在實際的設計中，板層特性(如厚度，介質(zhì)常數(shù)等)以及線長、線寬、線距、信號的上升時間等都會對串擾有所影響。

下面結合使用Mentor Graphie公司的信號完整性仿真軟件Hyperlynx，對上述的影響串擾的因素進行分析。

首先在Hyperlynx中建立兩線串擾的模型，如圖4所示，設兩線的線寬為5 mil，線長為6 in，線距為5 mil，兩線均為頂層微帶線，特性阻抗為49．5Ω，兩線都端接50Ω的電阻，以消除反射的影響。

干擾線的驅(qū)動器采用CMOS工藝器件的IBIS模型，電壓為3．3 V，頻率為100 MHz。PCB的介電常數(shù)為4．3，六層板，其疊層結構如圖5所示。

圖4：兩線串擾模型

圖5：PCB疊層結構

1耦合長度對串擾的影響

改變兩線的耦合長度，分別將耦合長度設置為3 in，6 in，10 in，其他設置不變。

圖6(a)是耦合長度為3 in的串擾波形，其中近端串擾峰值為126．34 mV，遠端為43．01 mV；圖6(b)是耦合長度為6 in的串擾波形，其近端串擾峰值為153．23 mV，遠端為99．46 mV；圖6(c)是耦合長度為10 in的串擾波形，其近端串擾峰值為153．23 mV，遠端為163．98 mV。

由此可見，對于遠端串擾峰值與耦合長度成正比，耦合長度越長，串擾越大；而對于近端串擾，當耦合長度小于飽和長度時，串擾將隨著耦合長度的增加而增加，但是當耦合長度大于飽和長度時，近端串擾值將為一個穩(wěn)定值。

圖6：不同耦合長度的仿真結果

2線間距對串擾的影響

以下是保持其他設置不變，考察線間距的改變對串擾的影響。分別設置線距為5 mil，15 mil，仿真波形如圖7所示。

圖7：不同線間距的仿真結果

由圖7可知，當線間距為5 mil時，近段串擾峰值為153．23 mV，遠端為99．46 mV；而線間距為15 mil時，近端串擾峰值為33．40 mV，遠端為40．49 mV。

可見隨著線間距的增大，無論是近端還是遠端串擾都將減小，當線間距大于等于線寬的3倍時，串擾已經(jīng)很小。

3上升時間對串擾的影響

下面考察上升沿時間的變化對串擾的影響，其他設置保持不變。分別設置驅(qū)動器為CMOS 3．3 V MEDI—UM；CMOS 3．3 V FAST；CMOS 3．3 V ULTRA—FAST，仿真波形如圖8所示。

圖8：不同驅(qū)動器設置的仿真結果

圖8(a)中的近端串擾峰值為153．9 mV，遠端串擾為46．3 mV；圖8(b)中近端串擾峰值為153．2 mV，遠端串擾為99．5 mV；圖8(c)中近段串擾峰值為153．2 mV，遠端串擾為349．9 mV。

可見，當上升沿時間縮短時，遠端串擾噪聲越來越大。

對于近端串擾來說，如果與傳輸線的時延相比，上升時間較短，則近端串擾與上升時間無關；而如果與傳輸線時遲相比，上升時間較長，則近端串擾噪聲與上升時間有關(隨著上升沿時間的減小，近端串擾變大)。

4介質(zhì)層厚度對串擾的影響

在PCB的疊層編輯器中將介質(zhì)層厚度分別設置為3 mil和6 mil，其他設置不變，仿真波形如圖9所示。

圖9：不同介質(zhì)層厚度的仿真結果

考察以上的仿真波形可知，當介質(zhì)層厚度為3 mil時，近端串擾峰值為153．2 mV，遠端串擾為99．5 mV；當介質(zhì)層厚度為6 mil時，近端串擾峰值為277．3 mV，遠端串擾為163．9 mV。

可見，隨著介質(zhì)層厚度的減小，串擾也將變小。