日前，GLOBALFOUNDRIES宣布，它已經(jīng)開發(fā)出基于Arm的3D高密度芯片，該芯片滿足實現(xiàn)更高水平的系統(tǒng)計算應(yīng)用程序（如AI / ML和高端消費者移動和無線解決方案）的性能和功效。新芯片采用GF的12nm（12LP）FinFET工藝制造，采用3D的Arm互連技術(shù)，允許數(shù)據(jù)更直接地進行內(nèi)核傳輸，從而最大限度地減少延遲，滿足數(shù)據(jù)中心、邊緣計算和高端消費電子應(yīng)用所需的數(shù)據(jù)傳輸速率。

該芯片的交付展示了Arm和GF在研究和開發(fā)差異化解決方案方面所取得的快速進展，這些解決方案可以提高產(chǎn)品的密度和性能，實現(xiàn)可擴展的高性能計算。此外，雙方還使用了GF的混合晶圓與晶圓鍵合 3D DFT方法，該方法可實現(xiàn)每平方毫米多達100萬個3D連接，從而滿足了未來12nm的設(shè)計擴展的可能。

“Arm的3D互連技術(shù)使半導(dǎo)體行業(yè)能夠繼續(xù)延續(xù)摩爾定律，以滿足更多樣化的計算應(yīng)用?！盇rm研發(fā)副總裁Eric Hennenhoefer表示?！癎F在制造和先進封裝能力方面的專業(yè)知識，結(jié)合Arm技術(shù)，為我們的共同合作伙伴提供了額外的差異化，為下一代高性能計算開辟了新的范例。”

“在大數(shù)據(jù)和認知計算時代，先進的封裝技術(shù)正在發(fā)揮比以往更大的作用。人工智能的使用以及對高能效，高吞吐量互連的需求正在通過先進的封裝方式推動處理器的演進。“GF的平臺首席技術(shù)專家John Pellerin表示?！拔覀兒芨吲d與Arm等創(chuàng)新合作伙伴合作，提供先進的封裝解決方案，進一步集成了各種節(jié)點技術(shù)，這些技術(shù)針對邏輯擴展，內(nèi)存帶寬和RF性能進行了優(yōu)化且具有小尺寸。這項工作將使我們能夠發(fā)現(xiàn)先進封裝的新見解，使我們的共同客戶能夠更有效地創(chuàng)建完整，差異化的解決方案。“

GF的業(yè)務(wù)模式已經(jīng)轉(zhuǎn)變，使其客戶能夠開發(fā)新的市場和專注于應(yīng)用的解決方案，專為滿足當今苛刻市場的需求而設(shè)計。 GF的3D面對面（Face-to-Face）封裝解決方案不僅為設(shè)計人員提供了異構(gòu)邏輯和邏輯/存儲器集成的途徑，而且可以使用最佳制程制造，從而實現(xiàn)更低的延遲，更高的帶寬和更小的特征尺寸。這種方法以及早期與Arm等合作伙伴的合作，為客戶提供了最大的選擇和靈活性，同時為其下一代產(chǎn)品節(jié)省了成本并縮短了量產(chǎn)時間。