2020年2月，固態(tài)存儲協(xié)會(JEDEC)對外發(fā)布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:28
1875 HBM作為基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸。HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器，通過使用先進封裝(如TSV硅通孔、微凸塊)將多個DRAM芯片進行堆疊，并與GPU一同進行封裝，形成大容量、高帶寬的DDR組合陣列。
2024-01-02 09:59:135087 
4kV HBM ESD容差指的是器件能夠承受的最高靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）電壓值。HBM（Human Body Model）是用于模擬人體與器件接觸時靜電
2024-07-10 11:30:5211072 
芯片堆疊在晶圓上。這一技術的推進是為了應對更強大的人工智能芯片以及AI趨勢下集成更多HBM存儲芯片的需求。 ? 臺積電的InFO-SoW已經(jīng)用于Cerebras AI芯片、Tesla Dojo的處理器
2024-09-13 00:20:003618 產(chǎn)品組合 ? 圖1：Rambus HBM4控制器 ? 中國北京，2024年11月13日 —— 作為業(yè)界領先的芯片和半導體IP供應商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達克股票代碼：RMBS）今日宣布推出業(yè)界首款HBM4內(nèi)存控制器IP，憑借廣泛的生態(tài)系統(tǒng)支持，擴展了其在HBM IP領域
2024-11-13 15:36:40362 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）近日據(jù)韓媒報道，特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采購意向，并要求這兩家公司提供通用HBM4芯片樣品。特斯拉此次欲采購通用HBM4芯片，是為了強化超級電腦
2024-11-28 00:22:001884 。LED驅(qū)動技術是否備受照明行業(yè)關注？？更多電子行業(yè)咨詢，百度搜索，上上電子網(wǎng)——《 W W W .dianzi3 3 3 .com 》
2013-05-17 11:07:40
字節(jié)序是什么？為什么在存儲或網(wǎng)絡編程的時候要關注字節(jié)順序呢？
2021-09-23 07:26:08
這條新聞的出現(xiàn)，電腦再一次成為人們關注的焦點，有部分網(wǎng)民擔心資料、游戲等換系統(tǒng)后不能正常使用。但隔行如隔山，從事晶振行業(yè)的我對軟件、系統(tǒng)方面表示不清楚，所以今天我要和大家聊的是備受關注的電腦其主板中都
2014-03-13 15:43:28
簡單介紹物聯(lián)網(wǎng)大環(huán)境下備受關注的GNSS模塊、WiFi模塊、藍牙模塊，希望能夠幫助到物聯(lián)網(wǎng)工程師們的選型應用。
2021-01-14 06:04:24
`耀眼科技登臺，創(chuàng)新備受關注 -- 易百瓏精彩亮相上海智能建筑展 2014年9月3日，星期三，上海國際智能建筑展開展第一天。深圳市易百瓏科技有限公司的展臺上人頭攢動，熱鬧非凡。訪客們圍繞著一面
2014-09-04 11:59:04
UltraScale+芯片將配備8GB HBM 2顯存，帶寬460GB/s，號稱是DDR4內(nèi)存帶寬的20倍，不過該芯片本身還是配有DDR4內(nèi)存，頻率2666Mbps?！ ≈档米⒁獾氖牵m然賽靈思沒有公布8GB HBM
2016-12-07 15:54:22
數(shù)字電視整合加劇 中國市場備受關注
思科、摩托羅拉、恩智浦，這些在全球電信、移動終端和半導體行業(yè)赫赫有名的企業(yè)，日前均在數(shù)字電視行業(yè)動作頻頻。11月
2009-12-15 11:39:28609 三大綠色主題備受關注
目前，綠色主題備受全球關注，其中能源效率、照明效率和太陽能這三大綠色主題最為矚目。圍繞這三個主題，2010年，可再生能源、消費類便攜
2010-01-15 09:10:39555 一年一度的國際消費電子展（CES）臨近，行業(yè)紛紛猜測今年廠商將推出何種新電視技術。以往幾年，廠商發(fā)布了3D、智能電視、OLED等技術吸引了行業(yè)與消費者關注，我們估計4Kx2K（超高分
2013-01-10 10:41:521316 
為何選擇Cortex-M4內(nèi)核
2017-09-29 15:55:21
