四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元

閱讀全文

CMOS(233055) CMOS(233055)

評(píng)論

相關(guān)推薦

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

結(jié)構(gòu)上調(diào)整和實(shí)施了 S-MOS 概念。如參考文獻(xiàn)中所述，提供了全套靜態(tài)和動(dòng)態(tài)結(jié)果，用于將 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計(jì)的參考 SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)進(jìn)行比較。

2022-07-26 09:10:48

573

各個(gè)存儲(chǔ)單元之間的區(qū)別

就基本的 SSD 存儲(chǔ)單元而言，有 SLC、MLC、TLC 和 QLC。其中，TLC 是最受歡迎的，不過(guò)，QLC 最終將取代它們。在 I/O 方面，有 SATA 和 NVMe。

2022-08-26 16:41:35

3275

ROM只讀存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)及類(lèi)型

　　地址譯碼器根據(jù)地址信號(hào)總線，選中相應(yīng)的存儲(chǔ)單元。假設(shè)譯碼器有j條地址輸入線，則可以尋址2的j次方個(gè)存儲(chǔ)器單元，則存儲(chǔ)矩陣由2的j次方個(gè)存儲(chǔ)器單元組成，每個(gè)存儲(chǔ)單元為k位。

2022-10-18 17:08:18

4345

在芯片設(shè)計(jì)時(shí)，通常需要用到各種類(lèi)型的存儲(chǔ)單元，用以臨時(shí)或者永久地存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的不同，所用到的存儲(chǔ)單元也不同。本文對(duì)常見(jiàn)的幾個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行了介紹，并簡(jiǎn)述了其工作原理和特點(diǎn)。需要特別

2022-12-02 17:36:24

1953

SDRAM芯片引腳說(shuō)明和存儲(chǔ)單元

SDRAM英文名是：Synchronous Dynamic Random Access Memory，即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，同步指存儲(chǔ)器的工作需要參考時(shí)鐘。

2023-04-04 17:11:32

3338

牛津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)出新型存儲(chǔ)單元，實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)光通信

牛津大學(xué)設(shè)計(jì)了一種新型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)單元，可以同時(shí)通過(guò)電和光信號(hào)對(duì)其進(jìn)行訪問(wèn)或?qū)懭?，大幅度提升了帶寬和功率效率，也進(jìn)一步推動(dòng)了芯片級(jí)光子學(xué)技術(shù)的發(fā)展。

2020-01-21 08:38:00

1375

80C51單片機(jī)片內(nèi)RAM低128個(gè)存儲(chǔ)單元劃分為哪4個(gè)主要部分?

80C51單片機(jī)片內(nèi)RAM低128個(gè)存儲(chǔ)單元劃分為哪4個(gè)主要部分?各部分主要功能是什么?

2011-10-08 16:10:02

MOS存儲(chǔ)單元的工作原理

方式邊界對(duì)齊的數(shù)據(jù)存放方法主存的基本結(jié)構(gòu)和工作過(guò)程存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器 SRAM靜態(tài)MOS存儲(chǔ)單元靜態(tài)MOS存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)器 DRAM四管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)元的工作原理

2021-07-28 07:59:20

MOS管應(yīng)用概述(四):基本參數(shù)

mos管的基本參數(shù)，大家熟悉的必然是Ids電流，Ron導(dǎo)通電阻，Vgs的閾值電壓，Cgs、Cgd、Cds這幾項(xiàng)，然而在高速應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)速度這個(gè)指標(biāo)比較重要。上圖四項(xiàng)指標(biāo)，第一項(xiàng)是導(dǎo)通延時(shí)時(shí)間，第二項(xiàng)

2018-12-05 14:15:27

MOS管是怎么工作的？

MOS管的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOS管的工作機(jī)制MOS管的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

2021-03-08 06:06:47

MOS管的應(yīng)用

MOS管是由加在輸入端柵極的電壓來(lái)控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過(guò)加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會(huì)發(fā)生像三極管做開(kāi)關(guān)時(shí)的因基極電流引起的電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，因此在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，MOS管的開(kāi)關(guān)速度比三極管快。

