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臺積電N3節(jié)點的技術開發(fā)上進展順利

旺材芯片 ? 來源:YXQ ? 2019-07-26 11:12 ? 次閱讀
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盡管 10nm 以下芯片制造工藝的突破已經(jīng)愈加艱難,但以臺積電為代表的業(yè)內(nèi)領先企業(yè),并沒有因此而放緩研發(fā)的步伐。該公司上周表示,其 3nm 工藝的開發(fā)進展順利。目前看來,臺積電已經(jīng)摸清了道路,且已經(jīng)開始接觸早期客戶。在面向投資者和金融分析師的電話會議上,臺積電首席執(zhí)行官兼聯(lián)合主席 CC Wei 宣布了這一消息。

他表示:“我司在 N3 節(jié)點的技術開發(fā)上進展很順利,并且已經(jīng)與早期客戶就技術定義進行了接觸。我們希望 3nm 制程可進一步加大臺積電在未來的行業(yè)領導地位”。

因 N3 技術仍處于早期開發(fā)階段,臺積電目前尚未談及具體的特征、及其相較于 N5 的優(yōu)勢。該公司稱已評估所有可能的晶體管結構選項,并未客戶提供了非常好的解決方案。

N3 規(guī)范正在開發(fā)之中,臺積電相信它將滿足其業(yè)內(nèi)領先的合作客戶的要求。事實上,臺積電已確認 N3 將是全新的工藝,而不是 N5 的簡單改進或迭代。

作為該公司主要競爭對手之一的三星,則計劃采用 3nm(3GAAE)技術。同時可以肯定的是,臺積電 3nm 節(jié)點將同時使用深紫外(DUV)和極紫外(EUV)光刻設備。

由于臺積電的 N5 工藝使用了 14 層 EUV,因此 N3 使用的層數(shù)可能會更高。作為全球最大的半導體合約制造商,其似乎對 EUV 的進展感到非常滿意,并認為該技術對其未來的發(fā)展至關重要。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:動態(tài) | 臺積電:3nm EUV工藝進展順利 已開始接觸早期客戶

文章出處:【微信號:wc_ysj,微信公眾號:旺材芯片】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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