6 三星今天宣布，開始生產(chǎn)針腳帶寬2．4Gbps的HBM2顯存，封裝容量8GB，其中，HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
2018-07-02 10:23:002068 由于制造技術的進步，存儲系統(tǒng)在過去幾年中發(fā)展了很多。高帶寬存儲器（HBM）是最新類型的存儲器芯片的一個例子，它可以支持低功耗，超寬通信通道和堆疊配置。 HBM子系統(tǒng)涉及不同類型的存儲器控制器（全速，半速），HBM PHY和HBM DRAM。
2019-08-07 16:17:0312131 
雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續(xù) Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49943 日前，三星正式宣布推出名為Flashbolt的第三代HBM2(HBM2E)存儲芯片。
2020-02-05 13:49:113456 三星近日發(fā)布了代號為“Flashbolt”的HBM2E存儲芯片，HBM2E單顆最大容量為16GB，由8顆16Gb的DRAM顆粒堆迭而成，單個封裝可實現(xiàn)16GB容量。
2020-02-05 23:34:453667 存儲和數(shù)據(jù)備份行業(yè)分析師表示，隨著數(shù)據(jù)在邊緣和容器中的增長，這些領域需要對備份產(chǎn)品給予更多關注。
2020-02-28 14:14:38900 幾個月前，SK Hynix成為第二家發(fā)布基于HBM2E標準的存儲的公司，就此加入存儲市場競爭行列?，F(xiàn)在，公司宣布它們改進的高速高密度存儲已投入量產(chǎn)，能提供高達3.6Gbps/pin的傳輸速率及高達
2020-09-10 14:39:012248 面對如此良好的形勢，機床行業(yè)的海外并購熱潮又為何歸于漸漸平靜了？
2020-11-24 10:55:49957 日前，中國廣電攜700MHz正式入局，成為了名副其實的第四家移動運營商。700MHz被稱作移動通信的“黃金頻段”，在4G時代就曾引爆過很多話題，它到底因何備受關注呢？本文從標準、頻譜特點入手，簡要
2021-02-22 16:36:572491 
中國人民政治協(xié)商會議第十三屆全國委員會第四次會議于 2021 年 3 月 4 日在北京召開。會議前夕，互聯(lián)網(wǎng)大佬的兩會提案備受關注。
2021-03-04 15:42:371633 HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲）已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個重要標志和組成部分，尤其是在對帶寬要求越來越高的現(xiàn)如今，DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學習一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:0912066 據(jù)韓媒報道，自今年年初以來，三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器（HBM）訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能，但其應用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價（ASP）至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:445077 
時任AMD CEO的蘇姿豐表示，HBM采用堆疊式設計實現(xiàn)存儲速度的提升，大幅改變了GPU邏輯結構設計，DRAM顆粒由“平房設計”改為“樓房設計”，所以HBM顯存能夠帶來遠遠超過當前GDDR5所能夠提供的帶寬上限，其將率先應用于高端PC市場，和英偉達（NVIDIA）展開新一輪的競爭。
2023-07-13 15:18:24783 
在人工智能（ai）時代引領世界市場的三星等公司將hbm應用在dram上，因此hbm備受關注。hbm是將多個dram芯片垂直堆積，可以適用于為ai處理而特別設計的圖像處理裝置（gpu）等機器的高性能產(chǎn)品。
2023-08-03 09:42:50728 目前，HBM產(chǎn)品的主要供應商是三星、SK海力士和美光。根據(jù)全球市場調(diào)研機構TrendForce集邦咨詢的調(diào)查顯示，2022年，SK海力士在HBM市場占據(jù)了50%的份額，三星占據(jù)了40%，美光占據(jù)了10%。
2023-09-15 16:21:16663 
Sangjun Hwang還表示：“正在準備開發(fā)出最適合高溫熱特性的非導電粘合膜（ncf）組裝技術和混合粘合劑（hcb）技術，并適用于hbm4產(chǎn)品。”