2023-03-12 05:16:04

MOS管的柵極電流怎么估算

張飛電子第四部，MOS管不像三極管的BE有固定壓降，所以不知道怎么計(jì)算。運(yùn)放那邊輸出開(kāi)路時(shí)，MOS管導(dǎo)通，具體是怎么工作的。1、剛開(kāi)始，三極管基極電流怎么算，可以用15/(7.5K+2K)估計(jì)

2021-04-27 12:03:09

MOS管問(wèn)題，請(qǐng)問(wèn)MOS是如何導(dǎo)通的呢？

本帖最后由一只耳朵怪于 2018-6-1 09:28 編輯四個(gè)MOS管這么排列，Q3Q4是打開(kāi)，Q1Q2是關(guān)閉，電源是12V為啥AB兩點(diǎn)的電壓也有11多V，MOS是如何導(dǎo)通的呢，體二極管也是對(duì)立的。

2018-05-31 19:41:07

四個(gè)晶體管搭建靜態(tài)存儲(chǔ)單元，加兩個(gè)晶體管搭建寫(xiě)控制電路

存儲(chǔ)單元”是構(gòu)成“靜態(tài)存儲(chǔ)器”（SRAM）的最基本單元。其中每一個(gè)BIT存儲(chǔ)在4個(gè)晶體管構(gòu)成的2個(gè)交叉耦合的反相器中。而另外2個(gè)晶體管作為“寫(xiě)控制電路”的控制開(kāi)關(guān)。有趣的是，搭建這個(gè)電路需要嚴(yán)格對(duì)稱(chēng)

2017-01-08 12:11:06

四大法則教你合理選擇MOS管

的四大法則?！　》▌t之一：用N溝道orP溝道　　選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOS管接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOS管就構(gòu)成了低壓側(cè)

2016-01-26 10:30:10

四引腳的Mos管那里有賣(mài)

四引腳的Mos管那里有賣(mài)？{:soso__15078172537441236116_2:}

2012-08-09 14:47:33

四引腳的Mos管那里有賣(mài)？

四引腳的Mos管那里有賣(mài)？{:soso__15078172537441236116_2:}

2012-08-09 14:50:14

存儲(chǔ)位元與存儲(chǔ)單元是什么含義

存儲(chǔ)位元與存儲(chǔ)單元是什么含義？數(shù)據(jù)通信的方式可以分為哪幾種呢？

2022-01-21 07:17:58

存儲(chǔ)器對(duì)全部存儲(chǔ)單元刷新遍所需的實(shí)際刷新時(shí)間是多少

設(shè)存儲(chǔ)器讀/寫(xiě)周期為 0.5us， CPU在1us內(nèi)至少要訪問(wèn)一次。試問(wèn)采用哪種刷新方式比較合理？兩次刷新的最大時(shí)間間隔是多少？對(duì)全部存儲(chǔ)單元刷新遍所需的實(shí)際刷新時(shí)間是多少？

2021-10-26 07:05:19

DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0嗎

1.(判斷題)DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯(cuò)誤 FLASH可保存上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來(lái)分析高速信號(hào)的碼間

2021-07-22 08:57:49

DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1，對(duì)嗎？

判斷題：DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1

2017-08-23 09:29:31

DRAM芯片中的記憶單元分析

芯片。這時(shí)得到了4個(gè) 字長(zhǎng)為4得芯片，這四個(gè)芯片按字方向擴(kuò)展得到16K，說(shuō)明一塊DRAM芯片存儲(chǔ)單元數(shù)位4K.而刷新是針對(duì)每塊芯片來(lái)說(shuō)的，所以我們只需要研究一塊芯片的刷新機(jī)制按照存儲(chǔ)矩陣形式，得到共有

2022-03-02 06:18:45

NFC動(dòng)態(tài)標(biāo)簽：M24SR

`具有EEPROM的存儲(chǔ)單元的意法半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)NFC標(biāo)簽可以通過(guò)I2C接口和13.56Mhz的NFC來(lái)讀寫(xiě)操作。M24SR系列產(chǎn)品提供給設(shè)計(jì)者廣泛的特性： ? 支持NFC forum 4類(lèi)標(biāo)準(zhǔn)

