（文章來源：機器之能）

眾所周知，手機芯片對于手機就像主機對于電腦一樣，十分重要。而在前段時間高通發(fā)布的合作伙伴中有很大一部分來自中國，像小米，OPPO，vivo等都是其重要的客戶。這在很大程度上表現(xiàn)出我國在手機芯片方面的弱勢地位。但是這也不意味著我國就沒有拿得出手的手機芯片，像華為和聯(lián)發(fā)科新推出的5G芯片天機1000就是一款能夠與高通驍龍對抗的手機芯片。

臺積電目前最先進的就是7nm+Euv工藝制程，他也是目前全球最領先的芯片制造技術，華為新款的麒麟990 5G芯片就是源自臺積電的技術，指甲蓋大小的芯片里面內置超100億個晶體管，華為首次將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，在技術上實現(xiàn)了巨大的突破，也成為國產芯片的一座里程碑。

在過去的三十年里，中國科技力量不斷發(fā)展，不斷進步，卻依舊與美國有著很大的差距，核心技術也被美企所壟斷，好在我們足夠努力，差距也正在一點點的縮小，正是如此，在這些年里我國也誕生了一些出色的芯片公司，就在這時，中科院傳來“好消息”，技術創(chuàng)新出現(xiàn)新突破，國芯的未來可期！

據了解中科院科學家研發(fā)出的新型垂直納米環(huán)柵晶體管技術，可以直接把我國芯片制造的技術提升到2nm以下，這項技術把國內芯片技術拉高了好幾個等級，彎道超車，闖入世界芯片制造的前列。這也意味著我國在芯片制造領域取得了重大的突破。

大家都知道，芯片集成度越高也就意味著制造的難度越大，臺積電擁有全球最先進的光刻機，可以實現(xiàn)7nm代工，但是目前有些技術方面還是被西方國家壟斷，先進的芯片制程技術還被臺積電和三星等外企所壟斷，還好中國在不斷的創(chuàng)新，不斷的突破，據中科院最新研究結果表明，我國已經實現(xiàn)了世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管，此項研究成果已經在權威雜志《IEEE Electron Device Letters》發(fā)表，并且獲得多項中、美發(fā)明專利的授權！

在此之前，Intel首發(fā)22nm FinFET工藝，后來全區(qū)開始有了22/16/14nmFinFET鰭式晶體管，如今已經進入到了最低3nm，三星也對外宣布用3nm節(jié)點改用GAA環(huán)繞柵極晶體管，所以對比下來中科院的這項研究成果意義重大，這種新型垂直納米環(huán)柵晶體管被視為2nm及以下工藝的主要技術候選，對我國芯片制造產業(yè)會有巨大的推動作用，國產芯片技術的“破冰”，也在一定程度上表現(xiàn)出我國在向世界頂級強國的路上越走越遠。

（責任編輯：fqj）