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存儲芯片市場產(chǎn)能擴充,明年晶圓產(chǎn)能大幅增加

汽車玩家 ? 來源:集微網(wǎng) ? 作者:Vivian ? 2019-12-25 11:25 ? 次閱讀
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近日,IC Insights發(fā)布了2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報告。

報告指出,通常IC行業(yè)通過增加晶圓產(chǎn)能來滿足其大部分需求,而不是通過增加每個晶圓上切分的數(shù)量。

數(shù)據(jù)顯示,從2000年到2019年,每片晶圓的優(yōu)質(zhì)IC出貨量平均每年僅增長0.9%。因此,在2000-2019年期間,IC的年平均增長量的約86%是通過增加晶圓產(chǎn)能來滿足,只有14%才歸因于每個晶圓上合格芯片數(shù)量的增加。

據(jù)悉,半導(dǎo)體市場在2017~2018年間出現(xiàn)過存儲芯片及部份邏輯芯片缺貨的情況,DRAM及NAND Flash價格大漲,存儲芯片廠因此大舉擴充產(chǎn)能以回應(yīng)市場的強勁需求。

不過,由于市場低迷以及產(chǎn)能的過剩,2019年全球晶圓廠平均產(chǎn)能利用率從2018年的94%下降至86%,2019年存儲芯片價格也一路走跌,因此,許多存儲芯片廠暫緩了產(chǎn)能擴充計劃。

但由于計劃僅被推遲而未被取消,且近期DRAM及NAND Flash市況回溫,部分存儲芯片廠重啟產(chǎn)能擴充計劃,預(yù)計2020年及2021年全球新增晶圓產(chǎn)能將大幅增加,進入高速擴張期。

預(yù)測數(shù)據(jù)顯示,2020年,每年可增加多達1790萬片晶圓(相當(dāng)于200毫米當(dāng)量),到2021年有望再增加2080萬個,創(chuàng)下歷史新高。

新增產(chǎn)能主要來自于韓國三星、SK海力士等,以及長江儲存、武漢新芯、華虹宏力等中國大陸半導(dǎo)體廠。

整體來看,在過去五年(2014-2019)間,年平均產(chǎn)能增長率僅為5.1%。而2019-2024年間,預(yù)計IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能的年增長率將略微提高至5.9%。

同時報告還指出,將有十家300mm晶圓廠預(yù)計于2020年開業(yè),其中兩家在中國。

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