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長(zhǎng)江存儲(chǔ)正和美光談判存儲(chǔ)技術(shù)授權(quán)及設(shè)立合資公司

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2018年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)32層64Gb 3D NAND Flash量產(chǎn)。它注定將開創(chuàng)中國(guó)存儲(chǔ)芯片的歷史。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND 芯片導(dǎo)入江波龍 U 盤,國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)一條龍

的64層3DNAND芯片技術(shù)量產(chǎn)后,江波龍與長(zhǎng)江存儲(chǔ)將進(jìn)一步推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片大規(guī)模進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)。 成立于1999年的深圳江波龍,是一家從代工跨入自有品牌,從工控走向消費(fèi)端,從國(guó)內(nèi)朝國(guó)際市場(chǎng)發(fā)展的老牌存儲(chǔ)模組廠。2017年江波龍從存
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布子品牌“致鈦?ZHITAI” 高性能M.2硬盤正式官宣

長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天正式推出了SSD品牌致鈦,一個(gè)全新的名字,也代表著長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D閃存逐漸走向前臺(tái)。 致鈦這個(gè)官微是最近才注冊(cè)的,7月15日審核通過(guò),微博認(rèn)證為長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,官方公眾號(hào)最近
2020-08-28 15:36:445908

加速“去美化”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量

近期,加快芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國(guó)科技企業(yè)最重要的議題之一,中國(guó)存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其NAND芯片產(chǎn)量,以爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額。
2020-09-23 10:05:432655

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布聲明:公司建設(shè)情況以公司官方信息為準(zhǔn)

近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”或“我司”)發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體通過(guò)多種渠道刊登、散布關(guān)于我司產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品銷售等不實(shí)言論,長(zhǎng)江存儲(chǔ)特此發(fā)表嚴(yán)正聲明:
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`CFMS2018近日成功舉辦,來(lái)自三星、西部數(shù)據(jù)、英特爾、美長(zhǎng)江存儲(chǔ)等全球存儲(chǔ)業(yè)大咖,與行業(yè)人士共同探討3D NAND技術(shù)的發(fā)展未來(lái)。我們來(lái)看看他們都說(shuō)了什么。三星:看好在UFS市場(chǎng)的絕對(duì)優(yōu)勢(shì)
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存儲(chǔ)技術(shù)的原理是什么?

存儲(chǔ)技術(shù)是用激光照射介質(zhì),通過(guò)激光與介質(zhì)的相互作用使介質(zhì)發(fā)生物理、化學(xué)變化,將信息存儲(chǔ)下來(lái)的技術(shù)。其基本物理原理是:存儲(chǔ)介質(zhì)受到激光照射后,介質(zhì)的某種性質(zhì)(如反射率、反射極化方向等)發(fā)生改變,介質(zhì)性質(zhì)的不同狀態(tài)映射為不同的存儲(chǔ)數(shù)據(jù),存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀出則通過(guò)識(shí)別存儲(chǔ)單元性質(zhì)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)嚴(yán)正聲明,回應(yīng)“閉門會(huì)議”不實(shí)言論

長(zhǎng)江存儲(chǔ)行業(yè)資訊
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紫光國(guó)芯收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ):打造存儲(chǔ)器全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)巨頭

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紫光國(guó)芯擬以發(fā)行股份方式收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)

近日,紫光國(guó)芯股份有限公司(下稱“紫光國(guó)芯”)發(fā)布公告表示,擬以發(fā)行股份的方式收購(gòu)長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司(下稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)全部或部分股權(quán)。
2017-04-22 01:07:34964

蘋果計(jì)劃從長(zhǎng)江存儲(chǔ)采購(gòu)其NAND芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)迎來(lái)重大收獲

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紫光國(guó)芯攜手長(zhǎng)江存儲(chǔ)開展DRAM合作

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2017-11-27 11:05:411848

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長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于2016年7月26日在武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)登記成立。法定代表人趙偉國(guó),公司經(jīng)營(yíng)范圍包括半導(dǎo)體集成電路科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、測(cè)試、封裝、制造與銷售;貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口、代理進(jìn)出口(不含國(guó)家禁止或限制進(jìn)出口的貨物或技術(shù))。
2018-03-14 15:17:22120579

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn),三星獨(dú)大的局面或?qū)⒂型淮蚱?/a>

長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式裝機(jī):3D NAND量產(chǎn)還有多遠(yuǎn)?

