SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
6936 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道, 3月25日，三星電子宣布新一代內(nèi)存芯片計(jì)劃，訪問(wèn)速度將在現(xiàn)有技術(shù)的基礎(chǔ)上提高一倍，并提供迄今為止最大的容量，從而加速數(shù)據(jù)中心和超級(jí)計(jì)算機(jī)的轉(zhuǎn)型。三星稱，DDR5 速度高達(dá)
2021-03-25 14:17:1511071 ，隨著近期DRAM內(nèi)存的價(jià)格普遍開(kāi)始下降，跟隨這一趨勢(shì)的DDR5內(nèi)存似乎終于有了用武之地。那么DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何一開(kāi)始那么貴呢，難道真的就是剛推出新技術(shù)帶來(lái)的高附加值？ ? PMIC的供應(yīng)困難 ? DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從
2022-07-12 08:27:008644 2020年7月，DDR 5新標(biāo)準(zhǔn)誕生，令人興奮的DDR5技術(shù)保證了更高的數(shù)據(jù)速率和更低的功耗。這是接口設(shè)計(jì)人員熟悉的承諾。但是，就像生活中的大多數(shù)事情一樣，沒(méi)有免費(fèi)的午餐。降低功耗和提高速度的進(jìn)步
2021-01-22 15:29:134476 2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過(guò)渡。
2024-03-17 09:50:37434 
盡管JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-18 10:49:08280 隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能
2020-02-16 07:34:001451 高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬。
2020-09-09 11:48:39793 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖，擁有光威(Gloway)、阿斯加特(Asgard)兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前，嘉合勁威正在
2020-12-03 09:53:442591 近日，嘉合勁威首批DDR5內(nèi)存條在深圳坪山工廠量產(chǎn)下線。首批DDR5內(nèi)存條采用鎂光DRAM，頻率4800MHZ，電壓1.1V，時(shí)序40-40-40? 1.1V ，容量16G（單面）/32G（雙面
2021-04-27 09:00:0013496 劉洋意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）目前宣布其首批整合其高性能8位架構(gòu)的超低功耗8位微控制器STM8L系列開(kāi)始量產(chǎn)。STM8L系列以節(jié)省運(yùn)行和待機(jī)功耗為特色，該平臺(tái)采用意法半導(dǎo)體
2019-07-24 08:03:04
5G WiFi 低功耗芯片有嘛？ ?有沒(méi)有單芯片方案 ？
2018-05-14 02:20:36
DDR5和DDR4相比有什么優(yōu)勢(shì)？
2021-06-18 08:19:59
國(guó)產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
先生悄悄的告訴大家，DDR5已經(jīng)來(lái)啦?。?！ 高速先生在研討會(huì)或者和客戶培訓(xùn)的時(shí)候，每當(dāng)講到DDR的文檔，都會(huì)把這張DDR的發(fā)展歷程圖拿出來(lái)介紹，給大家講述DDR技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程。從這張圖上可以看到，DDR
2021-08-12 15:42:06
來(lái)源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長(zhǎng)15.5%。主要原因來(lái)自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開(kāi)出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
全球首款0.3-87 GHz頻段手持頻譜分析儀——SAF Spectrum Compact
2021-01-13 07:28:24
Qorvo與上海移遠(yuǎn)通信推出全球首款采用Phase 6解決方案的M2M/IoT模組
2021-03-11 07:14:58
深圳展嶸電子有限公司梁東：***QQ：38839547ETA9085，是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉(cāng)芯片，帶4顆電量燈，也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085功能非常完善，其特點(diǎn)如下
2019-08-24 09:36:06
`ETA9085，是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉(cāng)芯片，帶4顆電量燈，也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085功能非常完善，其特點(diǎn)如下： 1、輸入耐壓高達(dá)20V，適應(yīng)快充和PD市場(chǎng)高耐壓
2019-08-22 14:55:38
美光科技公司宣布，將推出面向全球手機(jī)用戶的新型MT9D011低功耗200萬(wàn)像素CMOS成像傳感器。 隨著消費(fèi)者對(duì)手機(jī)、第三代智能電話等設(shè)備的高分辨率相機(jī)的要求，美光為此提供一種新款成像傳感器
2018-10-26 16:48:45
Altera公司近期宣布，開(kāi)始交付業(yè)界第一款高性能28-nm FPGA量產(chǎn)芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA，比競(jìng)爭(zhēng)解決方案高出一個(gè)速率等級(jí)
2012-05-14 12:38:53
深圳展嶸電子有限公司需要了解更多的親：可致電小梁：***QQ：38839547ETA9085，是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉(cāng)芯片，帶4顆電量燈，也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085
2019-08-24 10:55:10
``需要了解更多的親：可致電小向：***QQ;2401667787微信：18038075256ETA9085，是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉(cāng)芯片，帶4顆電量燈，也是全球首顆全集成超低功耗芯片
2019-08-22 17:02:33
`需要了解更多的親：可致電小慧：***微信：hui2530312447ETA9085，是鈺泰科技新出爐的超低功耗TWS充電倉(cāng)芯片，帶4顆電量燈，也是全球首顆全集成超低功耗芯片。ETA9085功能非常
2019-09-02 14:32:58
今日（5月6日）消息，IBM宣布造出了全球第一顆2nm工藝的半導(dǎo)體芯片。核心指標(biāo)方面，IBM稱該2nm芯片的晶體管密度（MTr/mm2，每平方...