2023-10-11 10:16:37765 hbm spot目前位于cpu或gpu旁邊的中間層，使用1024位接口連接邏輯芯片。sk hynix制定了將hbm4直接堆積在logic芯片上，完全消除中介層的目標。
2023-11-21 09:53:04774 由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-27 15:03:57921 
HBM4 預計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標志著其最底部邏輯芯片（基礎芯片）首次使用 12 納米工藝晶圓，由代工廠提供。
2023-11-28 09:45:13527 
由于hbm芯片的驗證過程復雜，預計需要2個季度左右的時間，因此業(yè)界預測，最快將于2023年末得到部分企業(yè)對hbm3e的驗證結果。但是，驗證工作可能會在2024年第一季度完成。機構表示，各原工廠的hbm3e驗證結果將最終決定英偉達hbm購買分配權重值，還需要進一步觀察。
2023-11-29 14:13:30839 
HBM 存儲器堆棧通過微凸塊連接到 HBM 堆棧中的硅通孔（TSV 或連接孔），并與放置在基礎封裝層上的中間件相連，中間件上還安裝有處理器，提供 HBM 到處理器的連接。
2023-12-06 10:40:49425 
大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識，存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關健指標，甚至某些場合超越算力，是最關鍵的性能指標，而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存。
2023-12-12 10:38:111230 
一旦SK海力士獨特的設計理念變?yōu)楝F(xiàn)實，將引發(fā)整個芯片工業(yè)的重大影響。這樣的設計不但能大幅提升性能和工作效率，還可能將處理功率和生產(chǎn)效率提高到更高的水平。有一天，存儲和邏輯半導體之間的界限可能會被淡化到幾乎不存在。雖然這可能還需要一些時間，但當它到來時，整個行業(yè)必須為大變革做好準備。
2023-12-16 11:30:00928 
HBM（High Bandwidth Memory，高頻寬存儲器）是一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，通俗來講，就是先將很多DDR芯片堆疊在一起后，再與GPU封裝在一塊。
2024-01-17 10:34:13692 
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業(yè)翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現(xiàn)已提前調(diào)整產(chǎn)量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00808 美光執(zhí)行副總裁兼首席商務官薩達納（Sumit Sadana）稱，公司已實現(xiàn)HBM3E的市場首發(fā)和卓越性能，同時能耗具有顯著優(yōu)勢，使公司在AI加速領域穩(wěn)占先機。他還強調(diào)，美光擁有業(yè)界頂尖的HBM3E及HBM4路線圖，DRAM與NAND技術相結合
2024-02-27 09:38:42392 202 4 年 3 ?月 4 ?日，中國上海 —— 全球內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商?Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)
2024-03-04 14:51:51856 
2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:411183 
這一結構性調(diào)整體現(xiàn)出三星對于存儲器領域HBM產(chǎn)品間競爭壓力的關注。SK海力士已然在HBM3市場奪得先機，并因其在人工智能領域的廣泛運用吸引了大量訂單。
2024-03-10 14:52:501844 四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關注 AI的爆發(fā)極大的推動了HBM芯片的需求；今日市場有傳聞稱四川長虹將為華為代工HBM芯片，對此傳言四川長虹回應稱，尚未收到相關消息。 “HBM”作為一種新型
