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三大半導(dǎo)體廠資本支出直線攀升 ASML等設(shè)備廠則成為受益者

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:中央社 ? 作者:尹俊杰 ? 2019-11-06 15:49 ? 次閱讀
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臺積電、英特爾三星為打造體積更小、效能更強(qiáng)的處理器,紛紛導(dǎo)入極紫外光(EUV)技術(shù),相關(guān)設(shè)備所費(fèi)不貲,3家大廠資本支出直線攀升,ASML等設(shè)備廠則成為受益者。

華爾街日報報導(dǎo),晶圓代工大廠以最新制程挑戰(zhàn)物理極限,需要EUV微影技術(shù)當(dāng)幫手。與常用光源相比,采用EUV的系統(tǒng)能讓芯片電路更加微縮,但先進(jìn)晶圓廠建造成本也跟著水漲船高,臺積電兩年前宣布的新廠建造費(fèi)用達(dá)200億美元。

關(guān)鍵在于EUV光刻器具價格高昂。ASML公布,第3季光售出7套EUV系統(tǒng)就進(jìn)帳7.43億歐元,等于每套系統(tǒng)要價超過1億歐元。這還不含半導(dǎo)體制程控管與測試設(shè)備成本。

臺積電深耕晶圓代工先進(jìn)制程,10月表示強(qiáng)效版7納米制程導(dǎo)入EUV技術(shù),今年第2季開始量產(chǎn),良率已相當(dāng)接近7納米制程;6納米制程預(yù)計明年第1季試產(chǎn),并于明年底前進(jìn)入量產(chǎn)。

與此同時,晶圓代工龍頭廠商資本支出大增成為趨勢。

臺積電10月宣布今年資本支出達(dá)140億至150億美元,高于原先設(shè)定目標(biāo)近40%。英特爾(Intel)隨后宣布加碼3%,今年資本支出目標(biāo)達(dá)160億美元,創(chuàng)公司成立以來新高,比兩年前高出36%。三星(Samsung)上周宣布,今年半導(dǎo)體事業(yè)資本支出約200億美元。

三星公布的金額略少于去年,但業(yè)界分析師預(yù)期,三星今年大幅減少投資存儲器生產(chǎn),以便將更多資源投入次世代晶圓代工廠。

在EUV技術(shù)帶動下,半導(dǎo)體設(shè)備廠獲益良多。ASML第3季接獲23套EUV系統(tǒng)訂單,創(chuàng)單季訂單金額新高;半導(dǎo)體制程控管設(shè)備制造商科磊(KLA-Tencor)上周公布,會計年度第1季營收年增率達(dá)29%,并表示EUV投資是業(yè)績成長主要動能。

今年以來,ASML與科磊股價漲幅分別達(dá)76%、94%。報導(dǎo)指出,明年EUV需求預(yù)料更加旺盛,半導(dǎo)體設(shè)備廠前景一片光明。
責(zé)任編輯:wv

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