納米電子研究中心imec和EDA公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司宣布,他們已經(jīng)完成了第一個(gè)使用5納米制造工藝制造的測(cè)試芯片的磁帶。
磁帶輸出的目標(biāo)是包括極紫外(EUV)光刻以及193nm浸沒式光刻。
磁帶中沒有有源器件,這只是金屬2和金屬3的后端圖案,以及它們之間的切口,鏈接和通孔結(jié)構(gòu)。目標(biāo)晶體管是FinFET,M2和M3信息來自完整的處理器設(shè)計(jì),盡管前端不包含在磁帶輸出中。
在9T庫(kù)上放置和布線(紅色:M2層;其他顏色:彩色切割層)
Imec和Cadence正在使用自對(duì)準(zhǔn)四重圖案和EUV光刻的混合。金屬間距從標(biāo)稱的32nm間距縮放到24nm間距,以推動(dòng)圖案化的極限。雙方?jīng)]有聲明使用了哪種處理器,但這種設(shè)計(jì)通常使用Cortex-A系列處理器完成,該處理器在前一節(jié)點(diǎn)上具有良好的特性。
“制造M2和M3的目的是了解相互作用imec首席工程師Praveen Raghavan說:“圖案化,蝕刻,平版印刷,金屬化,功率性能,工藝窗口和規(guī)則集學(xué)習(xí)”。但是,在使用Cadence的Innovus工具的地方和路線中,采用了完整的處理器器件模型,寄生效應(yīng)和時(shí)序收斂。整個(gè)處理器和SRAM都被放置在設(shè)計(jì)中,但目前磁帶輸出只是M2-via-M3。
imec的團(tuán)隊(duì)計(jì)劃至少以三種方式暴露磁帶:
1。用于M2和M3的SAQP,193i用于多次曝光的切割和過孔。
2。用于M2和M3的SAQP,帶有EUV,用于單次曝光的切割和過孔。
3。 EU,M2,M3和過孔沒有削減。
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