2015-07-06 09:55:13

Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)

Nand Flash的物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)Nand flash的內(nèi)部組織結(jié)構(gòu)，此處還是用圖來(lái)解釋?zhuān)容^容易理解：圖2.Nand Flash物理存儲(chǔ)單元的陣列組織結(jié)構(gòu)[url=][img=1,0

2018-06-12 10:10:18

SOC內(nèi)SRAM各存儲(chǔ)單元是否是由其硬件電路保證總是一樣的

請(qǐng)教Arm專(zhuān)家大俠: SOC內(nèi)SRAM各存儲(chǔ)單元, 其“每次上電冷啟動(dòng)后、還未寫(xiě)入應(yīng)用數(shù)據(jù)前的初始狀態(tài)數(shù)據(jù)”是否是由其硬件電路保證總是一樣的（全0或全1）？不會(huì)隨機(jī)變化（有時(shí)為0有時(shí)為1）? 能否從硬件原理角度簡(jiǎn)單說(shuō)明下? 謝謝。

2022-08-19 15:37:40

SRAM存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)框圖解

五大部分組成，即存儲(chǔ)單元陣列、地址譯碼器(包括行譯碼器和列譯碼器)、靈敏放火器、控制電路和緩沖/驅(qū)動(dòng)電路。在圖中A0-Am-1為地址輸入端，CSB. WEB和OEB為控制端，控制讀寫(xiě)操作，為低電平有效

2022-11-17 14:47:55

SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理

靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元，再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中，存儲(chǔ)單元陣列將會(huì)占去整個(gè)存儲(chǔ)器芯片面積的一半以上，在一些

2020-06-05 15:18:24

niosii編譯提示on-chip menmory 存儲(chǔ)單元不夠,怎么解決?

niosii編譯提示on-chip menmory 存儲(chǔ)單元不夠,怎么解決?

2015-01-18 09:31:43

【單片機(jī)開(kāi)發(fā)300問(wèn)】動(dòng)態(tài)儲(chǔ)器和靜態(tài)存儲(chǔ)器有什么區(qū)別？

的多少，即電容端電壓的高低來(lái)表示“1”和“0”。DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元所需的場(chǎng)效應(yīng)管較少，常見(jiàn)的有4管，3管和單管型DRAM。因此它的集成度較高，功耗也較低，但缺點(diǎn)是保存在DRAM中的信息__場(chǎng)效應(yīng)管柵極

2011-11-28 10:23:57

主存中存儲(chǔ)單元地址是如何進(jìn)行分配的

主存中存儲(chǔ)單元地址是如何進(jìn)行分配的？存儲(chǔ)芯片的容量有多大？

2021-10-19 08:25:52

主存中存儲(chǔ)單元地址的分配

4.2.1.主存中存儲(chǔ)單元地址的分配：存儲(chǔ)字長(zhǎng)：存儲(chǔ)器中一個(gè)存儲(chǔ)單元(存儲(chǔ)地址)所存儲(chǔ)的二進(jìn)制代碼的位數(shù)，即存儲(chǔ)器中的MDR的位數(shù)。字(word) : 若干個(gè)字節(jié)組成一一個(gè)”字” ( word)。一

2021-07-28 06:43:06

什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么

什么是MOS管？MOS管的工作原理是什么？MOS管和晶體三極管相比有何特性呢？

2022-02-22 07:53:36

關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析

的通路，稱(chēng)為位線。每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)淖志€和位線被唯一地定位。宇芯有限公司介紹關(guān)于SRAM存儲(chǔ)器的讀操作分析。圖1 六管單元的讀出操作 SRAM存儲(chǔ)單元讀操作分析存儲(chǔ)單元的讀操作是指被

