值得注意的是，內(nèi)置在芯片上的?RF?平衡-不平衡變壓器擁有獨特的優(yōu)勢。因為作為半導體工藝的一部分，其金屬走線的形狀和厚度以及絕緣性都得到了很好的控制，因此這些變壓器具有一致的阻抗特性，這是分立式、機械纏繞的變壓器無法比擬的。因此，這些變壓器以最小的偏差在不同系統(tǒng)間提供了可重復的響應特性。

LTC5569?的?RF?和?LO?輸入端的?50Ω?阻抗匹配還有助于保持外部匹配要求最低。在?1.4GHz?到?3.3GHz?時，RF?和?LO?輸入回程損耗高于?12dB。在這些端口將只需要?DC?隔離電容器。因為?LTC5569?能在低至?300MHz?的寬頻率范圍內(nèi)工作，所以針對?700MHz?LTE?和?800MHz?GSM?頻帶，它的?RF?輸入可以非常容易地匹配。

此外，LTC5569?的?2dB?高轉換增益有助于消除對額外?IF?增益級的需要。該混頻器提供卓越的?26.8dBm?輸入?IP3?性能?(在?190MHz?IF?時)。此外，該混頻器具有卓越的阻塞信號處理能力。當?RF?輸入端存在?5dBm?的帶內(nèi)阻塞信號時，其?NF?僅略有下降，從?11.7dB?降至?17dB?(在?1.95GHz?RF?時)。

低功率使熱量管理可控

這么高的混頻器性能幾乎總是以犧牲功耗性能為代價實現(xiàn)的。LTC5569?的性能已經(jīng)為更低的?3.3V?電源電壓而進行了優(yōu)化。采樣這樣的電源電壓，每個混頻器都以僅為?90mA?的?DC?電流工作，以實現(xiàn)每通道?300mW?的卓越功耗。如果考慮該器件提供的寬帶性能、線性度和信號增益，那么?LTC5569?在混頻器領域是非常出色的。

以這樣的功耗，一個?8?通道?MIMO?接收器可以僅消耗?2.4W?功率。而可替代的每通道?1W?的混頻器組成同樣的接收器總共消耗?8W?功率，可見?LTC5569?的總功耗低得多。

當在印刷電路板上焊接該雙通道混頻器時，應該小心，以確保底面裸露的中央焊盤得到完全充分的焊接。這不僅對提供最高效的熱量傳導很重要，而且對實現(xiàn)最佳的?RF?信號接地也很有必要。這樣能提高?RF?信噪比性能。

LTC5569?的封裝具有非常低的?8°C/W?結點至管殼熱阻?(ΘJC)。在兩個通道都工作?(總功耗為?600mW)、電路板溫度為?105°C?時，該器件的節(jié)溫僅為?110°C，遠低于?150°C?的絕對最大額定值。

結論

LTC5569?雙通道混頻器在非常寬的帶寬范圍內(nèi)提供卓越的性能，同時具有緊湊的占板面積和非常低的功耗。該器件能應對新一代?LTE?MIMO?RRU?的高要求帶來的挑戰(zhàn)。