據(jù)DigiTimes的消息人士報(bào)道，NAND閃存的整體價(jià)格將在2020年急劇上升。該報(bào)告來自存儲器芯片制造商的多個(gè)消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價(jià)格的上漲
2020-01-06 11:15:33
3821 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。
2016-11-09 11:35:16833 由于在今年的購物假期中消費(fèi)者購買全新固態(tài)硬盤的需求不斷攀升，在接下來的數(shù)周甚至數(shù)月時(shí)間內(nèi)NAND閃存的價(jià)格可能將持續(xù)拉升。根據(jù)DRAMeXchange公布的最新報(bào)告，2016年第3季度NAND閃存全球總營收同比增長19.6%，究其原因是因?yàn)樵谠摷径仁褂?b class="flag-6" style="color: red">閃存的產(chǎn)品尤其是智能手機(jī)呈現(xiàn)了巨大的需求。
2016-12-05 16:28:10659 
據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
2017-02-27 09:21:371380 
國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 2018年DRAM，NAND Flash價(jià)格則呈現(xiàn)兩漲情，出現(xiàn)一漲一跌的局面，其中的關(guān)鍵則是供給端的部分，特別是國際大廠是否突破制程瓶頸，將攸關(guān)整體市場的供需結(jié)構(gòu)。
2018-06-26 09:00:235573 本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個(gè)由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
，今年E4工廠總產(chǎn)能將達(dá)到52K／M。此外，2018年LGD還將為E4生產(chǎn)線再增加第三階段產(chǎn)能，仍然為26K／M。LGD的確正在不斷擴(kuò)大OLED TV面板產(chǎn)能。除了上述OLED面板產(chǎn)能，還有消息透露
2018-11-13 16:29:01
？我可以將 NAND 閃存分成兩個(gè)分區(qū)嗎：應(yīng)用程序代碼的第一個(gè)分區(qū)第二個(gè)分區(qū)將被格式化為 FAT32 文件系統(tǒng)
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當(dāng)時(shí)
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計(jì)他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個(gè)鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個(gè)核心，但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年
2010-08-30 15:48:01183 傳東芝將投入89.4億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
消息人士周三透露，東芝未來三年內(nèi)將投入8000億日元(約合89.4億)美元，在日本三重縣(Mie Prefecture)修建一座閃存芯片
2010-02-11 09:06:321434 爾必達(dá)計(jì)劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報(bào)道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計(jì)劃收購美國Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 華邦提高90納米串行閃存產(chǎn)能
華邦電子股份有限公司宣布，該公司已售出超過十億枚SpiFlash串行閃存器件，達(dá)到了一個(gè)重大的業(yè)界里程碑。此外，華邦電子宣布其設(shè)在臺中
2010-04-13 09:42:28654 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
美光科技公司(MicronTechnology)與英特爾公司近日宣布試制成功了基于行業(yè)領(lǐng)先的50納米(nil])制程技術(shù)的NAND閃存，這兌現(xiàn)了它們對快速提升技術(shù)領(lǐng)先曲線的承諾。樣品通
2010-05-30 11:08:09632 東芝(微博)公司計(jì)劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%，隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND，2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 09:38:18653 需求回溫、產(chǎn)能擴(kuò)增有限，供需失衡下，DRAM價(jià)格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND良率還未提升下，同樣面臨缺貨。先前調(diào)研機(jī)構(gòu)集邦科技、IHS都預(yù)估
2016-12-23 16:22:381010 
三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡，為運(yùn)行操作系統(tǒng)提供基本的運(yùn)行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等，其功能類似于PC機(jī)的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 今年Q1季度到Q2季度以來，NAND閃存價(jià)格一直在下滑，市場供需情況已經(jīng)變了，本來預(yù)計(jì)Q3季度會有蘋果新機(jī)拉貨導(dǎo)致的需求提升，藉此提振下NAND價(jià)格，不過現(xiàn)在來看這些廠商想的太樂觀了，Q3季度NAND閃存價(jià)格還會繼續(xù)下滑，這種情況持續(xù)下去，不排除2020年NAND市場大洗牌。
2018-07-17 11:58:00681 層3D閃存的產(chǎn)能良率（四季度超80％）爬升，市場會處在一種供需平衡的局面，從而自然延續(xù)NAND Flash合同價(jià)的下降趨勢。
2018-06-28 10:19:00895 DVEVM可以啟動或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個(gè)字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點(diǎn)訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價(jià)格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計(jì)NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