2020-04-29 17:27:30

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器元器件原理

存儲(chǔ)單元構(gòu)成由6個(gè)晶體管單元構(gòu)成由4個(gè)晶體管單元（高電阻負(fù)載型單元）構(gòu)成數(shù)據(jù)的寫(xiě)入方法＜"1" 時(shí)＞W(wǎng)ord線電位為 high給予Bit線的電位(D=low, D=high

2019-05-27 20:59:42

單片機(jī)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM有哪些特性呢

存儲(chǔ)器是由哪些存儲(chǔ)單元構(gòu)成的？存儲(chǔ)器是用來(lái)做什么的？單片機(jī)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM有哪些特性呢？

2022-01-17 06:52:14

合理選擇MOS管的四大要領(lǐng)

而影響后面的各項(xiàng)工作和事宜。立深鑫電子為大家總結(jié)出如何正確選取MOS管的四大法則。　　法則之一：用N溝道orP溝道　　選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用中

2018-11-08 14:13:40

基于28nm工藝低電壓SRAM單元電路設(shè)計(jì)

在分析傳統(tǒng)SRAM存儲(chǔ)單元工作原理的基礎(chǔ)上,采用VTC蝴蝶曲線,字線電壓驅(qū)動(dòng),位線電壓驅(qū)動(dòng)和N曲線方法衡量了其靜態(tài)噪聲容限。在這種背景下,分析研究了前人提出的多種單元優(yōu)化方法。這些設(shè)計(jì)方法,大部分

2020-04-01 14:32:04

如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計(jì)FPGA BRAM大容量存儲(chǔ)單元？

你好如何在不使用DDR內(nèi)存控制器的情況下設(shè)計(jì)FPGA BRAM（或任何其他內(nèi)存模塊_SD，DDR以外的本地等）大容量存儲(chǔ)單元？當(dāng)我通過(guò)示例設(shè)計(jì)“VC707_bist”替換DRAM控制器和BRAM

2019-04-04 15:10:55

如何實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)？

基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？

2019-08-02 06:49:22

如何把單片機(jī)存儲(chǔ)單元清0或置1?

怎么把單片機(jī)存儲(chǔ)單元清0或置1?

2023-10-16 07:59:42

如何識(shí)別MOS管和IGBT管？

擊穿，測(cè)量阻值很大，說(shuō)明管子內(nèi)部斷路。動(dòng)態(tài)測(cè)量區(qū)分MOS管和IGBT管先用萬(wàn)用表給管子的柵極施加電壓，是場(chǎng)效應(yīng)管建立起溝道，然后測(cè)量D、S及c、e之間的阻值，根據(jù)阻值的差異來(lái)區(qū)分MOS管和IGBT管

2019-05-02 22:43:32

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元？

怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元

2023-09-28 06:17:04

晶體管開(kāi)關(guān)讀寫(xiě)SRAM存儲(chǔ)器

靜態(tài)存儲(chǔ)單元和其讀寫(xiě)控制電路組成的記憶體電路，對(duì)此的詳細(xì)內(nèi)容在四個(gè)晶體管搭建靜態(tài)存儲(chǔ)單元，加兩個(gè)晶體管搭建寫(xiě)控制電路一文中。LY62L5128是一個(gè)CMOS SRAM。容量512KB（512K X 8

2016-08-30 04:32:10

淺析MOS管的四大實(shí)用技巧

MOSFET呢?既然Vgs不能大于20V,那我們就可以在G和S之間,加一個(gè)20V的穩(wěn)壓管,來(lái)防止干擾脈沖或是靜電破壞MOSFET?！　?b class="flag-6" style="color: red">四，單片機(jī)控制MOSFET的應(yīng)用技巧　　說(shuō)到底，MOS管主要是應(yīng)用，按照

2018-11-08 14:11:41

淺析DRAM和Nand flash

模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元僅需要一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四道六個(gè)晶體管和其它的零件，故DRAM在大容量以及價(jià)格上會(huì)有優(yōu)勢(shì)。 FlashFLASH

2019-09-18 09:05:09

請(qǐng)問(wèn)用八個(gè)N型MOS管控制兩線四線電機(jī)是怎么工作的

關(guān)于使用TMC5160芯片控制兩相四線步進(jìn)電機(jī)運(yùn)動(dòng)，用八個(gè)N型MOS管去控制電流流向，那么這幾個(gè)MOS管是怎么工作的，為什么可以做到一端高側(cè)MOS管導(dǎo)通,低側(cè)MOS管截止呢?

