玲此前表示，NOR Flash相對(duì)來(lái)說(shuō)是一個(gè)比較成熟的市場(chǎng)，目前公司的NOR Flash產(chǎn)品容量覆蓋4Mbit到256Mbit，現(xiàn)在也正在加速研發(fā)，后續(xù)會(huì)有大容量的NOR Flash推出，以滿(mǎn)足5G基站市場(chǎng)的迅猛需求。據(jù)業(yè)界人士透露，武漢新芯的NOR Flash也應(yīng)用于TWS耳機(jī)上。

NOR Flash在經(jīng)過(guò)2018年的低谷后，2019年市場(chǎng)快速回溫，整個(gè)NOR Flash市場(chǎng)行情正在反彈，漲價(jià)趨勢(shì)較為明顯。預(yù)計(jì)2020年NOR將面臨率先漲價(jià)。其推動(dòng)力主要來(lái)自于TWS耳機(jī)銷(xiāo)售強(qiáng)勁、OLED屏幕滲透加速。

TWS耳機(jī)在低端市場(chǎng)價(jià)格進(jìn)入100元以?xún)?nèi)，銷(xiāo)量快速滲透，致使Nor Flash供應(yīng)偏緊。此外，在高端安卓及蘋(píng)果市場(chǎng)，降噪功能的加入使得單機(jī)Nor容量翻倍，單機(jī)價(jià)值量大幅上升。IDC預(yù)計(jì)2019年TWS放量增長(zhǎng)150%達(dá)1.1億對(duì)，2020年將會(huì)達(dá)1.5億對(duì)。

同時(shí)，AMOLED和TDDI在智能手機(jī)滲透率逐步提高，也推動(dòng)NOR Flash的需求增長(zhǎng)。2019年手機(jī)端AMOLED出貨量5.8億顆，2020年預(yù)計(jì)達(dá)6.92億顆。TDDI-COF在全面屏的解決方案越來(lái)越受歡迎，2019年出貨量達(dá)6.1億顆，預(yù)計(jì)2020年達(dá)7億顆。

事實(shí)上，不僅僅是TWS耳機(jī)和OLED屏幕，物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代所有主動(dòng)連接式的端設(shè)備實(shí)際上都需要 NOR Flash，需要運(yùn)行代碼，這個(gè)需求非常大，實(shí)際上整個(gè) NOR Flash 市場(chǎng)規(guī)模正在增長(zhǎng)。只要物聯(lián)網(wǎng)趨勢(shì)往前發(fā)展，這樣的需求就存在，而現(xiàn)在萬(wàn)物互聯(lián)還只是剛剛開(kāi)頭。

5G商用帶來(lái)巨大需求，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND量產(chǎn)趕上好時(shí)機(jī)

SSD和移動(dòng)終端為NAND Flash需求主要來(lái)源。根據(jù)DRAMexchange，2019年NAND Flash銷(xiāo)售額461億美元，同比下滑27.1%，預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)將回暖，銷(xiāo)售額將達(dá)550億左右。

5G時(shí)代，巨量數(shù)據(jù)將產(chǎn)生巨大的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。根據(jù)IDC預(yù)測(cè)，到2025年，全球數(shù)據(jù)圈將擴(kuò)展至163ZB (1ZB等于1萬(wàn)億GB)，相當(dāng)于2018年的六倍。預(yù)估2019年產(chǎn)生35ZB數(shù)據(jù)，其中約58%來(lái)自于HDD，30%來(lái)自于閃存，主要是 NAND Flash，從目前NAND Flash出貨容量來(lái)看，存在巨大成長(zhǎng)空間。

目前來(lái)看，NAND 市場(chǎng)占有率主要集中在三星、鎧俠（東芝）、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、SK海力士等廠(chǎng)商手上。其中三星占33.0%，鎧俠（東芝）占18.8%，西部數(shù)據(jù)占13.8%，美光占12.9%，英特爾占10.9%，SK海力士占9.7%。