2024-03-18 18:42:559718 SK海力士作為HBM3E的首發(fā)玩家，預計這款最新產(chǎn)品的大批量投產(chǎn)及其作為業(yè)內(nèi)首家供應HBM3制造商所累積的經(jīng)驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21991 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現(xiàn)有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531045 據(jù)業(yè)內(nèi)透露，三星在HBM3E芯片研發(fā)方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現(xiàn)對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。
2024-03-27 09:30:09821 SK海力士表示，憑借其在AI應用領域存儲器發(fā)展的領先地位，以及與臺積電在全球頂尖邏輯代工領域的深厚合作基礎，該公司有信心持續(xù)引領HBM技術創(chuàng)新。通過整合IC設計廠、晶圓代工廠及存儲器廠的技術資源，SK海力士將進一步提升存儲器產(chǎn)品性能，實現(xiàn)新的突破。
2024-04-19 09:28:04524 自 HBM3E（第五代 HBM 產(chǎn)品）起，SK海力士的 HBM 產(chǎn)品基礎裸片均采用自家工藝生產(chǎn)；然而，從 HMB4（第六代 HBM 產(chǎn)品）開始，該公司將轉(zhuǎn)用臺積電的先進邏輯工藝。
2024-04-19 10:32:07606 TC-NCF是有凸塊的傳統(tǒng)多層DRAM間鍵合工藝，相比無凸塊的混合鍵合技術更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產(chǎn)的同層數(shù)HBM內(nèi)存厚度會相應增加。
2024-04-19 14:26:19586 據(jù)協(xié)議內(nèi)容，雙方首先致力于提升 HBM 封裝中的基礎裸片（Base Die）性能。HBM 由多個 DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片之上，再經(jīng)由 TSV 技術進行垂直互連，基礎裸片同時連接到 GPU，其重要性不言而喻。
2024-04-19 15:45:15586 HBM內(nèi)存基礎裸片即DRAM堆疊基座，兼具與處理器通信的控制功能。SK海力士近期與臺積電簽訂HBM內(nèi)存合作協(xié)議，首要任務便是提升HBM基礎邏輯芯片性能。
2024-04-23 16:41:19786 SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基礎裸片合作協(xié)議，原本預計HBM4內(nèi)存要等到2026年才會問世。
2024-05-06 15:10:21442 至于為何供應商提前議價，吳雅婷解釋道，首先，HBM買家對于人工智能需求前景十分樂觀；其次，HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%，買家期望獲得品質(zhì)穩(wěn)定的貨源；
2024-05-07 09:33:19318 據(jù)悉，R100將運用臺積電的N3制程技術及CoWoS-L封裝技術，與之前推出的B100保持一致。同時，R100有望搭載8顆HBM4存儲芯片，以滿足高性能計算需求。
2024-05-08 09:33:04601 具體而言，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內(nèi)存的進一步研發(fā)，而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團隊則專注于開發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。
2024-05-10 14:44:39557 據(jù)此，現(xiàn)有的DRAM設計團隊將主要負責HBM3E內(nèi)存的開發(fā)和優(yōu)化，而今年三月份新設立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團隊則專攻下一代技術——HBM4。
2024-05-11 18:01:151476 HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布，由于市場需求，SK海力士將提速研發(fā)進程，預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
2024-05-14 10:23:09429 這類內(nèi)存的售價遠高于主流 DRAM，而由于制作 TSV 工藝的良率問題，對晶圓的消費量更是達到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此，內(nèi)存廠商需提高 HBM 產(chǎn)量以應對日益增長的市場需求。