2019-01-22 11:20:30

采用分級(jí)字線結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫(xiě)速度及降低電路動(dòng)態(tài)功耗

全局字線由行地址的高幾位經(jīng)全局字線譯碼器譯碼產(chǎn)生，它將貫穿整個(gè)存儲(chǔ)陣列來(lái)驅(qū)動(dòng)各個(gè)子模塊的塊內(nèi)字線譯碼器；而塊內(nèi)字線則由全局字線、塊選信號(hào)以及低幾位的行地址相與產(chǎn)生，塊內(nèi)字線直接與存儲(chǔ)單元的存取管相連

2020-05-19 16:20:45

嵌入式數(shù)字頻率合成系統(tǒng)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)

為了完成直接數(shù)字頻率合成技術(shù)的任意波形發(fā)生器的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，文章采用了K4S641632B-TC75芯片，用S-AMP 負(fù)責(zé)實(shí)現(xiàn)放大/驅(qū)動(dòng)，解決了存儲(chǔ)單元中的電容容量很小的問(wèn)題，保證了

2009-08-25 14:35:59

高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)及應(yīng)用

對(duì)第一代開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元產(chǎn)生的時(shí)鐘饋通誤差做了合理的近似分析，設(shè)計(jì)了一種高性能開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元。該電路僅在原存儲(chǔ)單元的基礎(chǔ)上增加了一個(gè)MOS管，使誤差降為原來(lái)的4%，

2010-07-05 14:50:48

低電壓甲乙類(lèi)開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元

低電壓甲乙類(lèi)開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元 引言開(kāi)關(guān)電流存儲(chǔ)單元是電流模式采樣數(shù)據(jù)信號(hào)處理系統(tǒng)的基本單元電路，其性能的優(yōu)

2007-08-15 16:06:29

563

三態(tài)MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路

三態(tài)MOS動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元電路

2009-10-10 18:45:49

1213

用MOS管構(gòu)成的存儲(chǔ)矩陣

用MOS管構(gòu)成的存儲(chǔ)矩陣

2009-12-04 12:24:50

1632

熔絲型PROM的存儲(chǔ)單元

熔絲型PROM的存儲(chǔ)單元

2009-12-04 12:25:26

2228

使用FAMOS管的存儲(chǔ)單元

使用FAMOS管的存儲(chǔ)單元

2009-12-04 12:27:29

875

E2PROM的存儲(chǔ)單元

E2PROM的存儲(chǔ)單元

2009-12-04 13:03:57

1468

E2PROM存儲(chǔ)單元的三種工作狀態(tài)

2009-12-04 13:04:45

1334

六管NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元

六管NMOS靜態(tài)存儲(chǔ)單元

2009-12-04 15:30:03

6567

單管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元

單管動(dòng)態(tài)MOS存儲(chǔ)單元

2009-12-04 16:50:24

3757

有比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

有比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

2009-12-04 17:31:04

1383

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

無(wú)比型動(dòng)態(tài)MOS反相器

2009-12-04 17:41:33

1372

[6.1.1]--5.1雙穩(wěn)態(tài)存儲(chǔ)單元電路

鎖存器雙穩(wěn)態(tài)單元電路

學(xué)習(xí)電子知識(shí)發(fā)布于 2022-11-16 22:03:25

應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)

應(yīng)用于超低電壓下的SRAM存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)_劉冰燕

2017-01-07 21:39:44

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

MCU與新的和不同的存儲(chǔ)單元和存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)

記憶技術(shù)不停滯不前。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)的變化速度更快和更有效的結(jié)構(gòu)的創(chuàng)建和使用在連續(xù)幾代人如DRAM SDRAM DDR DDR1、2、3、等。