從技術(shù)來(lái)看，隨著5G及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的發(fā)展，數(shù)據(jù)正呈現(xiàn)出爆炸式的增長(zhǎng)，由此對(duì)于存儲(chǔ)的需求也是越來(lái)越大，各大存儲(chǔ)廠(chǎng)商也是在不斷的研發(fā)更大容量的3D NAND。

據(jù)了解，三星已于2019年6月份推出128層256Gb 3D TLC NAND，8月份批量生產(chǎn)250GB SATA SSD，并現(xiàn)已可量產(chǎn)128層512Gb TLC 3D NAND。鎧俠/西部數(shù)據(jù)、美光等也將在2020年推進(jìn)128層3D NAND技術(shù)發(fā)展，英特爾甚至將在2020年推出144層QLC NAND。

國(guó)產(chǎn)廠(chǎng)商NAND技術(shù)與國(guó)際廠(chǎng)商還存在差距，不過(guò)2019年8月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存芯片首次公開(kāi)展出。隨后，公司在官方微信宣布，已經(jīng)量產(chǎn)64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

這對(duì)于國(guó)產(chǎn)NAND來(lái)說(shuō)具有里程碑意義，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND宣布量產(chǎn)，國(guó)內(nèi)在NAND技術(shù)上正式開(kāi)啟追趕態(tài)勢(shì)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。而Xtacking架構(gòu)是長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2019年8月推出的全新3D NAND架構(gòu)，通過(guò)此架構(gòu)引入批量生產(chǎn)，可以顯著提升產(chǎn)品性能、縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期。

據(jù)悉，2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存開(kāi)始逐步提升產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2020年底可望將產(chǎn)能提升到月產(chǎn)6萬(wàn)片晶圓的規(guī)模。此外，公司也將在2020年生產(chǎn)128層堆棧3D閃存。屆時(shí)隨著128層3D NAND投入生產(chǎn)，國(guó)內(nèi)在NAND上與國(guó)際廠(chǎng)商的差距將會(huì)再次縮小。

2019年和2020年5G商用正式開(kāi)啟，大量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生推動(dòng)NAND需求增長(zhǎng)，這對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)來(lái)說(shuō)正是發(fā)力的好時(shí)機(jī)。

國(guó)產(chǎn)DRAM進(jìn)展顯著：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已投產(chǎn)、兆易創(chuàng)新2020流片，紫光集團(tuán)開(kāi)始布局

目前，全球DRAM市場(chǎng)壟斷明顯，三星、SK海力士、美光三家占據(jù)全球95%以上的市場(chǎng)份額，三星占45%，SK海力士占29.2%，美光占21.2%。中國(guó)是DRAM芯片的最大市場(chǎng)，但三星、SK海力士、美光卻占據(jù)主導(dǎo)地位，這也使得DRAM成為我國(guó)受外部制約最為嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，DRAM是我們急需突破的一個(gè)領(lǐng)域。

值得關(guān)注的是，2019年國(guó)內(nèi)DRAM廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新取得顯著進(jìn)展，紫光集團(tuán)也正式進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目2019年9月20日宣布投產(chǎn)，其與國(guó)際主流DRAM產(chǎn)品同步的10納米級(jí)第一代8Gb DDR4首度亮相。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目于2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺(tái)合肥產(chǎn)投與細(xì)分存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)領(lǐng)軍企業(yè)兆易創(chuàng)新共同出資組建，一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能每月12萬(wàn)片晶圓。

目前，該項(xiàng)目已通過(guò)層層評(píng)審，并獲得工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官朱一明表示，投產(chǎn)的8Gb DDR4已經(jīng)通過(guò)多個(gè)國(guó)內(nèi)外大客戶(hù)的驗(yàn)證，2019年底正式交付。

