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關(guān)于華虹半導(dǎo)體第三代Super Junction技術(shù)的分析和應(yīng)用

0oS6_華虹宏 ? 來源:djl ? 2019-10-18 15:05 ? 次閱讀
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華虹半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的功率分立器件200mm代工廠,在功率器件產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)上擁有逾10年的經(jīng)驗。公司于2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題,推出了獨特的、富有競爭力的溝槽型SJNFET工藝平臺,令華虹半導(dǎo)體成為業(yè)界首家提供超級結(jié)工藝平臺的晶圓代工公司。經(jīng)過多年的深耕發(fā)展,公司在Super Junction技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的研發(fā)和生產(chǎn)經(jīng)驗,相繼推出了第一代、第二代工藝平臺,并緊跟業(yè)界超級結(jié)產(chǎn)品的發(fā)展,持續(xù)進行平臺的創(chuàng)新升級。

華虹半導(dǎo)體最新研發(fā)的第三代SJNFET技術(shù)平臺不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點,而且還開發(fā)出了溝槽柵的新型結(jié)構(gòu),相比前兩代的平面柵結(jié)構(gòu),可以更有效地降低結(jié)電阻,且進一步縮小了元胞(「cell pitch」)面積。導(dǎo)通電阻與第二代工藝相比,更是下降了30%以上,以600V器件為例,單位面積導(dǎo)通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2,達到業(yè)界一流水平。第三代SJNFET工藝平臺將為客戶提供導(dǎo)通電阻更低、芯片面積更小、開關(guān)速度更快和開關(guān)損耗更低的產(chǎn)品解決方案。

功率半導(dǎo)體是開關(guān)電源、馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動、新能源汽車和智能電網(wǎng)等電源系統(tǒng)的核心器件,也是降低功耗、提高效率的關(guān)鍵。在人們對高效節(jié)能越來越重視的現(xiàn)今,綠色能源技術(shù)必將得到更廣泛的應(yīng)用,功率半導(dǎo)體的需求也將持續(xù)提升。Super Junction技術(shù)憑借更低的功耗,高度契合當(dāng)前熱門的大功率快充電源、LED照明電源需求,其在傳統(tǒng)的PC電源及云服務(wù)器電源也有優(yōu)異的表現(xiàn)。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:「通過與客戶在設(shè)計優(yōu)化、系統(tǒng)解決方案及市場滲透方面的攜手努力,我們獨特且具競爭力的超級結(jié)MOSFET平臺自量產(chǎn)以來出貨量與日俱增,累計超過200,000片晶圓。華虹半導(dǎo)體新一代SJNFET工藝平臺的推出,將進一步鞏固公司在功率分立器件領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。我們將盡快實現(xiàn)第三代SJNFET工藝平臺的商用,以滿足客戶對更具競爭力的高壓功率芯片產(chǎn)品解決方案的需求?!?/p>

華虹半導(dǎo)體(股份代號:1347.HK)是全球具領(lǐng)先地位的200mm純晶圓代工廠,主要專注于研發(fā)及制造專業(yè)應(yīng)用的200mm晶圓半導(dǎo)體,尤其是嵌入式非易失性存儲器及功率器件。集團的技術(shù)組合還包括RFCMOS、模擬及混合信號、電源管理MEMS等若干其他先進工藝技術(shù)。根據(jù)IHS的資料,按2015年銷售收入總額計算,集團是全球第二大200mm純晶圓代工廠。集團生產(chǎn)的半導(dǎo)體被應(yīng)用于不同市場(包括電子消費品、通訊、計算機、工業(yè)及汽車)的各種產(chǎn)品中。利用自身的專有工藝及技術(shù),集團為多元化的客戶制造其設(shè)計規(guī)格的半導(dǎo)體。通過位于上海的3座晶圓廠,集團目前的200mm晶圓加工能力在中國名列前茅,截至2016年9月30日合計約為每月153,000片。同時,考慮到工藝的性能、成本及制造良率,集團亦提供設(shè)計支持服務(wù),以便對復(fù)雜的設(shè)計進行優(yōu)化。

華虹半導(dǎo)體有限公司現(xiàn)時主要業(yè)務(wù)透過位于上海的子公司上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司(「華虹宏力」)開展。而華虹宏力由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司新設(shè)合并而成。

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