用于擴(kuò)充產(chǎn)能的資本支出超出市場實(shí)際需求，毫無疑問，將導(dǎo)致NAND閃存價(jià)格下滑。實(shí)際上，自2018年開始，NAND閃存價(jià)格已現(xiàn)疲弱。而且，價(jià)格走軟有望從2018年下半年一直持續(xù)到2019年。
2018-07-13 11:45:378876 
據(jù)外媒7月10日報(bào)道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 美光、三星釋放信號僅是個(gè)開端，SK海力士、Intel、東芝、西數(shù)/閃迪等都表態(tài)在幾年內(nèi)將持續(xù)擴(kuò)充閃存產(chǎn)能，為跨入96層、甚至更高層數(shù)而加大投入力度?？梢姡?D NAND閃存已經(jīng)成為國際存儲器廠商間的“主戰(zhàn)場”。
2018-07-17 10:34:084865 
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031188 今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。
2018-09-16 10:38:14509 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計(jì) 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 CCLA統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)來看，在我國國內(nèi)企業(yè)（包括在中國大陸投建的外資企業(yè)）的各類覆銅板總產(chǎn)能，以及半固化片商品的產(chǎn)能，從2018年到2020年將有很大增加。預(yù)測到2020年我國各類覆銅板總產(chǎn)能將達(dá)到約10億㎡/年。
2018-11-18 11:07:426105 
從Q1季度之后，NAND閃存價(jià)格就止不住下滑了，主要原因是廠商的64/72層堆棧3D NAND閃存產(chǎn)能大增，而需求卻降下來了，智能手機(jī)市場已經(jīng)連續(xù)多個(gè)季度下滑，蘋果新機(jī)不如預(yù)期，英特爾CPU缺貨
2018-11-20 10:14:14623 推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。
2018-12-10 10:00:571115 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
8 寸晶圓需求持續(xù)成長，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）預(yù)期，全球 8 寸晶圓廠產(chǎn)能也將不斷增加，未來 4 年 8 寸晶圓廠產(chǎn)能將增加 70 萬片，增幅約 14%。
2019-02-13 16:40:238203 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計(jì)閃存價(jià)格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26582 
據(jù)業(yè)內(nèi)人士預(yù)測，NAND閃存價(jià)格的大幅下滑將加速SSD存儲的采用，到今年底前PCIe/NVMe SSD可能將占據(jù)市場一半的份額。
2019-04-02 10:34:432724 2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價(jià)，迄今已經(jīng)連跌了6個(gè)季度。
2019-05-12 09:37:222630 目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數(shù)等公司中，國內(nèi)主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存，小批量量產(chǎn)了32層堆棧的3D閃存，但對市場影響有限，今年該公司將量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存，產(chǎn)能將會積極擴(kuò)張。
2019-05-16 10:18:143302 臺積電近日舉辦技術(shù)論壇，今年臺積電(TSM.US)總產(chǎn)能將以7納米成長最多，第二代加入EUV的7納米預(yù)計(jì)第3季量產(chǎn)，今年7納米總產(chǎn)能將增加1.5倍，達(dá)到100萬片約當(dāng)12吋晶圓。而5納米一期也已開始裝機(jī)，預(yù)計(jì)明年第1季量產(chǎn)。
2019-05-25 11:40:074818 ，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進(jìn)的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補(bǔ)這一問題，這必然會提高成本，以至于在達(dá)到某個(gè)最高點(diǎn)之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢。
2019-11-14 15:52:18765 從去年初以來，全球NAND Flash閃存市場價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，導(dǎo)致的后果就是六大NAND閃存供應(yīng)商營收及盈利不斷下滑，多家廠商還削減了產(chǎn)能，其中美光削減的NAND產(chǎn)能從之前的5％增加到了10
2019-11-14 15:58:53502 根據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo)，半導(dǎo)體硅晶圓廠環(huán)球晶圓（GlobalWafers）的韓國子公司MKC，22日舉行第2座工廠的竣工典禮。據(jù)了解，未來在第2工廠的加入之后，其月產(chǎn)能將可達(dá)到17.6萬片晶圓。
2019-11-25 11:19:233378 據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，市場研究公司預(yù)測，基于固態(tài)硬盤（SSD）密度和性能提升，明年全球NAND閃存需求將增加，5G通信、人工智能、深度學(xué)習(xí)和虛擬現(xiàn)實(shí)將引領(lǐng)明年全球DRAM和NAND閃存市場的增長。
2019-12-20 15:18:463156 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
在搶先推出7nm及7nm EUV工藝之后，臺積電今年又要搶先量產(chǎn)5nm工藝了，上半年的產(chǎn)能將達(dá)到1萬片晶圓/月，不過出貨的高峰期是Q3季度，產(chǎn)能將提升到7-8萬片晶圓/月，主要為蘋果、海思包攬。
2020-01-15 09:18:052735 楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長江存儲核心任務(wù)是推動產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬片并按期建成30萬片/月產(chǎn)能，提升國家存儲器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:292520 根據(jù)國科微官方的消息，國科微搭載長江存儲3D NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品已完成批量測試。