2017-06-06 14:22:11

基于OTP存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元讀取閥值

。O工P存儲(chǔ)器的種類(lèi)很多，很多是基于熔絲和反熔絲，本文介紹的O工P存儲(chǔ)器基于反熔絲結(jié)構(gòu)。在反熔絲O工P存儲(chǔ)器中，通過(guò)對(duì)選中單元的編程改變了存儲(chǔ)單元內(nèi)部的結(jié)構(gòu)。理想的讀機(jī)制下，沒(méi)有編程的存儲(chǔ)單元讀取時(shí)會(huì)讀出0，而通過(guò)編程的存儲(chǔ)單元在讀取時(shí)會(huì)讀出1。反

2017-11-07 11:45:21

斯坦福大學(xué)開(kāi)發(fā)了單晶體管單阻變存儲(chǔ)器單元可抑制泄漏電流

斯坦福研究人員開(kāi)發(fā)的芯片被稱(chēng)為“單晶體管單阻變存儲(chǔ)器”（1T1R）單元。這種1T1R存儲(chǔ)單元相對(duì)于含有阻變存儲(chǔ)器但沒(méi)有晶體管的存儲(chǔ)單元，能夠提供極大好處。

2018-01-23 17:23:59

6482

東芝推出基于單層存儲(chǔ)單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲(chǔ)單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯(cuò)誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時(shí)間為2012年3月。BENAND在東芝公司最先

2018-10-08 17:11:00

1940

cpu對(duì)存儲(chǔ)器的讀取步驟

存儲(chǔ)單元的地址是從0開(kāi)始的一個(gè)一維數(shù)據(jù)地址。

2019-10-13 14:30:00

12833

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式有哪些

順序存儲(chǔ)方法：該方法把邏輯上相鄰的結(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)在物理位置上相鄰的存儲(chǔ)單元里，結(jié)點(diǎn)間的邏輯關(guān)系由存儲(chǔ)單元的鄰接關(guān)系來(lái)體現(xiàn)。

2019-10-27 12:31:00

43885

東芝開(kāi)發(fā)新型閃存，半圓形存儲(chǔ)單元可進(jìn)一步提高容量

鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)宣布開(kāi)發(fā)出創(chuàng)新的儲(chǔ)存單元結(jié)構(gòu)“Twin BiCS FLASH”。該結(jié)構(gòu)將傳統(tǒng)3D閃存中圓形存儲(chǔ)單元的柵電極分割為半圓形來(lái)縮小單元尺寸以實(shí)現(xiàn)高集成化。

2019-12-24 17:01:22

3210

存儲(chǔ)單元四個(gè)基礎(chǔ)知識(shí)

存儲(chǔ)單元的作用：可以進(jìn)行讀寫(xiě)操作以及存放數(shù)據(jù)。

2020-03-22 17:34:00

4034

存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

2020-05-14 09:19:47

3282

垂直環(huán)繞柵晶體管可縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元！

個(gè)名為Row Hammer的頑固安全漏洞。 Spin Memory的垂直環(huán)繞柵晶體管可以縮小MRAM和RRAM存儲(chǔ)單元。 Spin Memory將設(shè)備稱(chēng)為通用選擇器（Universal

2020-09-04 16:10:13

2090

C語(yǔ)言編程程序的存儲(chǔ)類(lèi)別

靜態(tài)存儲(chǔ)區(qū)存放全部的全局變量, 這些變量將在鏈接之后產(chǎn)生, 程序執(zhí)行完畢就釋放, 程序執(zhí)行的過(guò)程中它們占據(jù)固定的存儲(chǔ)單元, 而不會(huì)動(dòng)態(tài)的進(jìn)行分配和釋放。

2020-11-01 10:51:28

3292

根據(jù)數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元有幾種

按照數(shù)據(jù)存取的方式不同，ram中的存儲(chǔ)單元分為兩種：靜態(tài)存儲(chǔ)單元一靜態(tài)RAM（SRAM）;動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。 1.靜態(tài)存儲(chǔ)單元（SRAM）：它由電源來(lái)維持信息，如觸發(fā)器，寄存器