4月11日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江,智儲(chǔ)未來(lái)為主題,慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房實(shí)現(xiàn)提前封頂,2018年2月份進(jìn)行廠內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝,正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備,預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280

湖北大學(xué)與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技在3D存儲(chǔ)芯片研究上開展合作

從第四批科技成果轉(zhuǎn)化簽約大會(huì)湖北大學(xué)專場(chǎng)上獲悉,湖北大學(xué)物理與電子科學(xué)學(xué)院王浩教授領(lǐng)銜的團(tuán)隊(duì),與長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司簽約受讓3D存儲(chǔ)器選通管技術(shù),年產(chǎn)值預(yù)計(jì)將達(dá)60億元。雙方達(dá)成戰(zhàn)略合作,將繼續(xù)
2018-06-11 01:15:002233

看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)新型架構(gòu)為3D NAND帶來(lái)哪些性能?

作為3D NAND閃存產(chǎn)業(yè)的新晉者,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)江存儲(chǔ))今年將首次參加閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit),并發(fā)表備受期待的主題演講,闡述其即將發(fā)布的突破性技術(shù)XtackingTM。
2018-07-31 14:17:014486

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu) 挑戰(zhàn)三星存儲(chǔ)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技公司表示,盡管仍采用3D分層,但速度卻可提升三倍。
2018-08-09 09:33:163466

長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布突破性技術(shù)——Xtacking,三星是否開始慌張?

北京時(shí)間2018年8月7日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)官網(wǎng)的一篇新聞稿表示其公開發(fā)布了一條其突破性技術(shù)——Xtacking。
2018-08-11 10:50:2811892

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布突破性技術(shù),將大大提升3D NAND的性能

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱:長(zhǎng)江存儲(chǔ))昨日公開發(fā)布其突破性技術(shù)——Xtacking?。該技術(shù)將為3D NAND閃存帶來(lái)前所未有的I/O高性能,更高的存儲(chǔ)密度,以及更短的產(chǎn)品上市周期。
2018-08-13 09:54:001665

新一代立體堆疊閃存方案有什么優(yōu)勢(shì)?美光,SK海力士,長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在使用

今年的閃存技術(shù)峰會(huì),美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案,SK海力士稱之為“4D NAND”,長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱之為Xtacking,美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286688

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推全新3D NAND架構(gòu)——XtackingTM

作為NAND行業(yè)的新晉者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天公開發(fā)布其突破性技術(shù)——XtackingTM。據(jù)知情人士透露,這之前存儲(chǔ)一直都是三星的強(qiáng)項(xiàng)。
2018-08-13 16:08:273366

長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)32層3D NAND,計(jì)劃2020年進(jìn)入128層堆疊

目前世界上存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)主要由美、日、韓主導(dǎo),是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:027293

長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)在2019年全速量產(chǎn) 2020年會(huì)趕超國(guó)際領(lǐng)先的閃存公司

NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數(shù)公司壟斷,中國(guó)公司在此領(lǐng)域毫無(wú)話語(yǔ)權(quán),甚至連收購(gòu)、合作外資公司都沒可能,想獲得突破還得靠國(guó)產(chǎn)公司自立。紫光公司主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)
2018-11-23 08:45:2812115

與DRAM領(lǐng)域不同 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在NAND領(lǐng)域取得了進(jìn)展

紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)YMTC是國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片陣營(yíng)中主修NAND閃存的公司,也是目前進(jìn)度最好的,去年小規(guī)模生產(chǎn)了32層堆棧的3D NAND閃存,前不久紫光在深圳第七屆中國(guó)電子信息博覽會(huì)
2019-04-18 16:18:522080

長(zhǎng)江存儲(chǔ)8月將推出Xtacking 2.0技術(shù)

