中芯國(guó)際力爭(zhēng)在2010年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

2010年，中芯國(guó)際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺(tái)和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā)；同時(shí)力爭(zhēng)實(shí)現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。

　　2010年半導(dǎo)體業(yè)將持續(xù)復(fù)蘇的勢(shì)頭，在通信和消費(fèi)類電子市場(chǎng)的帶動(dòng)下，相應(yīng)的半導(dǎo)體產(chǎn)品市場(chǎng)出現(xiàn)了回升；低碳經(jīng)濟(jì)、綠色能源這些新興市場(chǎng)的興起，也將給相應(yīng)的半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)發(fā)展契機(jī)。盡管受到了的國(guó)際金融危機(jī)的沖擊，但是中芯國(guó)際一直沒(méi)有減緩技術(shù)研發(fā)的進(jìn)度，相反在國(guó)際金融危機(jī)期間，公司的資源更多地分配給了研發(fā)部門。

　　在第四屆(2009年度)中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評(píng)選中，中芯國(guó)際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎(jiǎng)，其一是“65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。

　　目前，中芯國(guó)際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證，并于2009年第三季度開(kāi)始在北京廠小批量試產(chǎn)。中芯國(guó)際65納米技術(shù)前段采用的是應(yīng)力工程和鎳硅合金工藝，后段采用的是低介電常數(shù)銅互連工藝。中芯國(guó)際還將繼續(xù)在65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上拓展更多的技術(shù)種類。

　　在65納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，CMOS器件的電學(xué)參數(shù)更難以控制，為此，中芯國(guó)際引入了DFM(可制造性設(shè)計(jì))，這樣不但提高了設(shè)計(jì)服務(wù)的能力，而且拓寬了IP庫(kù)。中芯國(guó)際和國(guó)內(nèi)的設(shè)計(jì)公司協(xié)作，不僅研發(fā)出了通用的IP，而且為中國(guó)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)出定制的IP。

　　0.11微米圖像傳感器技術(shù)是中芯國(guó)際和相關(guān)設(shè)計(jì)公司合作開(kāi)發(fā)的、具有國(guó)際先進(jìn)水平的集成電路制造技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合并優(yōu)化了動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器及邏輯工藝，優(yōu)化了像素設(shè)計(jì)，形成了一個(gè)通用的工藝平臺(tái)，可以服務(wù)于從30萬(wàn)到300萬(wàn)像素的產(chǎn)品。中芯國(guó)際的0.11微米CMOS圖像傳感器技術(shù)不僅提供更高像素的圖像，而且其數(shù)字信號(hào)處理的能力更強(qiáng)，該技術(shù)可以滿足手機(jī)和圖像傳感器應(yīng)用的所有需要。中芯國(guó)際的此項(xiàng)工藝完全自主研發(fā)，所用的工藝步驟優(yōu)于國(guó)外同行，有著明顯的成本優(yōu)勢(shì)，其結(jié)構(gòu)、技術(shù)水平和光學(xué)性能都達(dá)到了國(guó)際先進(jìn)水平。

　　2010年對(duì)于中芯國(guó)際來(lái)講是非常重要的一年，因?yàn)槲覀円�完成一系列的里程碑式的任�?wù)：45/40納米的邏輯工藝平臺(tái)要為試生產(chǎn)做好準(zhǔn)備，要增強(qiáng)65和40納米節(jié)點(diǎn)上的IP等等。所有這些技術(shù)創(chuàng)新都會(huì)增強(qiáng)中芯國(guó)際的芯片制造能力、IP能力、設(shè)計(jì)服務(wù)能力，最終一定會(huì)增強(qiáng)公司的贏利能力。