2020-12-02 14:31:30

2182

數(shù)據(jù)的四種基本存儲(chǔ)方法

該方法把邏輯上相鄰的結(jié)點(diǎn)存儲(chǔ)在物理位置上相鄰的存儲(chǔ)單元里，結(jié)點(diǎn)間的邏輯關(guān)系由存儲(chǔ)單元的鄰接關(guān)系來(lái)體現(xiàn)。

2020-12-02 10:17:55

35091

計(jì)算機(jī)信息存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)解析

數(shù)據(jù)必須首先在計(jì)算機(jī)內(nèi)被表示，然后才能被計(jì)算機(jī)處理。計(jì)算機(jī)表示數(shù)據(jù)的部件主要是存儲(chǔ)設(shè)備；而存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的具體單位是存儲(chǔ)單元；因此，了解存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)是十分必要的。

2021-01-08 10:03:55

2269

便攜式電子系統(tǒng)中甲乙類(lèi)存儲(chǔ)單元的應(yīng)用及設(shè)計(jì)方案

采用HSPICE分別對(duì)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)單元、延遲單元和積分器電路進(jìn)行了仿真，晶體管模型選用TSMC0.18μm標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字工藝參數(shù)。電源電壓為±1 V；輸入電流iin=40μA，信號(hào)頻率fin=100 kHz

2021-02-18 10:06:39

1450

存儲(chǔ)器由什么組成存儲(chǔ)器的功能是什么

存儲(chǔ)體是屬于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的重要組成部分，以存儲(chǔ)為中心的存儲(chǔ)技術(shù)。存儲(chǔ)單元通常按字節(jié)編址，一個(gè)存儲(chǔ)單元為一個(gè)字節(jié)，每個(gè)字節(jié)能存放一個(gè)8位二進(jìn)制數(shù)。

2022-01-03 16:17:00

8804

鎧俠利用四層存儲(chǔ)單元技術(shù)推進(jìn)UFS3.1版嵌入式閃存設(shè)備開(kāi)發(fā)

存儲(chǔ)解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會(huì)社(Kioxia Corporation)今天宣布發(fā)布通用閃存(UFS) 3.1版[1]嵌入式閃存設(shè)備。該設(shè)備采用了其創(chuàng)新的每單元4字節(jié)的四層存儲(chǔ)單元(QLC)技術(shù)

2022-01-20 12:26:52

233

可編程存儲(chǔ)單元OCE28V256x用戶(hù)手冊(cè)

OCE28V256X是一種單電壓（3.3V）、異步、rad-hard 32kbit x8內(nèi)存設(shè)備，使用抗-基于保險(xiǎn)絲的一次性可編程（OTP）存儲(chǔ)單元。采用了標(biāo)準(zhǔn)的1 30nm CMOS工藝用于

2022-06-08 11:22:48

中國(guó)突破技術(shù)瓶頸研制出全球最小尺寸相變存儲(chǔ)單元

　　中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員宋志棠、王浩敏組成聯(lián)合研究小組，首次利用GNR邊緣接觸制備了世界上最小的相變存儲(chǔ)單元器件。

2022-08-02 14:26:26

902

淺談閃速存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)單元連接方式

閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory)又稱(chēng)閃存(Flash)，是一種非易失性存儲(chǔ)器,用存儲(chǔ)單元閾值的高低表示數(shù)據(jù)。浮柵(Floating Gate )場(chǎng)效應(yīng)管(見(jiàn)圖5-80)是Flash存儲(chǔ)單元采用的主要技術(shù)。

2022-08-08 15:46:00

1076

PICC編譯器會(huì)自己分配存儲(chǔ)單元到其他bank嗎

問(wèn)：PICC編譯器會(huì)自己分配存儲(chǔ)單元到其他bank嗎？還是需要用戶(hù)來(lái)強(qiáng)制分配呢？答：你需要用一個(gè)bankx限定符來(lái)分配存儲(chǔ)器到其他bank。例如： bank1 char fred; 這將

2023-01-22 16:30:00

448

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器集成工藝（DRAM）詳解

在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝

2023-02-08 10:14:57

5004