2024-05-14 17:15:19534 據(jù)業(yè)內(nèi)人士預計，HBM4E的堆疊層數(shù)將增加到16~20層，而SK海力士原本計劃在2026年量產(chǎn)16層的HBM4產(chǎn)品。此外，該公司還暗示，有可能從HBM4開始采用“混合鍵合”技術以實現(xiàn)更高的堆疊層數(shù)。
2024-05-15 09:45:35407 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術領域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:13802 業(yè)內(nèi)評論指出，三星HBM之所以出現(xiàn)問題，主要原因在于負責英偉達GPU制造的臺積電在驗證過程中采用了SK海力士的標準。由于SK海力士8層HBM3E的生產(chǎn)方式與三星有所差異，導致三星產(chǎn)品未能順利通過驗證。
2024-05-16 17:56:201188 目前，我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴（如美光、三星、SK海力士等）共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的同時，具有顯著的成本優(yōu)勢；而N5基礎Dies則可在較低功耗條件下實現(xiàn)HBM4的預期速度。
2024-05-17 10:07:08516 早前在Memcon 2024行業(yè)會議上，三星電子代表曾表示，該公司計劃在年底前實現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關于HBM4，他們預見在明年會完成研發(fā)，并在2026年開始量產(chǎn)。
2024-05-17 15:54:15447 在近期舉行的2024年歐洲技術研討會上，臺積電透露了即將用于HBM4制造的基礎芯片的部分新信息。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程生產(chǎn)，而臺積電計劃利用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-20 09:14:111073 在近日舉行的2024年歐洲技術研討會上，臺積電透露了關于HBM4基礎芯片制造的新進展。據(jù)悉，未來HBM4將采用邏輯制程進行生產(chǎn)，臺積電計劃使用其N12和N5制程的改良版來完成這一任務。
2024-05-21 14:53:14702 SK海力士正全力開發(fā)HBM4E存儲設備，意欲打造集計算、緩存和網(wǎng)絡存儲于一身的新型HBM產(chǎn)品，進而提升性能與數(shù)據(jù)傳輸速率。
2024-05-29 16:41:27558 瑞銀集團最新報告指出，SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起，每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的領軍企業(yè)，SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄，顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:22758 在科技浪潮的涌動下，臺積電再次展現(xiàn)其行業(yè)領導者的地位。據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》6月24日報道，繼獨家代工英偉達、AMD等科技巨頭AI芯片之后，臺積電近日攜手旗下創(chuàng)意電子，成功斬獲下一代HBM4（高帶寬內(nèi)存
2024-06-24 15:06:43723 在全球半導體市場的激烈競爭中，臺積電再次憑借其卓越的技術實力和創(chuàng)新能力，攜手旗下子公司創(chuàng)意電子，成功斬獲了SK海力士在下一代HBM4（High Bandwidth Memory 4）芯片領域的重大
2024-06-25 10:13:12587 在半導體制造技術的持續(xù)演進中，韓國后端設備制造商ASMPT與全球知名的內(nèi)存解決方案提供商美光公司近日宣布了一項重要的合作。據(jù)悉，ASMPT已向美光提供了專用于高帶寬內(nèi)存（HBM）生產(chǎn)的演示熱壓（TC）鍵合機，雙方將攜手開發(fā)下一代鍵合技術，以支持HBM4的生產(chǎn)。
2024-07-01 11:04:15818 7月12日，隨著人工智能技術的日新月異，作為其核心技術支撐的高頻寬存儲器（HBM）正成為市場關注的焦點，供不應求的態(tài)勢愈發(fā)明顯。面對這一挑戰(zhàn)，存儲器行業(yè)的領軍者SK海力士、三星與美光紛紛加大投入，積極擴展HBM產(chǎn)能，以期在激烈的市場競爭中占據(jù)有利地位。
