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關(guān)于能效、散熱新benchmark的性能分析

cROa_英飛凌 ? 來源:djl ? 2019-09-25 11:10 ? 次閱讀
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2016年9月中旬,英飛凌科技股份公司正式推出800V CoolMOS P7系列,該產(chǎn)品基于超級結(jié)技術(shù),在易用性與功耗方面表現(xiàn)優(yōu)異!先隨小編一覽P7系列全新布局~

關(guān)于能效、散熱新benchmark的性能分析

P7系列全家桶

該系列非常適用于低功率SMPS應(yīng)用,可完全滿足性能、易于設(shè)計和性價比等市場需求。它主要側(cè)重于反激式拓撲,這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業(yè)和輔助電源等應(yīng)用。

而正如標題所說,P7系列是同類型產(chǎn)品的新標桿!但是,吃瓜群眾表示口說無憑。小編只好回應(yīng):這是一件十分遺憾的事情,因為沒有對比就沒有傷害!

P7系列產(chǎn)品既然敢聲稱為新標桿,那么肯定有足夠的底氣!直接拿自家的老產(chǎn)品搬上臺。。。

首先,工藝上突破的達到了RDS(on) 低至280毫歐姆!

關(guān)于能效、散熱新benchmark的性能分析

Figure 1. 800VCoolMOSTM P7 sets benchmark in best-in-class DPAK R DS(on)

另集成ESD保護?。删鸵馕吨统杀荆?/p>

關(guān)于能效、散熱新benchmark的性能分析

Figure 2. 800VCoolMOSTM P7 significantly

reduces ESD related failures with

integrated Zener Diode ESD protection

當然,嚴謹?shù)?a target="_blank">工程師們更針對應(yīng)用角度進行了進一步對比,做了更多測試實驗。總結(jié)來說,P7系列可將效率提高最多0.6%;比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式應(yīng)用中測試的其他競爭對手產(chǎn)品,這相當于將MOSFET溫度降低2到8 °C。這樣的性能提升源于一系列優(yōu)化器件參數(shù),包括Eoss和Qg降低50%以上,以及降低Ciss和Coss。所以,誰敢否認這不是一項新標桿呢!

下面將針對功耗和散熱方面,介紹一款基于IPA80R450P7 CoolMOS的適配器評估板設(shè)計,工程師們稱它為EVAL_45W_19V_FLYB_P7。顯然,規(guī)格45W、19V;這是為消費類產(chǎn)品、比如筆記本電腦的電源適配器而打造的!

圖1:EVAL_45W_19V_FLYB_P7

Infineon首創(chuàng)VR酷炫體驗

隨意拖動、翻轉(zhuǎn)、放大、縮小,細節(jié)就是震撼,Infineon首創(chuàng)的VR酷炫體驗,不僅幫已是能效、散熱新benchmark的800V CoolMOS P7集聚了更多關(guān)注,更是開創(chuàng)了“前無古人”的產(chǎn)品說明書新模式!

細節(jié)就是這么震撼

功耗方面:

關(guān)于能效、散熱新benchmark的性能分析

Figure3. IPA80R450P7 set as the efficiency reference measured in the 45W adapter incomparison with the SPA11N80C3 and a competitor’s equivalent component at 230VAC

很明顯,工藝的突破實現(xiàn)了開關(guān)功耗的降低;在230Vac負載中表現(xiàn)出色!

散熱方面:

圖2:Top side of 45W IFX adapter with a TO220 FullPAK populated

圖3:45W adapter top using FullPAK at 45W load and120VAC.Q1 shown above in the black box is the flyback converterprimary MOSFET.

Q1區(qū)域的器件就是IPA80R450P7,在適配器正常使用中,Q1的溫度較其他主要器件要低得多;散熱功能毋庸置疑。

當然,該評估板設(shè)計還有很多細節(jié)的東西,限于篇幅沒有列舉。相信看到這里的筒子們,懂的自然懂了。

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