在5月15日的GSA Memory+論壇的下半場(chǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官湯強(qiáng)做了題為《三維閃存技術(shù)發(fā)展的展望》的主題演講,并透露將在今年8月正式推出Xtacking 2.0技術(shù)。
2019-05-17 11:47:131574

長(zhǎng)江存儲(chǔ)直追國(guó)際技術(shù) NAND陷入全球混戰(zhàn)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后,進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片,等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局,對(duì)比今年三星、SK海力士(SK Hynix )進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn),長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281277

江波龍牽手長(zhǎng)江存儲(chǔ),推動(dòng)國(guó)內(nèi)自研存儲(chǔ)芯片進(jìn)入終端消費(fèi)市場(chǎng)

江波龍已經(jīng)導(dǎo)入長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層的 3D NAND 芯片,用于 8GB 的 U 盤等產(chǎn)品上
2019-06-14 10:25:105191

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層堆棧3D閃存亮相,年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

根據(jù)官網(wǎng)資料,長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國(guó)武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164

長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研發(fā)國(guó)產(chǎn)高性能第三代閃存

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-09-06 16:26:451585

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新技術(shù)宣布著國(guó)產(chǎn)第三代閃存的到來(lái)

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)邁出了國(guó)產(chǎn)閃存的重要一步,已經(jīng)開始量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,基于長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xstacking技術(shù),核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001495

國(guó)電南瑞擬與聯(lián)研院設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體合資公司

10月17日,國(guó)電南瑞科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“國(guó)電南瑞”)發(fā)布公告稱,擬與國(guó)家電網(wǎng)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“國(guó)網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(以下簡(jiǎn)稱“聯(lián)研院”)共同投資設(shè)立
2019-10-20 11:22:5812737

長(zhǎng)江存儲(chǔ)存儲(chǔ)巨頭們發(fā)起挑戰(zhàn),3D NAND實(shí)現(xiàn)突破性的創(chuàng)新

長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷,作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目,經(jīng)歷多年的研發(fā),終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布獲得年度技術(shù)突破獎(jiǎng) 自家閃存產(chǎn)品擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天宣布,在北京舉行的“2020中國(guó)IC風(fēng)云榜”上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司獲得了備受矚目的年度技術(shù)突破獎(jiǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事,紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京代表公司領(lǐng)獎(jiǎng)。
2020-01-03 08:58:232470

中微半導(dǎo)體獲長(zhǎng)江存儲(chǔ)9臺(tái)刻蝕設(shè)備訂單

據(jù)浦東時(shí)報(bào)報(bào)道,2020年開年,中微半導(dǎo)體成功中標(biāo)長(zhǎng)江存儲(chǔ)9臺(tái)刻蝕設(shè)備訂單。
2020-01-08 10:49:094292

中微中標(biāo)9臺(tái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)蝕刻機(jī),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備也很好

紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2019年9月份正式量產(chǎn)了國(guó)內(nèi)首個(gè)64層堆棧的3D閃存,容量256Gb,TLC芯片,2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)還會(huì)進(jìn)一步提升產(chǎn)能,年底將達(dá)到每月6萬(wàn)片晶圓的水平,是初期產(chǎn)能的10倍。
2020-01-09 09:38:533905

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存存儲(chǔ)密度全球第一

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品?,F(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 10:26:083034

搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品推出

1月16號(hào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)召開市場(chǎng)合作伙伴新春溝通會(huì),紫光、群聯(lián)、威剛、慧榮等知名大廠前來(lái)站臺(tái),其中威剛還宣布將會(huì)率先推出搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品。現(xiàn)在根據(jù)科創(chuàng)板電報(bào)的消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層閃存的存儲(chǔ)密度是全球第一,絕不是低端產(chǎn)品。
2020-01-17 14:43:553442

長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示128層3D NAND技術(shù)會(huì)按計(jì)劃推出

據(jù)證券時(shí)報(bào)消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示,128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì)有所波及。但目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工,從中長(zhǎng)期來(lái)看,這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
2020-04-08 15:09:152377

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布將跳過(guò)96層堆疊閃存技術(shù)直接投入128層閃存研發(fā)和量產(chǎn)