2021-07-20 06:51:04
JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-23 09:24:37
，DDR5 CAC信號(hào)的ODT閃亮登場(chǎng)！我猜最激動(dòng)還是Layout攻城獅：DDR5的CAC信號(hào)有了ODT功能，PCB布線約束可以放寬松了嗎？畢竟，哪里信號(hào)質(zhì)量差就可以端接哪里，So easy。帶著這個(gè)
2022-12-28 14:47:13
摘要：· 與Gen1 DDR5設(shè)備相比，數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33%· 為未來(lái)的服務(wù)器平臺(tái)提供運(yùn)行速度高達(dá)6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存· 擴(kuò)展了領(lǐng)先的DDR5內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品
2023-02-22 10:50:46
DDR4存儲(chǔ)器模塊面世，運(yùn)作電壓同樣在1.2V，同時(shí)宣布預(yù)計(jì)在2012年下半年開(kāi)始大批量生產(chǎn)。此后的2012年5月，美光宣布將在2012年后期使用30nm制程生產(chǎn)DRAM及閃存顆粒。然而直到2014年
2022-10-26 16:37:40
高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
2020-11-24 06:58:15
作者：一博科技高速先生自媒體成員 黃剛上篇文章我們介紹了DDR5的一些總體特點(diǎn)，也到了很多網(wǎng)友的關(guān)注，文章獲得了很多的點(diǎn)擊和閱讀量。因此高速先生也應(yīng)廣大網(wǎng)友的要求，在本期增加關(guān)于DDR5的仿真技術(shù)
2021-08-19 17:33:47
，F(xiàn)FE，DFE這些！關(guān)于高速信號(hào)的介紹就到這里，高速先生差點(diǎn)忘記本文其實(shí)主要想寫(xiě)的是DDR仿真了！ 前面文章對(duì)DDR5標(biāo)配的速率也有了簡(jiǎn)單的介紹，它的起步基本是DDR4的天花板，也就是3200Mbps
2021-08-27 16:39:08
`訊，易飛揚(yáng)即日宣布量產(chǎn)兩款高性能的100G光模塊：100G QSFP28 CWDM4 和100G QSFP28 PSM4。兩種產(chǎn)品采用同一個(gè)技術(shù)平臺(tái)和生產(chǎn)平臺(tái)。本次建設(shè)投產(chǎn)的CWDM4/PSM4
2017-12-04 11:03:01
找一款12V轉(zhuǎn)5V的電壓芯片，空載情況下，盡可能的電流小，因?yàn)槭怯秒姵刈鲭娫矗?b class="flag-6" style="color: red">低功耗，我現(xiàn)在用的LM2842，靜態(tài)功耗為1.5mA。大家能不能推薦一款這樣的芯片，靜態(tài)電流最好比1.5mA還小。
2019-05-21 00:40:36
強(qiáng)敵三星。一直以來(lái)，NAND FLASH的晶圓芯片都是由三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士5家大廠“壟斷”，占據(jù)整個(gè)市場(chǎng)的70%份額；只要他們又任何的產(chǎn)能的調(diào)整和市場(chǎng)策略變化，都直接影響到市場(chǎng)特別是
2016-07-29 15:42:37
G多種通訊模式，符合最新的3GPP R15標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，支持Sub-6GHz 頻段及100MHz帶寬，是一款高集成、高性能、低功耗的5G基帶芯片。此外，春藤510可同時(shí)支持SA（獨(dú)立組網(wǎng)）和NSA（非獨(dú)立組網(wǎng)
2019-09-18 09:05:14
`日前，三星宣布已開(kāi)始批量生產(chǎn)業(yè)界首款基于12GB LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP產(chǎn)品。美光也曾推出了uMCP產(chǎn)品，基于1znm LPDDR4X和UFS多芯片封裝的uMCP4，可提供從
2019-12-25 14:38:44
DDR5 RAM具有哪些新功能？
2021-06-21 06:21:20
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361 盡管 JEDEC 尚未完成 DDR5 最終標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)，但芯片大廠之間早就開(kāi)始了暗自較勁。
2019-02-26 08:50:145385 
近日，三星官方宣布，公司將量產(chǎn)全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據(jù)了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來(lái)智能手機(jī)，優(yōu)化其5G和AI功能。
2019-07-31 15:45:472806 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:244664 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開(kāi)始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:382779 
DDR5相比DDR4有什么新特性？
2020-01-10 14:21:0410082 美光于前日宣布已經(jīng)開(kāi)始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332 
2月6日，美光科技宣布，已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗LPDDR5 DRAM芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。
2020-02-06 15:55:382206 今天上午，美光科技宣布，已交付全球首款量產(chǎn)的 LPDDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)上。
2020-02-06 17:03:072665 2月6號(hào)上午，美光科技宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。之后小米方面也科普了有關(guān)LPDDR5內(nèi)存相關(guān)信息，雷軍也在微博中稱LPDDR5內(nèi)存對(duì)智能手機(jī)性能提升影響巨大。
2020-02-07 16:08:072617 隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展，推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者，能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日，三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)DDR5芯片，可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能，支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長(zhǎng)的需求。
