更環(huán)保的技術(shù)？

持之以恒研發(fā)適用于高能效設(shè)計(jì)的產(chǎn)品？堅(jiān)持不懈幫助減少全球二氧化碳排放？近日，英飛凌推出的新品OptiMOS 5 150V功率MOSFET產(chǎn)品組合就是最佳注腳。不僅可以降低電信設(shè)備能耗，而且可以改善電動(dòng)汽車的功率和續(xù)航里程，更環(huán)保的技術(shù)，OptiMOS 5 150V功率MOSFET當(dāng)之無愧。

細(xì)數(shù)那些“Breakthrough”

1. Breakthrough in RDS(on)——比之僅次于它的替代產(chǎn)品，采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150V功率MOSFET可以將導(dǎo)通電阻RDS(on)大幅降低25%

表1：OptiMOS 5 150V與僅次于它的替代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)比較圖

（在SuperSO8、D2PAK、TO-220三種封裝條件下）

2. Breakthrough inQrr——比之僅次于它的替代產(chǎn)品，采用SuperSO8封裝的OptiMOS 5 150V功率MOSFET可以將反向恢復(fù)電荷Qrr大幅降低72%，增強(qiáng)了通流耐受性

表2：OptiMOS 5 150V與僅次于它的替代產(chǎn)品的反向恢復(fù)電荷Qrr比較圖

而且這一切都是在不犧牲品質(zhì)因素FOMgd和FOMOSS的前提下，OptiMOS 5 150V功率MOSFET的推出在優(yōu)化系統(tǒng)能效的同時(shí)有效簡化了設(shè)計(jì)難度，兼具更出色的EMI性能，可謂一舉多得~

特別的給特別的你

1特別的——關(guān)鍵性能總結(jié)

在不犧牲品質(zhì)因素FOMgd和FOMOSS的前提下，大幅降低導(dǎo)通電阻RDS(on)；

大幅降低輸出電荷；

極低的反向恢復(fù)電荷Qrr；

增強(qiáng)了流通耐受性；

讓更高的開關(guān)頻率成為可能；

2給特別的你——主要應(yīng)用領(lǐng)域

Low voltages drives—低壓驅(qū)動(dòng)，例如：低壓馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等；

Telecom—通信，例如：通訊電源同步整流和DC/DC Brick同步整流等；

Solar—太陽能，例如：太陽能電源優(yōu)化器等；

圖1：OptiMOS 5 150V功率MOSFET產(chǎn)品主打三大應(yīng)用領(lǐng)域

3更多的——6大封裝齊聚

SuperSO8封裝：OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封裝，堪稱封裝界的best-in-class級別，相比于TO-220封裝，SuperSO8將在減少封裝電感的基礎(chǔ)上進(jìn)一步增大功率密度、減少漏源電壓VDS的尖峰。

6大封裝齊聚：除了SuperSO8封裝亮點(diǎn)，英飛凌此次更是齊聚6大封裝。

圖2：OptiMOS 5 150V功率MOSFET產(chǎn)品組合“全家?！?/p>

可以說，英飛凌最新推出的OptiMOS 5 150V產(chǎn)品家族將進(jìn)一步壯大行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS 5功率MOSFET的陣容。