2024-07-12 17:08:52552 科技行業(yè)持續(xù)向AI時代邁進的浪潮中，英偉達、臺積電與SK海力士三大巨頭宣布了一項重大合作，旨在通過組建“三角聯(lián)盟”共同推進下一代高帶寬內(nèi)存（HBM）技術的發(fā)展，特別是備受矚目的HBM4內(nèi)存。這一合作不僅標志著半導體行業(yè)的一次重要聯(lián)手，也為未來數(shù)據(jù)處理和計算性能的提升奠定了堅實基礎。
2024-07-15 17:28:05750 在半導體存儲技術的快速發(fā)展浪潮中，SK海力士，作為全球領先的內(nèi)存芯片制造商，正積極探索前沿技術，以推動高帶寬內(nèi)存（HBM）的進一步演進。據(jù)最新業(yè)界消息，SK海力士正著手評估將無助焊劑鍵合工藝引入其下一代HBM4產(chǎn)品的生產(chǎn)中，這一舉措標志著公司在追求更高性能、更小尺寸內(nèi)存解決方案上的又一次大膽嘗試。
2024-07-17 15:17:47942 在半導體技術日新月異的今天，SK海力士再次引領行業(yè)潮流，宣布將采用臺積電先進的N5工藝版基礎裸片來構建其新一代HBM4內(nèi)存。這一舉措不僅標志著SK海力士在高性能存儲解決方案領域的持續(xù)深耕，也預示著HBM內(nèi)存技術即將邁入一個全新的發(fā)展階段。
2024-07-18 09:47:53624 1. 傳三星電子今年底啟動HBM4 流片 為明年底量產(chǎn)做準備 ? 有消息稱，三星電子將于今年年底開始其第6代高帶寬存儲器HBM4的流片工作，這是為明年年底12層HBM4產(chǎn)品量產(chǎn)所做的前期工作。流片
2024-08-20 10:57:22661 三星電子在半導體技術的創(chuàng)新之路上再邁堅實一步，據(jù)業(yè)界消息透露，該公司計劃于今年年底正式啟動第6代高帶寬存儲器（HBM4）的流片工作。這一舉措標志著三星電子正緊鑼密鼓地為明年年底實現(xiàn)12層HBM4產(chǎn)品的量產(chǎn)做足準備。
2024-08-22 17:19:07629 9月4日，半導體行業(yè)傳來重要動態(tài)，SK海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）在備受矚目的SEMICON 大師論壇上發(fā)表演講，分享了公司在高帶寬內(nèi)存（HBM）領域的最新進展與未來展望。金柱善社長
2024-09-05 16:31:36695 據(jù)最新報道，三星電子與臺積電攜手共謀AI芯片的未來，雙方正緊密合作開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）芯片，旨在鞏固并加強各自在快速增長的人工智能芯片市場中的領先地位。在Semicon Taiwan
2024-09-06 16:42:091479 在科技日新月異的今天，三星電子與臺積電兩大半導體巨頭的強強聯(lián)合再次引發(fā)業(yè)界矚目。據(jù)最新報道，雙方正攜手并進，共同開發(fā)下一代高帶寬存儲器（HBM4）人工智能（AI）芯片，旨在進一步鞏固并提升在快速增長的AI芯片市場的領導地位。
2024-09-09 17:37:51643 在9月25日（當?shù)貢r間）于美國加利福尼亞州圣克拉拉會議中心舉行的一場半導體行業(yè)盛會上，SK海力士發(fā)布的一項關于其高帶寬內(nèi)存（HBM）的驚人數(shù)據(jù)——“TAT 8.8:1”引起了廣泛關注。這一數(shù)據(jù)揭示了SK海力士在HBM生產(chǎn)效率上的巨大優(yōu)勢。
2024-10-08 16:19:32675 據(jù)媒體報道，摩根士丹利（大摩）的分析指出，三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產(chǎn)外包給臺積電，并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同時，展望未來五年，該領域有望實現(xiàn)15%至20%的年均復合成長率。
2024-10-10 15:25:30515 人工智能（AI）與機器學習（ML）正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展，驅(qū)動著各行各業(yè)的革新。隨著模型復雜度與數(shù)據(jù)量的激增，實時處理海量數(shù)據(jù)的需求對底層硬件基礎設施，尤其是內(nèi)存系統(tǒng)，提出了嚴峻挑戰(zhàn)。在此背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）作為新一代AI的關鍵支撐技術，其重要性日益凸顯。