今年初,長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷售資深副總裁龔翔曾公開表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將跳過(guò)如今業(yè)界常見的96層堆疊閃存技術(shù),直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作。
2020-04-08 16:38:21861

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出 128 層 QLC 閃存,單顆容量達(dá) 1.33Tb

2020年4月13日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)
2020-04-13 09:29:415557

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首推128層QLC閃存,單顆容量可達(dá)1.33Tb

4月13日,紫光集團(tuán)旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司長(zhǎng)江存儲(chǔ))宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。
2020-04-13 17:14:491128

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層NAND flash存儲(chǔ)芯片 中國(guó)存儲(chǔ)芯片國(guó)際領(lǐng)先

據(jù)媒體報(bào)道指國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已開發(fā)出128層的NAND flash存儲(chǔ)芯片,這是當(dāng)前國(guó)際存儲(chǔ)芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國(guó)的存儲(chǔ)芯片技術(shù)已達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。
2020-04-14 08:55:4512821

長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新,128層3D NAND閃存芯片問世

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)在官網(wǎng)宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2-6070研發(fā)成功,已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-04 10:39:002648

長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC閃存,1.6Gbps單顆容量1.33Tb

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
2020-05-12 09:54:014145

2021年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將成為存儲(chǔ)領(lǐng)域強(qiáng)大的市場(chǎng)挑戰(zhàn)者

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技希望該陣容將有助于挑戰(zhàn)三星,Kioxia,SK Hynix和美光等市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者,而正值全球最大的兩個(gè)經(jīng)濟(jì)體中美兩國(guó)在貿(mào)易和技術(shù)戰(zhàn)中脫鉤之際。
2020-06-29 09:43:263600

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首發(fā)128層QLC閃存

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存(型號(hào):X2-6070)研發(fā)成功。同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號(hào):X2-9060),用以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2020-07-06 16:49:421372

朗科科技加入長(zhǎng)江存儲(chǔ)Xtacking生態(tài)聯(lián)盟,成為首批“鉆石級(jí)合作伙伴”

存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)刁石京先生,CEO楊士寧先生,CMO龔翊女士,深圳市朗科科技股份有限公司羅伯淋先生共同出席了此次簽約儀式。 授牌儀式 參觀長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)基地 會(huì)議上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)與眾多合作伙伴達(dá)成共識(shí),以技術(shù)品牌創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力為導(dǎo)向,打造以合作伙
2020-08-25 17:19:151599

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度

今天下午,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式發(fā)布旗下致鈦品牌的消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品。
2020-09-10 16:54:141957

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤_致鈦ZHITAI

8月28日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)官宣將推出SSD品牌“致鈦ZHITAI”。9月10日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了該品牌的首款產(chǎn)品——PC005Active和SC001Active。據(jù)悉,這兩款產(chǎn)品均為消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤。
2020-09-17 11:22:081945

臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布固態(tài)硬盤騰龍系列DS10 I/O速度比肩DDR4

。 今天,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌臺(tái)電科技聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ),發(fā)布臺(tái)電純國(guó)產(chǎn)化固態(tài)硬盤騰龍系列DS10。 臺(tái)電騰龍系列DS10將采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)全新一代64層TLC閃存顆粒。該顆粒采用由長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)技術(shù),通過(guò)對(duì)存儲(chǔ)單元與外圍電路的獨(dú)立加工,將傳統(tǒng)常規(guī)的的1Gp
2020-11-18 11:27:082086

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking有什么優(yōu)勢(shì)?