2020-02-22 09:40:47760 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）今日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗 DDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米 10
2020-02-24 15:39:17723 目前，DRAM廠商三星電子、SK海力士、美光科技等廠商都已提出DDR5/LP DDR5的產(chǎn)品規(guī)劃并發(fā)布相應(yīng)產(chǎn)品。美光科技更是于日前宣布交付全球首款量產(chǎn)化的LPDDR5，將搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)之上。
2020-03-01 18:56:432758 驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng)，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:008968 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載美光的低功耗 DDR5（LPDDR5
2020-04-23 17:16:502737 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載美光的低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51689 內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的新款motorola edge+智能手機(jī)已搭載美光的低功耗DDR5 DRAM芯片，為用戶帶來(lái)完整的5G功能
2020-04-27 16:00:00830 JEDEC還沒(méi)有正式發(fā)布DDR5規(guī)范，但是DRAM制造商和SoC設(shè)計(jì)人員正在全力準(zhǔn)備DDR5的發(fā)布。Cadence公司早在2018年就對(duì)這項(xiàng)新技術(shù)進(jìn)行了宣傳，并在之后發(fā)布了臨時(shí)DDR5 IP
2020-06-08 17:37:345232 中應(yīng)該都不支持DDR5，現(xiàn)階段更是沒(méi)有任何產(chǎn)品能夠支持。 不過(guò)根據(jù)最新消息顯示，今年預(yù)計(jì)會(huì)有不少?gòu)S商推出DDR5內(nèi)存的產(chǎn)品，但是真正大規(guī)模量產(chǎn)還是需要等到明年。雖然現(xiàn)在用不上，但我們還是可以看看DDR5內(nèi)存的性能。目前JEDEC官方組織還沒(méi)有公布有關(guān)DDR5內(nèi)
2020-07-30 15:27:122481 2020 年 9 月 9 日，日本東京訊 - 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案及內(nèi)存接口產(chǎn)品供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)今日宣布，面向數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器和高性能工作站應(yīng)用推出全新高速、低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器。
2020-09-09 15:19:152282 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716372 SK Hynix 韓國(guó)芯片制造商SK Hynix日前發(fā)布了全球首款64GB DDR5 RAM模塊，這標(biāo)志著與自2013年以來(lái)主導(dǎo)PC內(nèi)存的DDR4 DIMMs相比又邁出了一大步。DDR
2020-10-20 14:01:293594 北京時(shí)間10月27日消息，內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商Micron Technology（美光科技）宣布量產(chǎn)業(yè)界首款基于低功耗DDR5（LPDDR5）DRAM的通用閃存存儲(chǔ)（UFS）多芯片封裝產(chǎn)品
2020-10-27 15:17:472859 2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:075502 日前，十銓（TEAMGROUP）宣布了旗下DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，歸屬ELITE序列。
2020-12-01 16:02:361971 作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌的領(lǐng)袖，擁有光威（Gloway）、阿斯加特（Asgard）兩大品牌的嘉合勁威今天宣布，正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù)，2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。 目前，嘉合勁威正在
2020-12-02 12:12:581800 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組，有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示，正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:361735 DDR5的量產(chǎn)。 有知情人透露，嘉合勁威目前正積極與芯片廠商溝通，引入和研發(fā)最新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，并且已經(jīng)開(kāi)始籌備DDR5生產(chǎn)線，最快將在2021年的第二季度推出單條16GB的DDR5內(nèi)存條。 雖然，嘉合勁威不太可能是全球最早推出DDR5內(nèi)存條的廠商，不過(guò)很有可能
2020-12-08 17:14:252447 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來(lái)了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:552251 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼： MU）今日宣布，已開(kāi)始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5
2021-02-26 12:02:252828 DDR5內(nèi)存的第二大改良是工作電壓（VDD）有所下降，進(jìn)而帶來(lái)功耗的相應(yīng)降低。采用DDR5之后，DRAM、緩沖芯片寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）和數(shù)據(jù)緩沖器（DB）的供電電壓從1.2V下降到1.1V。
2021-04-20 15:22:374788 MICRON的低功耗DRAM（LPDRAM）產(chǎn)品組件具備低功耗、性能卓越、密度高和寬溫度范圍的選擇，能夠協(xié)助用戶從性能卓越智能手機(jī)和其它智能產(chǎn)品中收獲最大化利益。新型MICRONLPDDR5DRAM