2024-10-11 17:23:51441 韓國大型財團SK集團的董事長崔泰源在周一的采訪中透露，英偉達的首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK集團旗下的存儲芯片制造巨頭SK海力士提出要求，希望其能提前六個月推出下一代高帶寬存儲產(chǎn)品HBM4。SK海力士此前
2024-11-04 16:17:00518 。 HBM4作為高帶寬內(nèi)存的最新一代產(chǎn)品，具有出色的數(shù)據(jù)傳輸速度和存儲能力，對于提升計算機系統(tǒng)的整體性能具有重要意義。因此，英偉達作為全球領先的圖形處理器(GPU)制造商，對于HBM4的需求自然不言而喻。 對于SK海力士而言，黃仁勛的這一要求無
2024-11-05 10:52:48298 董事長崔泰源透露，英偉達公司首席執(zhí)行官黃仁勛已向SK海力士提出請求，希望其能提前六個月供應最新一代的高帶寬內(nèi)存芯片——HBM4。
2024-11-05 14:13:03315 日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代AI芯片平臺Rubin的HBM4存儲芯片。這一消息意味著英偉達下一代AI芯片平臺的問世時間將提前半年。
2024-11-05 14:22:09370 的領先地位，更為未來的高性能計算市場帶來了全新的可能性。 SK海力士CEO郭魯正(Kwak Noh-Jung)表示，盡管業(yè)界普遍認為16層HBM市場將從HBM4時代開始興起，但SK海力士憑借前瞻性的技術布局
2024-11-05 15:01:20327 方式獲得三星顯示的一座大樓，并計劃在三年內(nèi)完成該建筑的半導體后端加工設備導入。 此次擴建工廠的背景是，三星正在為微軟和Meta等科技巨頭供應量身定制的HBM4內(nèi)存。微軟和Meta分別推出了Mia100和Artemis人工智能芯片，對高性能內(nèi)存有著迫切需求，而三星的定制化HBM4內(nèi)
2024-11-13 11:36:16479 Rambus Inc.，業(yè)界知名的芯片和半導體IP供應商，近日宣布了一項重大突破：推出業(yè)界首款HBM4（High Bandwidth Memory 4，高帶寬內(nèi)存4代）內(nèi)存控制器IP。這一創(chuàng)新成果
2024-11-14 16:33:04434 ? 一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 時代的必需品作為行業(yè)主流存儲產(chǎn)品的動態(tài)隨機存取存儲器 DRAM 針對不同的應用領域定義了不同的產(chǎn) 品，幾個主要大類包括 LPDDR、DDR、GDDR
2024-11-16 10:30:59448 
科技巨頭主要采購定制化芯片不同，特斯拉此次選擇的是通用HBM4芯片。特斯拉的這一選擇旨在強化其超級計算機Dojo的性能，以滿足自動駕駛技術開發(fā)和訓練中對高存儲器帶寬的需求。 HBM4技術以其更高的傳輸帶寬、更高的存儲密度、更低的功耗以及更小的尺寸
2024-11-21 14:22:44579 據(jù)報道，特斯拉已要求三星和SK海力士提供HBM4芯片樣品。這兩家半導體公司都在為特斯拉開發(fā)第六代高帶寬內(nèi)存芯片原型。據(jù)KEDGlobal報道，特斯拉已要求三星和SK海力士供應通用的HBM4芯片。預計
2024-11-22 01:09:32556 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）據(jù)報道，繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導體行業(yè)知情人士稱，各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括
2023-07-06 09:06:312736 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）眼下各家存儲芯片廠商的HBM3E陸續(xù)量產(chǎn)，HBM4正在緊鑼密鼓地研發(fā)，從規(guī)格標準到工藝制程、封裝技術等都有所進展，原本SK海力士計劃2026年量產(chǎn)HBM4，不過最近
2024-07-28 00:58:134875 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲器HBM由于生成式AI的到來而異軍突起，成為AI訓練不可或缺的存儲產(chǎn)品。三大HBM廠商SK海力士、三星電子、美光科技也因HBM的供應迎來了業(yè)績的高增長。只是
2024-09-23 12:00:112561
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