11月18日?qǐng)?bào)道 今日,在“2020北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨IC WORLD學(xué)術(shù)會(huì)議”上,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司CEO楊士寧在發(fā)言中表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出的創(chuàng)新技術(shù)Xtacking具有速度快、工藝結(jié)實(shí)
2020-11-18 15:26:573871

長(zhǎng)江存儲(chǔ)已打入華為供應(yīng)鏈

種種摧殘下的華為,不得不賣出自己的榮耀,試圖最后拯救榮耀這一子品牌。然而在國(guó)產(chǎn)化的大背景下,華為又迎來(lái)了重大的好消息! 21ic家獲悉,日前,IC WORLD上長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)首席執(zhí)行官
2020-11-23 11:59:264351

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌,基于3D NAND顆粒打造

大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。 背景介紹: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2014年,開始3D NAND flash的研發(fā),技術(shù)團(tuán)隊(duì)從最初開始研發(fā)相關(guān)技術(shù)到現(xiàn)在已經(jīng)有六年的時(shí)間,并在,2016年注冊(cè)公司,短短的時(shí)間內(nèi)就做到了從閃存顆粒,到X
2020-11-24 09:56:483572

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD固態(tài)硬盤的詳細(xì)資料介紹

長(zhǎng)江存儲(chǔ)基于Xtacking架構(gòu)的3D NAND顆粒打造的首款消費(fèi)級(jí)固態(tài)品牌——致鈦存儲(chǔ)于日前正式與我們見面,并獲得眾多用戶的支持。而在網(wǎng)上呼聲較高的問題就是關(guān)于致鈦存儲(chǔ)技術(shù),而就在近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)大咖來(lái)答疑欄目給出了相關(guān)技術(shù)答復(fù),讓大家更加的了解致鈦品牌固態(tài)。
2020-11-28 09:09:063373

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧:打入華為Mate40、研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒

存儲(chǔ)研發(fā)太快了,要慢一點(diǎn)兒3、長(zhǎng)江存儲(chǔ)要賺錢,楊士寧從做技術(shù)轉(zhuǎn)型做生意的人。 11 月 20 日消息 2020 年北京微電子國(guó)際研討會(huì)暨 IC WORLD 學(xué)術(shù)會(huì)議本周在京舉行,長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧出席發(fā)表講話。 楊士寧表示:雖然長(zhǎng)存的 64 層 3DNAND 只是我們第一個(gè)產(chǎn)品,但是這顆產(chǎn)品
2020-12-09 10:26:227624

一文讀懂長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)產(chǎn)芯片太極系列

上個(gè)月,銘瑄聯(lián)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了一款采用純國(guó)產(chǎn)芯片的太極系列H5 SATA 3 SSD。
2020-12-25 09:57:443796

爆料稱長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 09:53:583573

計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍:長(zhǎng)江存儲(chǔ)辟謠

日經(jīng)亞洲評(píng)論日前報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃今年將產(chǎn)量提高一倍,并開始率先生產(chǎn)192層3D NAND閃存。 對(duì)此消息,長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布公告指出,近日發(fā)現(xiàn)個(gè)別境外媒體通過(guò)多渠道干等、散布關(guān)于公司產(chǎn)能建設(shè)、產(chǎn)品銷售
2021-01-14 10:11:451808

長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存產(chǎn)能翻倍?謠言!

昨天日經(jīng)新聞亞洲版報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)2021年的產(chǎn)能將翻倍,達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月,年中還有192層閃存的試產(chǎn),不過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天否認(rèn)相關(guān)內(nèi)容。
2021-01-14 10:21:382074

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致鈦發(fā)布全新固態(tài)硬盤,帶來(lái)不一樣的體驗(yàn)

2021年2月6日,北京——今日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布推出致鈦系列木星10移動(dòng)固態(tài)硬盤,并于致鈦京東店鋪開啟預(yù)售,2月9日正式開售。本次木星10移動(dòng)固態(tài)硬盤的正式面世,意味著長(zhǎng)江存儲(chǔ)致鈦將進(jìn)一步豐富其存儲(chǔ)
2021-02-18 11:14:552701

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布嚴(yán)正聲明

報(bào)道稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在對(duì)供應(yīng)鏈在進(jìn)行大規(guī)模審核,從生產(chǎn)設(shè)備、化學(xué)原料到螺釘、螺母、軸承以及微小透鏡,都要優(yōu)先選用國(guó)產(chǎn)零部件。報(bào)道并引用一位知情人士說(shuō) “長(zhǎng)江存儲(chǔ)還派出工程師對(duì)本土設(shè)備供應(yīng)商的生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行審核,以驗(yàn)證零件的來(lái)源是否真實(shí)”。
2021-05-14 10:21:315101

