中國半導(dǎo)體業(yè)正進入一個新時期，在大基金等國有資金為主推動下，加上科創(chuàng)板的支持，產(chǎn)業(yè)正從全方位向前推進，其中實現(xiàn)更多的IC國產(chǎn)化是“命門”，顯然存儲器成為一個讓業(yè)界十分期待的目標。

據(jù)統(tǒng)計在中國境內(nèi)DRAM消耗約3，000億元及NAND閃存消耗約2，200億元。假設(shè)這個數(shù)量級是基本正確，它表示什么？

據(jù)權(quán)威市場公司W(wǎng)STS的秋季數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體市場4，687億美元，總存儲器的銷售額達1，580億美元，它預(yù)測2019年全球半導(dǎo)體市場下降12.1%，為4，090億美元，其中存儲器下降33%，為1，059億美元，那么中國消耗存儲器為5，200億元，折算成743億美元，即占2018年存儲器的47%及2019年的70%，它表示全球的存儲器近一半以上被中國市場消耗。

為了實現(xiàn)存儲器的國產(chǎn)化，國內(nèi)已經(jīng)啟動合肥長鑫及福建晉華的DRAM，以及武漢長江存儲的3D NAND閃存生產(chǎn)，另有紫光的南京、成都等都已做好上馬的準備。

按國內(nèi)網(wǎng)站報導(dǎo)，長江存儲已經(jīng)開發(fā)出32層3D NAND閃存，2019年底月產(chǎn)能達20，000片，計劃2020年開始64層3D NAND量產(chǎn)，月產(chǎn)能擴充至40，000片以上，到2023年時可能達到計劃64層月產(chǎn)能100，000片，或者它的原計劃300，000片。并在技術(shù)上進入128層256Gb的業(yè)界先進閃存產(chǎn)品行列。而合肥長鑫已經(jīng)開發(fā)出19納米的DRAM，月產(chǎn)能達20，000片，計劃2020年底月產(chǎn)能擴充至40，000片，到2023年時達到計劃月產(chǎn)能125，000片，技術(shù)上開始邁入17納米。并已有報道長鑫將再建兩個fab2和fab3。

中國已經(jīng)啟動存儲器的布局，充分體現(xiàn)國家的決心與實力，然而全球存儲器的格局是壟斷的，按學(xué)習(xí)曲線的規(guī)律，中國必須循序漸進，國內(nèi)業(yè)界曾提出初始目標要占全球市場份額的5%-10%。

5%-10%市場份額

從全球范圍觀察，在DRAM 領(lǐng)域，全球三大陣營的分布：三星市占率 46%、SK 海力士 29%、及美光 21%。而在NAND Flash 領(lǐng)域，全球六大陣營的分布：三星市占率 35%、東芝（更名為鎧俠） 18.2%、WD/SanDisk 占 13.8%、美光 13.7%、SK 海力士 10.2%、英特爾 8.6%。

各家存儲器的產(chǎn)能統(tǒng)計，由于渠道不一樣，只能提供估值，依2018年底計，如全球DRAM的月產(chǎn)能約為110萬片（12寸計），及NAND閃存約為150萬片，其中三星可能分別是500，000片及480，000片。

根據(jù)三星目前128層3D NAND技術(shù)發(fā)展，以及工廠進度規(guī)劃，預(yù)計2020上半年可能量產(chǎn)的是第六代128層V-NAND。SK海力士128層3D NAND也將在2020年進入投產(chǎn)階段。至2019年底，全球NAND閃存依92/96層計，三星占它的銷售額45%，東芝為50%，美光為35%及Hynix為25%。

當今的NAND Flash設(shè)計需要綜合考慮層數(shù)、存儲單元間距、單元厚度、功耗、整體性能、投資效益，還有量產(chǎn)的良率，及市場份額等諸多要素。

DRAM制程工藝進入20nm以后，由于制造難度越來越高，內(nèi)存芯片制造廠商對工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1xnm、1ynm、1znm，大體來講，1x-nm制程相當于16~19nm、1y-nm相當于14~16nm，而1z-nm則相當于12~14nm。業(yè)界也有討論在1znm之后的可能進展。

據(jù)IT之家2019-10月7日消息，三星宣布成功開發(fā)出業(yè)界首個12層3D-TSV（直通硅通孔）技術(shù)。這是業(yè)界首個將3D TSV封裝推進到12層的工藝，而此前最大僅為8層。

3D-TSV最多用在HBM顯存上，這種技術(shù)通過芯片內(nèi)部的打孔填充金屬導(dǎo)電材料實現(xiàn)多層芯片互聯(lián)，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12層DRAM封裝工藝需要在720微米厚的芯片上打超過60000個TSV孔，這些孔的尺寸僅為人頭發(fā)絲的二十分之一。

全球存儲器業(yè)總是周期性的起伏，也是對于存儲器制造商的考驗。據(jù)預(yù)測，其中33種IC產(chǎn)品類別中的26種將恢復(fù)增長，而增長前三類如下：2020年NAND Flash將增長19%，汽車電子13%及DRAM 12%。

5%-10%的市場份額，它表示中國存儲器業(yè)（包括DRAM，NAND，NOR，新興存儲器）的銷售額已經(jīng)總計達到50-100億美元以上，同時邁出中國半導(dǎo)體業(yè)中IDM產(chǎn)品的關(guān)鍵一步。

結(jié)語

由于中國存儲器廠商幾乎都是“新進者”，面臨的困難可能更多，尤其是美國的“長臂管轄清單”，它隨時可能改變，其影響如同對“晉華”一樣，不可小視。

在這樣的現(xiàn)實情況下，中國存儲器制造商既要提前做出“預(yù)案”，認真對待，不喪失信心，可能最妥善的策略是把目前的工作做得更加扎實與仔細。

技術(shù)上推進是關(guān)鍵，它是基礎(chǔ)，然而產(chǎn)能擴充的步伐要大膽加快，因為至少在下個下降周期中可能占到先機，它也是無法用完全市場化策略來解釋。

盡管初始目標是5%-10%的市場份額，但是它的作用不可小視，表明中國存儲器業(yè)完成初步立足，開始有話語權(quán)。如果依2017年計始，估計可能要花5-10年時間，并且要準備隨時迎接各種干擾的到來。

中國存儲器業(yè)一定能立足下來，無非是花的時間短，或者長些，要認識到存儲器業(yè)是個拼生產(chǎn)線管理及能持續(xù)投資的產(chǎn)業(yè)?；仡欀袊?**地區(qū)之前曾投入400億美元，試圖找立足點，結(jié)果也不盡如人意，據(jù)***人士講主要是資金不足，而中國此次存儲器的突破，似乎資金不成問題，但是缺乏月產(chǎn)能100，000片以上大生產(chǎn)線的管理經(jīng)驗。

顯然生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速度是個“坎”，它不完全是由資金決定，與技術(shù)能力，生產(chǎn)線的良率，芯片價格及外來干擾因素等相關(guān)，在思想認識上要有充分的準備。

按我的初淺認識，實現(xiàn)中國的存儲器夢，以下兩條是關(guān)鍵：

持續(xù)投資，擴大產(chǎn)能，降低制造成本，所以生產(chǎn)線應(yīng)該盡可能集中

沉著應(yīng)對來自各方面的“干擾”，包括“長臂管轄清單”，專利及價格戰(zhàn)

事在人為，實現(xiàn)中國存儲器夢是肯定有必要及可能，在此點上連部分西方人士也表示認可。
責(zé)任編輯：wv