若要盤點(diǎn)近兩年的“黑科技”，無線充電技術(shù)（Wireless Charging Technology）肯定要算其中之一。無線充電技術(shù)，源于無線電能傳輸技術(shù)，小功率無線充電常采用電磁感應(yīng)式（例如對(duì)手機(jī)充電的Qi方式），大功率無線充電常采用諧振式（大部分電動(dòng)汽車充電采用此方式）。由于充電器與用電裝置之間以磁場傳送能量，兩者之間不用電線連接，因此充電器及用電的裝置都可以做到無導(dǎo)電接點(diǎn)外露。

目前，無線充電技術(shù)發(fā)展至今在電子領(lǐng)域已經(jīng)被深入研究應(yīng)用，雖然還未曾大范圍普及，但在消費(fèi)電子領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)取得不錯(cuò)的成績。手機(jī)廠商也紛紛在自家旗艦機(jī)上加入這一革新性的先進(jìn)充電技術(shù)。眾所周知，革新性的技術(shù)誕生離不開器件級(jí)的革新，英飛凌最新的邏輯電平MOSFET——OptiMOS 5，包含60V、80V及100V三種電壓等級(jí)的低壓功率MOSFET正在引領(lǐng)這股“革新潮流”。

01無線充電設(shè)計(jì)秘籍—OptiMOS5的革新

英飛凌最新邏輯電平MOSFETs——OptiMOS 5功率MOSFET正是這種革新性器件，提供了60V、80V以及100V三種電壓等級(jí)，非常適合應(yīng)用于無線充電（Wireless Charging）、適配器（Adapter）以及電信（Telecom）等應(yīng)用。

邏輯電平OptiMOS 5功率MOSFET具有低柵極電荷（Qg）、低導(dǎo)通電阻RDS(on)（相比于上一代產(chǎn)品）的特性，將進(jìn)一步減小開關(guān)損耗。同時(shí)，英飛凌對(duì)OptiMOS 5功率MOSFET各項(xiàng)性能參數(shù)的優(yōu)化也使得該器件可以輕松“hold住”高開關(guān)頻率。而且，低柵極閾值電壓VGS(th)使得此邏輯電平驅(qū)動(dòng)MOSFET可以在5V工作電壓下直接被微控制器驅(qū)動(dòng)。

Key Features

低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），使得器件尺寸更小；

更低的柵極電荷Qg；

更低的輸出電荷；

邏輯電平兼容性。

圖1.OptiMOS 5（60V、80V及100V）與前代產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)性能比較圖

——從上圖可以看出，80VOptiMOS 5的導(dǎo)通電阻降幅尤為明顯，降低71%，比一半還要多。

圖2.OptiMOS 5（60V、100V）與前代產(chǎn)品的反向恢復(fù)電荷Qrr性能比較圖

——OptiMOS 5具有更低的反向恢復(fù)電荷Qrr以及輸出電荷Qoss，使得同步整流電路中的過沖電壓更低。

Key Benefits

更高的功率密度；

更高的開關(guān)頻率；

減少外部器件數(shù)量，5V電壓即可驅(qū)動(dòng)；

直接由微控制器驅(qū)動(dòng)；

系統(tǒng)成本進(jìn)一步降低。

圖3.OptiMOS 5（60V、80V、100V）采用PQFN3.3×3.3封裝

圖4：OptiMOS 5（60V、80V、100V）功率MOSFET產(chǎn)品組合“全家?！?/p>

現(xiàn)在很多工程師使用低壓驅(qū)動(dòng)MOS，因?yàn)橄鄬?duì)于一般的功率MOS，低壓MOS具有低VGS（th）以及低的Qg，這樣能讓廣大工程師省去在電源設(shè)計(jì)時(shí)多加一個(gè)升壓電路的煩惱，直接用5V以上電源驅(qū)動(dòng)即可。相信看到這里，會(huì)有更多工程師愿意前去“閱讀原文”，查看OptiMOS 5功率MOSFET的更多詳細(xì)資料。