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000

2022年4月8日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000。
2022-04-10 09:03:191536

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存芯片,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

2022年4月19日,中國(guó)武漢,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦
2022-04-19 11:08:461748

蘋果欲與長(zhǎng)江存儲(chǔ)合作來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格

蘋果公司長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YTMC)納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過(guò)使供應(yīng)商多樣化來(lái)降低NAND閃存的價(jià)格。
2022-09-08 11:55:23529

傳蘋果暫停長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存芯片計(jì)劃

即便長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這些芯片產(chǎn)品已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證,但在新 iPhone 開始量產(chǎn)時(shí),這些 NAND Flash 并沒有跟著進(jìn)入產(chǎn)線中。
2022-10-20 15:01:271613

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將推遲武漢的第二家晶圓廠建設(shè)

外國(guó)芯片專家表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步和批量生產(chǎn)的能力將受到其無(wú)法免費(fèi)獲得美國(guó)芯片制造工具和服務(wù)的阻礙。
2023-02-03 11:38:561669

長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPro7000 SSD測(cè)試

致態(tài)TiPro7000三體聯(lián)名版以“三體”的經(jīng)典科技文化元素為靈感,結(jié)合長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新理念,為用戶帶來(lái)一款不僅性能強(qiáng)悍,更有收藏、紀(jì)念價(jià)值的存儲(chǔ)產(chǎn)品。
2023-02-20 10:38:591237

對(duì)比韓企存儲(chǔ)技術(shù),長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展如何

據(jù)外媒報(bào)道,長(zhǎng)江存儲(chǔ)去年7月生產(chǎn)了232層3D NAND閃存樣機(jī),同年11月開始投入量產(chǎn)。
2023-02-28 10:51:251662

億緯鋰能擬出資在美國(guó)設(shè)立合資公司

9月5日,億緯鋰能全資孫公司EVE ENERGY US Holding LLC(簡(jiǎn)稱“億緯美國(guó)”)與Electrified Power、Daimler Truck和PACCAR簽訂協(xié)議,擬共同出資在美國(guó)設(shè)立合資公司,由合資公司投資建設(shè)電池產(chǎn)能。
2023-09-08 09:21:47451

長(zhǎng)江存儲(chǔ)232層閃存揭秘

長(zhǎng)江存儲(chǔ)1Tb TLC芯片的存儲(chǔ)密度已達(dá)15.47Gb每平方毫米,1Tb QLC更是高達(dá)19.8Gb每平方毫米,在兩種閃存類型中都無(wú)出其右者。
2023-11-02 11:11:46844

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專利

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵害訴訟場(chǎng)主張說(shuō):“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無(wú)許可地使用長(zhǎng)江低利的專利革新?!?b class="flag-6" style="color: red">長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱,美光使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù),從與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的競(jìng)爭(zhēng)中防御,確保和保護(hù)市場(chǎng)占有率。
2023-11-12 14:26:45314

起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過(guò)迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來(lái)阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
2023-11-13 15:47:51289

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

在起訴書中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)創(chuàng)新改善了3D NAND的速度、性能、密度、可靠性和產(chǎn)量,推動(dòng)了多種電子設(shè)備的創(chuàng)新。
2023-11-13 16:03:05369

長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示,去年11月,分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論:長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531

8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專利之爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)記憶芯片龍頭美光科技提告,指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)8項(xiàng)與3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。
2023-11-13 17:24:51547

湯森路透與AI公司展開內(nèi)容授權(quán)談判

湯森路透正在與人工智能公司展開授權(quán)協(xié)議的談判。這一談判的目的是為了授權(quán)新聞和數(shù)據(jù)組織的內(nèi)容,并可能達(dá)成類似于Axel Springer SE與OpenAI的協(xié)議。
2024-01-17 15:31:04321

首次亮相!長(zhǎng)江存儲(chǔ)128 層3D NAND 現(xiàn)身CITE 2020

在CITE 2020上,紫光集團(tuán)帶來(lái)了大量產(chǎn)品,其中包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019

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