惠普戰(zhàn)66三代高清圖集
今年雙11，惠普更新了旗下的爆款商務(wù)本戰(zhàn)66系列，推出了戰(zhàn)66三代，升級為酷睿十代處理器，售價5699元。
惠普戰(zhàn)66三代采用高強度鋁合金打造的金屬機身，提供出色的顏值和手感；最厚處僅18mm、裸機重量1.6kg，輕松放進(jìn)包里。C面采用了3D一體成型工藝，沒有拼接，一體感更強。
戰(zhàn)66三代標(biāo)配高色域IPS防眩光屏，色域覆蓋達(dá)到100% sRGB，屏幕最高亮度可達(dá)400尼特。
性能方面，戰(zhàn)66三代搭載的為十代酷睿中的Comet Lake處理器，最強型號為i7-10710U，這也是U系列中首款六核心十二線程處理器，與上一代相比綜合性能提升16%，多任務(wù)處理能力提高40%。搭配高性能版MX250，延續(xù)雙滿血的特性。
戰(zhàn)66三代也提供了按壓式指紋識別，并且支持防水，解鎖方便，使用安全。內(nèi)置了45Wh電池，支持快充，充電30分鐘電量可達(dá)50%。
責(zé)任編輯：wv
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
筆記本
+關(guān)注
關(guān)注
14文章
2690瀏覽量
74880 -
惠普
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
600瀏覽量
38328
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
上海貝嶺發(fā)布第三代高精度基準(zhǔn)電壓源
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用
第三代半導(dǎo)體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域
隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅（Si）半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求，因此，第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵（GaN
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
發(fā)表于 04-22 14:32
第三代半導(dǎo)體器件封裝：挑戰(zhàn)與機遇并存
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230：第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 01-08 14:43
?0次下載
第三代半導(dǎo)體廠商加速出海
近年來，在消費電子需求帶動下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
季豐電子全新推出MonitorMaster三代
在芯片測試領(lǐng)域，精準(zhǔn)的電壓、電流監(jiān)控是確保產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性的關(guān)鍵。季豐電子全新推出的MonitorMaster三代，為高溫操作壽命測試（HTOL）和高加速溫濕度偏壓測試（HAST）提供了更強大的技術(shù)支持，助力芯片測試邁上新臺階！
第三代半導(dǎo)體對防震基座需求前景?
隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴張階段。在全球范圍內(nèi)，各國都在加大對第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國，多地都有相關(guān)大型項目規(guī)劃與建設(shè)，像蘇州的國家第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展
當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)的重要動力之一，新能源汽車需要高效、高密度的功率器件來實現(xiàn)更長的續(xù)航里程和更優(yōu)的能量管理。
第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
晶科能源第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品的問題解答
近期發(fā)布了采用N型TOPCon技術(shù)的第三代Tiger Neo系列產(chǎn)品后， 關(guān)于這款極具競爭力的產(chǎn)品，小編挑選了大家最為關(guān)心的10個問題進(jìn)行解答。
第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用
隨著科技的發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革，而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn)，正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
在第三代C2000器件上實現(xiàn)EEPROM的模擬操作
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在第三代C2000器件上實現(xiàn)EEPROM的模擬操作.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-09 10:59
?1次下載
工商網(wǎng)監(jiān)
評論