2020-01-17 15:17:495053 在NAND閃存市場，三星、東芝、西數(shù)、SK海力士、美光、Intel等公司掌握了全球90%以上的產(chǎn)能，留給其他廠商的空間并不多。國內(nèi)公司中，兆易創(chuàng)新表示能做38nm的SLC閃存，還在推進(jìn)24nm閃存研發(fā)。
2020-04-02 08:54:342726 近日，三星電子宣布了在韓國平澤廠區(qū)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，除擴(kuò)建采用極紫外光（EUV）的晶圓代工生產(chǎn)線及DRAM產(chǎn)能之外，還將擴(kuò)大3DNAND閃存方面的產(chǎn)能規(guī)模。業(yè)界預(yù)估三星電子僅用于3DNAND閃存方面
2020-06-16 10:07:173162 無論消費(fèi)者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時(shí)，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實(shí)意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
DIGITIMES報(bào)道，供應(yīng)鏈傳出，今年進(jìn)入第四季后，蘋果Apple Silicon自研芯片所使用的臺積電5nm產(chǎn)能將提升，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能達(dá)5000-6000片，后續(xù)單季有望達(dá)20000片。
2020-09-09 16:37:361733 我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報(bào)道，專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:571857 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:552599 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時(shí)間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 下半年將產(chǎn)能翻倍，達(dá)到10萬晶圓/月，產(chǎn)能占到全球份額的7%，力求縮短與國際公司的差距。 在這方面，三星是全球最大的閃存生產(chǎn)商，月產(chǎn)能達(dá)到48萬片晶圓，美光每月的產(chǎn)能也有18萬晶圓。 除了產(chǎn)能增長，技術(shù)水平上也在追趕，知情人士稱長江存儲最快在2021年中旬試產(chǎn)
2021-01-12 14:37:426603 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長江存儲2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過長江存儲今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 09:53:583573 昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱，長江存儲2021年的產(chǎn)能將翻倍，達(dá)到10萬片晶圓/月，年中還有192層閃存的試產(chǎn)，不過長江存儲今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382074 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
寫入問題確實(shí)是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個(gè)限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
NAND閃存芯片供應(yīng)商現(xiàn)在面臨四到五個(gè)月的庫存。今年下半年，芯片價(jià)格將迅速下降，季度價(jià)格降幅達(dá)到近20%。
2022-09-27 10:11:58647 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個(gè)限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊將變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時(shí)，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨(dú)的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個(gè)塊的P/E周期達(dá)到最大值時(shí)，這些塊變得不可工作，需要一個(gè)備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時(shí)，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計(jì)的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無需直接設(shè)計(jì)預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 一、NAND閃存市場分析 據(jù)歐洲知名半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)Yole發(fā)布的報(bào)告顯示，2020年起，NAND閃存市場發(fā)展趨勢保持穩(wěn)定增長，2021年，NAND閃存市場份額達(dá)到了近670億美元（見圖1），同年
2022-12-26 18:13:09991 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個(gè)扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21865 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 潘建成表示，群聯(lián)當(dāng)前正面臨供應(yīng)短缺問題，若NAND閃存制造商以合理價(jià)格提供穩(wěn)定的供應(yīng)，將有助于緩解群聯(lián)的困境。他認(rèn)為，原廠擴(kuò)大產(chǎn)能，有利于維護(hù)NAND市場秩序，使價(jià)格合理回歸，否則過高的漲勢會打壓下游廠商需求。
2024-03-05 14:05:0481 據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的NAND閃存制造商鎧俠已決定重新審視其先前的減產(chǎn)策略，并計(jì)劃在本月內(nèi)將開工率提升至90%。這一策略調(diào)整反映出市場需求的變化和公司對于行業(yè)發(fā)展的積極預(yù)期。
2024-03-07 10:48:35264 三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判，目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論