2021-11-11 14:36:10544 2020年，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開(kāi)始。進(jìn)入2021年，多家存儲(chǔ)企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:432494 
2021年10月9日北京訊，全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過(guò)英特爾平臺(tái)認(rèn)證，這是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過(guò)英特爾DDR5平臺(tái)兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161134 SK海力士宣布提供業(yè)界內(nèi)DRAM單一芯片容量最大的24Gb DDR5樣品。24Gb DDR5產(chǎn)品采用了EUV工藝的第四代10納米級(jí)（1a）技術(shù)，相較第二代10納米級(jí)（1y）DDR5產(chǎn)品單一芯片容量從16Gb提升至24Gb，從而改善了生產(chǎn)效率，其速度提升高達(dá)33%。
2022-03-29 17:20:521533 日前，芯動(dòng)科技率先突破10Gbps，以先進(jìn)FinFet工藝量產(chǎn)了全球最快的LPDDR5/5X/DDR5 IP一站式解決方案，速度領(lǐng)先市場(chǎng)最高端LPDDR5（6.4Gbps）一倍左右。該全套技術(shù)方案
2022-06-24 11:55:093038 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298 DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過(guò)于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:503918 該機(jī)構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:481025 新一代DDR5擁有超高頻寬及低功耗優(yōu)勢(shì)，不僅傳輸速率能增加50％，工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V，能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。
2022-10-17 10:55:591496 近日，長(zhǎng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域
2022-11-22 10:51:52822 近日，長(zhǎng)電科技宣布，高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域
2022-11-24 16:17:531614 -三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 官方發(fā)布? ? 2022年12月21日，三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)出其首款采用12納米
2022-12-21 11:08:29521 -? 三星電子新款DRAM將于2023年開(kāi)始量產(chǎn)，以優(yōu)異的性能和更高的能效，推動(dòng)下一代計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和AI應(yīng)用的發(fā)展 中國(guó)深圳2022年12月21日 /美通社/ -- 三星電子宣布，已成功開(kāi)發(fā)
2022-12-21 21:19:54756 
服務(wù)器客戶 韓國(guó)首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級(jí)（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:26610 DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%，2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。
2023-04-18 11:36:471605 業(yè)界對(duì)DDR5 DRAM的市場(chǎng)預(yù)期不太樂(lè)觀。
2023-06-05 10:36:31302 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823 在集中削減DDR4產(chǎn)量的同時(shí)，主要DRAM芯片制造商正在迅速轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的DDR5生產(chǎn)。預(yù)計(jì)到2023年底，他們的DDR5內(nèi)存bit銷售額合計(jì)將占bit銷售額總額的30-40%。
2023-10-29 15:59:48603 
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106 
如今，各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn)，無(wú)論是PC、筆記本電腦還是人工智能，都對(duì)DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖，內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能，逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年，DDR5作為一款高附加值的DRAM，將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306 
近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:58289 和DDR5的主要特點(diǎn)。LPDDR5是為移動(dòng)設(shè)備設(shè)計(jì)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它具有低功耗的特點(diǎn)，能夠提供高帶寬和大容量的存儲(chǔ)。而DDR5是桌面和服務(wù)器領(lǐng)域的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它更注重性能和可靠性。 在時(shí)序方面，LPDDR5的時(shí)序比DDR5慢。這是因?yàn)長(zhǎng)PDDR5的主要目標(biāo)是降低功耗，因此它采用
2024-01-04 10:22:061166 瀾起科技，一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新，近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過(guò)不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級(jí)，他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片（DDR5 RCD04），進(jìn)一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:11457 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881
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