另外，兆易創(chuàng)新也于2019年12月27日透露，其首款DRAM芯片計(jì)劃于2020年展開(kāi)流片試樣，并將于2021年進(jìn)行封裝測(cè)試以及完成客戶(hù)驗(yàn)證，測(cè)試成功后進(jìn)行大批量產(chǎn)。除此之外，其多系列DRAM產(chǎn)品將在2025年之前陸續(xù)完成研發(fā)及量產(chǎn)。

兆易成長(zhǎng)由16年 NOR 到 17 年 NAND 到近兩年切入 DRAM，目前在 DRAM 技術(shù)及研發(fā)方面，公司已組建由數(shù)十名資深工程師組成的核心研發(fā)團(tuán)隊(duì)，涵蓋前端設(shè)計(jì)、后端產(chǎn)品測(cè)試與驗(yàn)證，該團(tuán)隊(duì)的核心技術(shù)帶頭人員從事 DRAM 芯片行業(yè)平均超過(guò)二十年，具備較強(qiáng)的技術(shù)及研發(fā)實(shí)力。

2019年9月30日，兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行A股股票預(yù)案，擬募集資金33.2億元用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。據(jù)介紹，募投項(xiàng)目主要為消費(fèi)型 DRAM 和移動(dòng)型 DRAM，下游應(yīng)用主要包括電視機(jī)頂盒、路由器、車(chē)載電子、工控、手機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)以及可穿戴設(shè)備等。與標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 相比，利基型 DRAM 以客制化為主，小眾市場(chǎng)，采用相對(duì)成熟的制程，以 DDR3/LPDDR3 為主，主流制程以 40+ nm、20+ nm 為主。

國(guó)盛證券表示，兆易創(chuàng)新作為合肥長(zhǎng)鑫 DRAM項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)運(yùn)營(yíng)方，未來(lái)有望深化 fabless+foundry合作模式。 長(zhǎng)鑫晶圓項(xiàng)目由合肥產(chǎn)投和兆易創(chuàng)新合作投資，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司負(fù)責(zé)管理和運(yùn)營(yíng)，是中國(guó)大陸唯一擁有完整技術(shù)、工藝和生產(chǎn)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)的 DRAM 項(xiàng)目。

除了長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)和兆易創(chuàng)新，紫光集團(tuán)于2019年6月30日正式宣布組建紫光集團(tuán)事業(yè)群，為此紫光集團(tuán)組建了DRAM事業(yè)群，由刁石京任事業(yè)群董事長(zhǎng)，高啟全為事業(yè)群CEO。紫光集團(tuán)此前一直以NAND Flash為存儲(chǔ)器重點(diǎn)發(fā)展方向，如今，DRAM事業(yè)群的組建意味著紫光集團(tuán)正式進(jìn)軍DRAM領(lǐng)域。

隨后，紫光迅速布局，并于8月27日與重慶市政府簽署了合作協(xié)議，將在重慶建設(shè)DRAM總部研發(fā)中心、紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠(chǎng)等。其中紫光重慶DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠(chǎng)主要專(zhuān)注于12英寸DRAM存儲(chǔ)芯片的制造，該工廠(chǎng)計(jì)劃于2019年底開(kāi)工建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年建成投產(chǎn)。

整體來(lái)看，2020年在5G、物聯(lián)網(wǎng)、智能設(shè)備等新興市場(chǎng)的推動(dòng)下，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)需求將迎來(lái)較大增長(zhǎng)，NOR、NAND、DRAM也會(huì)面臨一定幅度的價(jià)格上調(diào)，與此同時(shí)，相比以往小規(guī)模產(chǎn)能、研發(fā)為主的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)格局而言，2020年國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片有望迎來(lái)真正的量產(chǎn)階段，可見(jiàn)，不管是從外部市場(chǎng)還是內(nèi)部技術(shù)產(chǎn)能上，2020年都將是國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片的新拐點(diǎn)。